两级负反馈放大器的PSpice仿真

2012-01-11 07:03妍,张华,宋
通化师范学院学报 2012年2期
关键词:输入阻抗负反馈鼠标

张 妍,张 华,宋 智

(1.大连海洋大学 信息工程学院,辽宁 大连116023;2.辽宁师范大学 物理与电子技术学院;3.大连交通大学 电气信息学院)

负反馈在电子电路中有着非常广泛的应用,虽然它使放大器的放大倍数降低,但能在许多方面改善放大器的动态指标,在多级放大电路中引入深度负反馈,可以使整个电路的电压放大倍数仅仅与两个电阻有关,其中晶体管的更换几乎不会给整个电路性能带来什么影响.也就是说,其电压放大倍数的稳定性获得了大幅度的提高.

负反馈的引入还可以给放大电路带来其它影响,比如可以扩展电路的通频带——降低下限截止频率、提高上限截止频率,可以降低环内器件的噪声,可以改善环内器件引起的非线性,可以方便地改变输入输出电阻等.

本文以较常见的两级负反馈放大电路为例,粗略介绍用PSpice仿真工作状态的一般步骤.仿真选用的软件是Orcad9.2,它是一个过渡版本,内部包含pspice输入工具schematics(在以后的版本中已经取消了该输入方式).Orcad的原理图输入工具Capture(和Capture CIS).仿真过程的操作以Capture CIS为主.

1 编辑电路原理图

要对电路进行仿真需要首先绘出电路原理图绘出原件属性,在Windows7环境下启动Orcad Family Release 9.2/Capture CIS,在菜单栏中选择FileNewProject,在name栏中输入新建项目的名称,在Create a New Project Using栏中选择Analog or Mixed A/D,在Location栏中输入项目文件保存的文件夹,然后单击“OK”按钮.在Create PSpice Project窗口中选择,Creare a blank project,单击“OK”按钮,进入Orcad Capture的空白绘图页.

放置晶体管符号:执行P1ace/Part命令,在“Libraries”列表框中选择“BIPOLAR”,在“Part”列表框中选择“Q2N2222”,单击“OK”,将晶体管移至合适位置,按鼠标左键,按ESC键以结束绘制元器件状态.用同样方法可以放置电阻R/ANALOG,电容C/ANALOG,直流电源VDC/SOURCE,正弦电源VSIN/SOURCE.放置的符号执行P1ace/Ground命令,在“Libraries”列表框中,选择“SOURCE”,在“Symbol”列表框中,选择“0”,单击“OK”.

元器件间的电连接执行P1ace/Wire命令,将光标移至互连线的起始位置处,点击鼠标左键,移动鼠标,互连线出现,在互连线终点,单击鼠标左键,继续移动鼠标,以绘制下一段互连线,单击鼠标右键,选择End Wire子命令,结束互连线绘制.

将鼠标对准要修改的名称或者数值,双击鼠标左键,出现“Display Properties”窗口,在“Value”栏填入所要改的名称或者数值,单击“OK”完成对元件属性参数的修改.执行P1ace/Junction命令,放置连接点.执行P1ace/Net Alias功能选项为网络连接线命名,输入连线为Vi,输出连线为Vo.电路原理图保存执行File/Save命令.设置好的电路如图1所示.

图1 两级负反馈放大电路电路图

2 偏压点分析

选择菜单PSpice/New Simulation打开New Simulation对话框.在name栏内输入分组的文件名称,然后单击“Create”按钮调出Simulation Setting-“文件名”对话框,这是设置“PSpice”仿真参数的集成对话框,在Analysis type栏内选择仿真类型Bias Point,同时在Output File Options域内选定Include detailed bais point information for nonlinear controlled sources and semiconductors(.OP),单击“确定”按钮退出此窗口,现在选择菜单:PSpiceRun即可启动PSpice仿真窗口,窗口上方是波形图区,由于直流工作点不需要波形显示,故此区域目前是深灰色,窗口左下方是输出窗口,负责显示本次仿真操作的进度与执行情况.执行菜单:View/Output File功能选项,打开一个记录了本次仿真结果的文本文件,图2是仿真结果的一部分文本内容,从中可以看出三极管的发射结正偏集电结反偏即处于放大状态.

图2 仿真结果部分文件

回到Orcad Capture绘图窗口,选择工具栏中的“V”符号Enable Bias Voltage Display.显示静态电压;选择“I”符号Enable Bias Current Display.显示静态电流.

3 瞬态分析

关闭偏压点仿真窗口,选择菜单:PSpiceEdit Simulation Setting在Analysistupe栏内选择Time Domain(transient)设置瞬态分析,将Run to time栏内设为1ms、Start saving data after栏设为0、Maximum step size栏设为1000ns.就是从0秒开始观察,1ms结束(一个正弦周期),每1000ns内至少记录一点.放置仪器探头,执行PSpice/Markers/Voltage Level命令,将电压探头拖至输入端Vi、输出端RL处,按ESC键,以结束仪器探头放置.执行PSpice/Run命令,屏幕上出现PSpice仿真分析窗口.执行Trace/Cursor/Display命令,进行波形测量,点击分析窗口左下角“V(Vo)”,选择输出电压波形,执行Trace/Cursor/Peak命令,测量标尺定位于输出波形顶峰.执行Plot/Label/Mark命令,显示输出波形顶峰标尺坐标,第一位置坐标为顶峰处时间=745.802us,第二位置坐标为顶峰处电压=21.856mv;执行Trace/Cursor/Trough命令,测量标尺定位于输出波形谷底,第一位置坐标为谷底处时间=248.855us,第二位置坐标为谷底处电压=-21.160mv.也可用此方法测量输入波形.

输出峰峰值以及系统增益,将顶峰处电压数值与谷底处电压数值相减,得到输出波形峰峰值Vopp=21.856-(-21.160)=43.016mV,Probe Cursor显示结果为:在746.053us的时候,A1为输出信号的幅度21.856mv,A2为输出信号的幅度-3.1815mv.

输出波形峰峰值Vopp与输入波形峰峰值Vipp相除,得到系统放大增益

Av=Vopp/Vipp=43.016mV/(2×3.1815)mV=6.7674

图3 瞬态分析图

4 交流扫描分析

更换激励信号源:删除电压仪探头、信号源VSIN,执行Place/Part命令,放置信号源VAC,在“Libraries”列表中选择SOURCE,在“PART”列表中选择VAC,单击“OK”,将V1修改为Vi、5mVac、0Vdc;建立电路网表,执行PSpice/Create Netlist命令;仿真参数类型设置:执行PSpice/Edit Simulation Profile命令,Analysis Type栏选择,AC Sweep/Noise,AC Sweep Type栏选择,Logarithmic及Decade,Start 栏填写1Hz,End栏填写1000KHz,Points/Decade填写100,点击“确定”按钮;运行仿真分析程序:执行PSpice/Run命令,屏幕上出现PSpice仿真分析窗口;系统幅频特性分析:执行Trace/Add Trace命令,在Add Traces对话窗口,Trace Expression栏填写,DB(V[Vo]/V[Vi]),DB()为幅度函数,单击“OK”按钮.执行Trace/Cursor/Display命令,标尺对准Av曲线中频点,执行Trace/Cursor/Peak命令,在中频点处标记位置坐标,执行Plot/Label/Mark命令,测量得第一为中频处频率fO=2.448kHz,第二为中频处放大倍数20lg|Avo︱=16.633dB,换算放大倍数Avo=6.7866与之前的计算相符.测量低半功率点频率fL,向左拖动十字标尺,对准中频下降3dB处,即低半功率点,标记低半功率点处坐标,第一为低半功率点频率fL=33.039Hz,第二为fL处放大倍数20lg|Av︱=13.634;测量高半功率点频率fH,向右拖动十字标尺,对准中频下降3dB处,即高半功率点,标记高半功率点处坐标,第一为

高半功率点频率fH=202.247KHz,第二为fH处放大倍数20lg|Av︱=13.644dB.

执行PlotADD Y Axis功能选项增加一个Y轴,在Add Trace对话框的Trace Expression栏内键入P(V[Vo]/V[Vi]),同一窗口内出现了相频特性曲线.从曲线上可以看出在频率为2.4448KHz时相位差为-179.689°已接近反相.

图4 交流分析图

5 输入阻抗频率特性分析

执行Simulation/Run命令,执行Trace/Add Trace命令,在Add Traces对话窗口,Trace Expression

栏填写V[Vi:+]/I[Vi],激励源输出电压与电流之比即为放大器系统输入阻抗Ri,单击“OK”按钮.同上测量方法测得低半功率点处坐标第一为低半功率点频率fL=36.712Hz,第二为fL处输入阻抗Ri=33.803k;中频点处第一为中频点频率fO=2.4484KHz,第二为fO处输入阻抗Ri=28.006k;高半功率点fH处Ri,第一为高半功率点频率fH=202.095KHz,第二为fH处输入阻抗Ri=22.587K.与理论计算结果十分接近,说明仿真结果符合真实工作状态.

图5 输入阻抗频率特性分析图

参考文献:

[1]汪汉新.基于PSp ice的电子电路特性分析[J].中南民族大学学报,2003,22(1):42~47.

[2]吴中华.用OrCAD PSpice仿真放大器工作状态[J].职大学报,2001(4):29~30.

[3]石焕玉.PSPICE在模拟电子技术实验中的运用[J].琼州大学学报,2004,11(2):23~25.

[4]张俊涛,陈晓莉.PSpice在电路设计中的应用实例[J].现代电子技术,2001(9):31~33.

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