道康宁公司首次推出电力电子行业碳化硅晶圆分级结构

道康宁公司首次推出电力电子行业碳化硅晶圆分级结构

本刊讯全球有机硅及宽带隙半导体技术领先企业道康宁公司近期推出全新碳化硅（SiC）晶体分级结构，为碳化硅晶体创立了行业新标准。新分级结构对相关致命性产品缺陷，如微管位错（MPD）、螺纹螺位错（TSD）、和基面位错（ BPD）等，具有更严格的容忍度。

这一开创性分级结构旨在优化使用道康宁高品质Prime Grade系列100mm碳化硅晶片设计和制造的新一代电力电子器件的设计自由度、性能和成本。道康宁公司目前向市场提供Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra的三种不同品质的新型碳化硅衬底。

道康宁公司新产品分级结构中的各个Prime Grade系列晶圆产品为缺陷密度及其他关键性能设置了更严格的公差范围，客户可以根据特定器件的应用要求，在硅片质量和价格之间获得最好的平衡。虽然已有不少碳化硅衬底制造商承诺要降低微管密度，但道康宁公司是首家对包括TSD及BPD在内的其他致命性缺陷公差作出明确定义的企业。这些缺陷会降低器件的成品率及生产效率，且会影响大面积、新一代电力电子器件制造的成本效益。