砷化镓
- 一种基于GaAs肖特基二极管W波段混频器芯片设计
dB。关键词：砷化镓；单平衡混频器；W波段；变频损耗中图分类号：TN914.42 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2023）11-0052-05Design of a Mixer Chip in W-band Based on GaAs Schottky DiodeFAN Fan， FU Qi（The 13th Research Institute of CETC， Shijiazhuang 050051， China）Abstract
现代信息科技 2023年11期2023-08-01
- 镓锗出口管制的国产化机遇
五族的磷化铟和砷化镓，光芯片产线具有建设周期长、扩产慢的特点，人工智能的快速发展将持续拉动上游基础设施侧光模块及配套的光芯片需求，将给国内光芯片厂商带来市场拓展机遇。战略价值引关注对镓、锗相关物项实施出口管制是国际通行做法，世界上主要国家普遍对其实施管制。自2008年起，美国先后制定了相关政策文件。欧盟2008年第一次公布关键矿产资源清单之后，每3年进行一次例行更新；欧盟委员会在2023年3月份发布的《欧洲关键原材料法案》，已经将镓和锗列为战略性原料；镓和
证券市场周刊 2023年24期2023-07-17
- 红外LED用GaAs单晶的垂直梯度凝固制备研究
0)0 引 言砷化镓(GaAs)属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，是用途最广泛的第二代化合物半导体材料之一。与元素半导体Ge和Si相比，GaAs具有电子迁移率高、禁带宽度大、电子有效质量小、能带结构特殊等重要特性，是一种性能优异的电子信息功能材料，主要应用于微电子和光电子领域。在微电子领域使用的半绝缘砷化镓，主要通过垂直梯度凝固(vertical gradient freeze， VGF)法、垂直布里奇曼(vertical Bridgman， VB)法和液封直拉(l
人工晶体学报 2023年2期2023-03-14
- GaAs多线切割切片翘曲度的有限元分析
aqus软件对砷化镓晶棒线切过程进行有限元建模分析，在有限元模型中，晶片总厚度偏差为零，即可将未变形前切片面视为基准面，切片面受热变形后的平面视为中心平面。采用切片表面节点变形位移来间接反映切片翘曲度。1 多线切割热分析理论基础研究多线切割过程中的热力学问题主要包括两方面内容：传热问题分析，确定模型的线切温度场；热应力问题，确定模型的应力应变场。结合镀铜钢线锯切割砷化镓晶棒时，温度场直接影响切片热应力应变场，而热应力场对温度场耦合影响几乎可忽略，因此本文对
电子工业专用设备 2022年5期2022-12-30
- 次世代化合物半导体怎么就成了香饽饽？
常多类型，其中砷化镓（GaAs），因为是制造高功率IC（集成电路）的原料，而成为近年来当红的化合物半导体，无论是人脸识别、无人车、5G基站等技术都需要它，可说是下个世代智慧科技最关键的半导体晶圆。化合物半导体属于元素周期表中两个或多个不同族的化学元素，砷化镓属于IIIA族和V族复合半导体材料（电子术语三五族）。与单一元素的硅半导体相比，化合物半导体具有独特的材料特性，例如直接带隙（direct bandgap）、高击穿电压（high break down
电脑报 2022年41期2022-11-03
- 光敏电子皮肤让机器人拥有“火眼金睛”
方法，可以将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性塑料表面，所得设备的性能可与目前市场上最好的传统光电探测器媲美，且能承受数百次弯曲，因此可用作未来机器人的智能电子皮肤，让其“看到”人类视觉范围以外的光。研究人员称，此前他们开发出将硅电路直接打印到柔性塑料表面的方法，创造出了高性能的可弯曲电子产品。砷化镓被用于制造多种高性能电子产品，但主要打印在刚性表面上。在最新研究中，他们改进了现有的滚印系统，使用15 μm宽的导线阵列将砷化镓电子产品打印到柔性表面上，由此
机床与液压 2022年14期2022-11-02
- V波段超宽带功率放大器芯片的设计
：功率放大器;砷化镓;超宽带;微波单片集成电路中图分类号：TN43 文献标识码：A文章编号：2096-4706（2022）04-0069-03Design of V Band Ultra Wideband Power Amplifier ChipXU Wei（The 13th Research Institute of CETC， Shijiazhuang 050051， China）Abstract： A V-band ultra
现代信息科技 2022年4期2022-07-07
- 基于砷化镓光纤技术的变压器绕组热点温度监测
。因此，对基于砷化镓光纤技术的变压器绕组热点温度监测进行分析与研究。考虑到最终测试结果的稳定性与可靠性，本文会在较为真实的环境之下，结合砷化镓光纤技术营造更具稳固性的热点温度检测模式，优化整体的温度控制结构。在原本的监测环节中，增设多目标的监测模块，以精细化的方式获取对应的监测数据和信息，从多个角度实现全面执行处理，为后续的工作提供便利条件的同时，推动热点温度监测技术行业迈入新的发展台阶[5]。1 砷化镓光纤技术下变压器绕组热点温度监测1.1 光纤光栅温度
通信电源技术 2022年2期2022-06-26
- 32%效率三结砷化镓太阳电池设计与在轨应用
201109)砷化镓太阳电池已经广泛应用于空间电源系统，从单结到多结叠层结构发展变化，其效率不断提高，从最初效率为17%[1]的单结砷化镓太阳电池，到效率为22%[2]的双结砷化镓太阳电池，再到当今国际上批产效率达30%的三结砷化镓太阳电池[3]。目前我国批产效率为30%的三结GaInP/GaAs/Ge太阳电池已进入工程化应用阶段[4]，满足了卫星、深空探测以及多功能航天运输系统等对能源的需求。国内外在空间用高效多结砷化镓太阳电池方面，主要技术路线为通过调
电源技术 2022年5期2022-05-26
- 砷化镓单晶线性孪晶长度判断方法研究
17）0 引言砷化镓（GaAs）在光电子和微电子领域应用广泛，是制作通信器件和半导体发光二极管的关键材料。与硅单晶一样，砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量、低损耗方向发展，是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一。砷化镓材料主要分为两类：半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。半绝缘砷化镓材料主要制作MESFET、HEMT和HBT结构的集成电路。主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通信等领域。砷化镓材料是目前生产量最大、应用最广泛
信息记录材料 2022年12期2022-02-15
- 浅析化合物半导体特性及封装工艺控制
化镓、磷化铟、砷化镓，这些材料是第二代半导体、第三代半导体的代表材料，不仅在具有较高的频率，还具有较高的功率，人们将其应用在了很多产业中，如：新能源产业、通信产业等。1 化合物半导体特性（1）砷化镓半导体特性。对于化合物半导体来说，砷化镓不仅是一种至关重要的半导体材料，还是一种可以被应用在多方面的半导体材料。当前，在所有的化合物半导体中，人们对砷化镓的研究最多，所生产的量也最大。从电子迁移率方面来说，砷化镓的电子迁移率较高，比硅的电子迁移率高出五六倍；从光
科学与信息化 2021年3期2021-12-25
- 密度泛函理论计算半导体材料的带隙误差研究
中以半导体材料砷化镓为例，对LDA或GGA法带隙计算值的误差问题进行研究，并在理论上给出出现带隙误差的物理解释。1 LDA或GGA法计算的带隙误差LDA或GGA法可以在花费较少的计算资源的条件下得到材料体系较为准确的多种性质，但是这2种方法的主要缺点是会导致砷化镓、单晶硅等传统半导体的带隙计算值显著偏小。杂化泛函法是在LDA、GGA法的基础上引入Hartree-Fock交换能而得到的一种计算方法，例如Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE)
济南大学学报（自然科学版） 2021年6期2021-11-10
- 衬底增强型轻质高效薄膜砷化镓太阳电池
30000)以砷化镓为主要材料的Ⅲ-Ⅴ族太阳电池，具有较好的光谱匹配度、较高的光电转换效率以及优异的耐温耐辐照性能，被广泛应用于卫星、空间站等航天飞行器的电源系统。然而随着空天飞行器的快速发展，对为其提供能源的太阳电池阵提出了新的要求，要求更高的光电转换效率、更高的质量比功率等。因此，超薄薄膜砷化镓太阳电池已经成为未来重要发展方向[1]。目前，研究人员关注的薄膜砷化镓太阳电池主要是三结砷化镓太阳电池。国外的主要研究单位有Spectrolab、MicroLi
电源技术 2021年5期2021-06-03
- 基于薄膜干涉理论的三阶砷化镓电池散射光谱研究
技术发展，三阶砷化镓电池已将光谱吸收限红移至1 800 nm，基本实现太阳光谱的全吸收，因此目前卫星上主要采用三阶砷化镓电池。由于太阳能帆板体积和表面积通常较大，因此对卫星的光学散射特性影响较大[1]。在NASA的支持下，约翰逊航天中心对300多种空间目标材质的光谱特性进行了测量，建立了较为完备的光谱数据库。俄罗斯国家工程物理研究将太阳能电池阵作为一大类重要空间目标表面材质，开展老化对材质光谱的影响。加拿大Bedard[2]等以Can X-1工程试验小卫星
光谱学与光谱分析 2020年10期2020-11-06
- 砷化镓、硅单晶太阳能电池特性研究实验教学设计
中的不足，以及砷化镓单晶作为太阳能电池材料在能带结构（更适宜的禁带宽度、直接带隙）和光电转化效率上所具有的硅单晶所不具备的优势[1]，将砷化镓单晶太阳能电池引入实验教学，让学生针对砷化镓单晶和硅单晶太阳能电池进行比较研究。通过两种材料能带结构的差异即可很好地解释二者性能差异，易于学生理解和教师教学，从而达到满意的学习效果。1 太阳能电池的基本原理由于电子和空穴的扩散与中合作用，在PN 结内部存在一个由N 区指向P 区的稳定的内建电场。当光连续照射到PN 节
实验技术与管理 2020年2期2020-09-29
- 我国金属镓产业发展态势及应用前景
。金属镓是制备砷化镓、氮化镓单晶半导体材料的主要原料。随着国内外传统射频通信和LED的平稳发展，以及5G基站建设和VCSEL光电芯片等新兴产业的加速发展，将持续增加对砷化镓、氮化镓等核心材料需求，并进一步带动金属镓消费增长，改善金属镓供需平衡，有望推动镓价格平稳回升。金属镓产业现状1.中国金属镓供需态势我国是全球最大的金属镓生产、消费和出口国。2019年，我国原生镓产量356.6吨、同比降低11.7%，消费量262吨、基本持平，出口量预计为91.3吨、同比
中国有色金属 2020年13期2020-07-20
- 划片刀配方对砷化镓晶圆切割崩裂的影响*
450001)砷化镓(GaAs)属Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体材料，因其具有较高的饱和电子速率和电子迁移率，在激光、发光和微波等应用领域显示出优异的性能。但是砷化镓晶圆的脆性高，材料的弹性极限和屈服强度接近，与硅材料晶圆相比，在切割过程中更容易产生芯片崩裂现象，使芯片的晶体内部产生应力损伤，导致产品失效和使用性能降低。国内外学者对硅晶圆切割进行了深入的研究。闫伟文等[1]介绍了划片机的划切原理，并对划切中影响划切质量的关键因素进行了系统分析研究。刘定斌等[2-3]
金刚石与磨料磨具工程 2020年1期2020-03-16
- 光纤通信芯片的工艺研究
发展使得超高速砷化镓集成电路的研究成为必然。用深亚微米工艺实现高速、高性能芯片设计的工艺也已成为国内外研究的热点。文章对各种工艺特点进行研究对比，以便尽可能发挥各种工艺的优点。得到关于具体芯片如何选择合适设计工艺的方案。关键词：互补金属氧化物半导体;砷化镓;芯片工艺;光纤通信目前，采用深亚微米互补金属氧化物半导体（Comple-mentary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）工艺设计超高速集成电路是一个极具挑战性的研究领域，其
无线互联科技 2019年16期2019-12-05
- GaAs在高频功率器件中的应用研究与技术发展
力的一大领域，砷化镓（GaAs）是一种很容易被提起的半导体材料，它与整个半导体产业密切相关，这也是我国产业结构中最为薄弱的环节。砷化镓（GaAs）是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一，广泛应用于光电子和微电子领域。目前全球砷化镓单晶的总年产量已超过 200吨，我国也是继日本、德国之后第三个掌握砷化镓晶体生长技术的国家。关键词：砷化镓（GaAs）;功率器件;5G1 概述GaAs是Ⅲ-Ⅴ族元素的化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空
科学导报·学术 2019年40期2019-10-21
- 汉能+波音打造太阳能无人机
ces)的单结砷化镓电池打破世界纪录，据报道，采用阿尔塔设备公司全球领先的柔性砷化镓薄膜电池，波音公司旗下极光飞行科学公司（Aurora）设计了一架翼展74m的太阳能无人机“奥德修斯”（Odysseus）。“奥德修斯”仅靠太阳提供动力就能有效地无限飞行，拥有当今持久性太阳能航空器中最大的有效载荷能力。测试完成后，该机将在2019年2月下旬运往波多黎各开始飞行测试。据了解，第二架类似的无人机正在建造中，第三架研制工作也开始启动。
无人机 2018年10期2019-01-11
- 高效四结砷化镓太阳电池设计与在轨性能分析
影响因素。三结砷化镓太阳电池是目前空间最常用的太阳电池。自20世纪90年代以来，以GaAs为代表的III-V族化合物半导体太阳电池成为光伏太阳电池领域中最活跃、最富成果的电池种类[1]。得益于金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术的应用，对GaInP宽带隙和InGaAs窄带隙材料体系的深入研究，以及晶格失配外延和反向生长等技术的发展，III-V族化合物半导体太阳电池的转换效率有了很大的提高[2]；以空间应用为目标，采用反向生长多结（inverted met
航天器环境工程 2018年6期2018-12-19
- 中国电池登上国际空间站
子公司阿尔塔的砷化镓薄膜太阳能技术展开为期一年的测试，以评估其未来是否可用于NASA低轨道飞行任务，包括为立方体卫星提供动力。NASA科学家表示，“在测试期间，太阳能电池将暴露在太空环境中，以测试太空环境对它们的影响。测试结果对于探索太阳系所需的小型、高性能航天器的设计具有重要的学术价值。”据介绍，汉能阿尔塔提供的砷化镓电池是面向未来的薄膜太阳能技术。在相同面积下，它产生的效能可以达到普通柔性太阳能电池的2-3倍，是目前全球转换率最高的薄膜太阳能技术。“随
环球时报 2018-12-182018-12-18
- 抛光转速对砷化镓双面抛光片表面平整度的影响
0)0 引 言砷化镓是继硅之后的第二代半导体材料，适用于制作高速、高频、大功率及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，被广泛应用于雷达通讯、精确制导、新一代卫星通信等装备系统。受制造成本因素的驱动，砷化镓晶片尺寸逐渐增大，晶片厚度向超薄化发展，对其面型精度的要求也不断提高。晶片总厚度变化量(TTV)是检验加工水平的一项重要指标，并直接影响后续各项应用产品的最终质量。1 抛光方式的选取CMP是砷化镓晶片加工的主要方式，其基本原理是砷
天津科技 2018年4期2018-05-04
- 航天电源技术地面应用的探索
趋势。1.3 砷化镓与硅材料的比较这两种材料比较如下。(1)光电转化率。由于禁带宽度是材料光谱响应的基本参数,砷化镓比硅禁带宽，使得砷化镓材料的光谱响应特性和空间太阳光谱匹配能力较硅材料优越。低光谱特性硅电池的理论效率为23%，而高光谱特性单结砷化镓电池的理论效率是27%，而多结的砷化镓电池理论效率还可以达到45%以上。(2)耐温性。砷化镓材料的太阳电池高温特性优于硅太阳电池，砷化镓材料的太阳电池在250℃的条件下工作正常，而200℃是硅太阳电池正常运行的
通信电源技术 2018年1期2018-04-10
- VGF法生长n—GaAs基板缺陷及测试方法概述
参考。关键词：砷化镓；缺陷；测试1、砷化镓晶片介绍砷化镓是目前应用较为广泛的一类直接带隙半导体材料，其导带最低点与价带最高点在同一k空间，电子和空穴能够有效地符合二发光。用其制做LED发光二极管，具有耗电量小、寿命长、发热量少、反应速率快、体积小、耐碰撞、适合多种环境等许多优点。2、砷化镓的制备工艺20世纪80年代中后期GaAs体单晶生长技术趋于成熟，1986年Clemans和Gault等人初次报告了利用垂直梯度凝固法（VGF）生长出低位错密度的GaAs单
科学与财富 2018年34期2018-01-15
- 用于高品质光电探测器的砷化镓光场效应晶体管
质光电探测器的砷化镓光场效应晶体管光电探测器已经成为汽车行业的一个重要组成部分。汽车上利用光电传感器实现对汽车前照灯、倒车灯、仪表灯和转向灯等光电系统的控制。光电探测器利用光照引起被照射材料电导率变化的原理，将光信号转换为电信号，实现对汽车相应装置的控制。光电探测器的关键组件为光场效应晶体管，其品质高低直接关系到光电探测器的品质。另外，近些年汽车行业朝着智能化、自动驾驶的方向发展，开始将光电探测器应用到自动导航、自适应巡航中，因而对光电探测器品质的要求进一
汽车文摘 2017年2期2017-12-04
- 太阳电池抗激光辐射效应研究
×40 mm,砷化镓电池30 mm×40 mm电池,这是目前太阳电池阵普遍采用的电池。电池样品如图2和图3所示。图2 硅单体电池图图3 砷化镓单体电池3 实验结果通过调节功率和光斑的大小改变了功率密度，同时也做时间上的调整，经过多次正交实验得出下文的实验结果。砷化镓太阳电池的各个功率点的阈值表，见表1。根据表1可以绘出功率曲线图，如图4和图5所示。表1 砷化镓太阳电池的各个功率点的阈值表图4 砷化镓电池功率损伤曲线图5 砷化镓电池能量损伤曲线硅太阳电池的各
电源技术 2017年7期2017-08-22
- 转换率全球最高！汉能推出四款太阳能概念车
的就是宣扬自家砷化镓薄膜太阳能电池的高效太阳能转换率。汉能集团一次推出四款分别具备鲜明市场定位的太阳能概念车。其中 Hanergy Solar O为都会小型车；Hanergy Solar L 走中大型房车路线；Hanergy Solar A 具备多功能旅行车规格；Hanergy Solar R 则是具备运动化设计的双门跑车。首先在车型设计方面，在结合汉能集团的砷化镓薄膜太阳能电池技术上，像是 Hanergy Solar O在车体部分为了获得最大日照面积，采
人民交通 2016年8期2017-01-05
- 砷化镓材料发展状况概述
300220）砷化镓材料发展状况概述赵巧云（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津，300220）砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。与硅单晶一样，砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。目前，日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平；中科晶电、晶明公司代表着国内的先进水平。未来几年，是国内企业研发6英寸产品，向国际水平冲击的重要时期。砷化镓；半导体发光二极管；衬底材料砷化镓（GaAs）
电子测试 2016年18期2016-10-09
- 关于针对砷化镓芯片装片工序芯片断裂问题的研讨
00）关于针对砷化镓芯片装片工序芯片断裂问题的研讨章婷（江苏长电科技股份有限公司江苏江阴214400）通过对砷化镓芯片装片工序的研究，攻克了芯片断裂的技术难关。本文重点将砷化镓芯片装片工序的关键技术的研究过程进行了详细说明，列举了研究过程中各类数据分析和结论。砷化镓；装片；芯片断裂1 背景介绍砷化镓是一种重要的半导体材料，它的半导体器件具有高频、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，更适合用于高功率的场合。砷化镓芯片主要用于手机射频前端，如功率放大器模快
大科技 2016年30期2016-08-10
- 高性能25～30 GHz 6位单片数控衰减器
.15 μm 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，设计一款高性能25～30 GHz 6位单片数控衰减器芯片。电路采用6个基本衰减单元级联结构，通过控制不同衰减位导通状态组合形成64个衰减状态，给出在衰减电阻上并联的衰减结构。仿真结果表明，所设计的数控衰减器具有0.5 dB的衰减步进和31.5 dB的最大衰减范围；插入损耗小于5.7 dB，回波损耗优于-10 dB；所有状态衰减精度小于+0.5 dB，附加相移小于-6.0°，衰减幅度均方根误差小于0.21 dB
西安邮电大学学报 2016年2期2016-07-06
- 砷化镓光导开关中的电子雪崩域
言研究高增益砷化镓(GaAs)光导开关(Photoconductive Semiconductor Switches，PCSS)的物理机理具有重要的理论意义和实用价值［1－7］.在半绝缘GaAs PCSS 中，载流子本征碰撞电离的电场阈值Eth高达400 kV/cm［8－9］，然而高增益砷化镓光导开关的平均电场E≥10 kV/cm 就能够观察到载流子的雪崩生长现象［6－7］，因此载流子的碰撞电离是需要研究的关键问题.在分析高增益GaAs PCSS 实验观
成都大学学报（自然科学版） 2015年2期2015-08-01
- 砷化镓材料技术发展及需求
20)科技评论砷化镓材料技术发展及需求周春锋，兰天平，孙 强(中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220)介绍了 HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术，分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成，生长温度梯度小、位错小、应力小；其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可见，成晶情况可控，可生长大尺寸、长单晶；其缺点是晶体温度梯度大、位错密度高、应力高、晶体等径控制差。V
天津科技 2015年3期2015-06-27
- VCSEL阵列用半绝缘砷化镓单晶生长工艺研究
L阵列用半绝缘砷化镓单晶生长工艺研究孙 强，兰天平，周春锋(中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220)VCSEL(垂直腔面发射激光器)阵列是一种面发射的化合物半导体有源器件，已广泛应用于激光制导、激光测距等军事电子领域。为了减少发射单元之间的高频串扰，VCSEL阵列必须生长在高电阻率和低位错密度的砷化镓衬底上。通过采用 VGF(垂直梯度冷凝法)生长 7.62,cm砷化镓单晶，并选取合适的温度梯度(4,℃/cm左右)和低位错籽晶，同时掺入一定剂量
天津科技 2015年3期2015-06-27
- 非金属材料放气对砷化镓电池的影响分析
器普遍采用三结砷化镓太阳电池。太阳电池在轨运行期间，会受到紫外辐照、原子氧、碎片、等离子体、温度和污染等多种空间环境及诱导环境的影响[4]。太空中，对砷化镓电池产生污染的污染源主要有：航天器用非金属材料放气[5—6]；姿控发动机的喷射[7]；空间环境的影响[8—10]。其中，非金属材料放气是污染源的重要组成部分。航天器真空热试验中污染监测试验的结果表明，非金属材料放气释放的有机分子主要为邻苯二甲酸酯类和硅氧烷类[11—13]。文中以非金属材料灰皮电缆放气产
装备环境工程 2015年3期2015-05-28
- LED：白光时代的“圣杯”
斯坦首次发现了砷化镓及其他半导体材料的红外放射作用，并在物理上实现了二极管的发光，不过发出的光不是可见光而是红外光。1961年，美国德州仪器公司的科学家布莱德和皮特曼发现，砷化镓在施加电子流时会释放出红外光辐射，从而率先生产出了具有商业用途的红外发光二极管，并获得了砷化镓红外发光二极管的发明专利。此后，红外发光二极管就被广泛应用于传感及光电设备当中，从而为电子工业增添了活力。红外发光二极管作为一种把电能直接转换成红外光能的发光器件，在今天仍然具有极其重要的
百科知识 2014年22期2014-09-10
- 富镓GanAs团簇稳定性及缺陷特性的密度泛函理论研究
3］，其中对于砷化镓团簇的理论研究也有很多.Balasubramaruan等人较早地研究了Ga2As2团簇的结构［4］，Song 等人用分子轨道动力学方法研究了Ga4As4中性团簇的三个具有Td、Ci、D2d对称性的稳定结构［5］，Lou 等用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Ga5As5团簇结构，认为其基态结构为带四帽的三棱柱结构［6］，Vasiliev等在局域密度近似框架下用随时间变化的密度泛函理论研究了Ga4As4和Ga5As5团簇结构的吸收谱［7］
原子与分子物理学报 2014年2期2014-07-13
- Ka波段单片压控振荡器的设计
Ka波段； 砷化镓； 微波单片集成电路； 压控振荡器； pHEMT中图分类号： TN752?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2014）13?0077?04Design of Ka band MMIC VCOLI Peng?liang， MA Wei（ Xian Institute of Space Radio Technology， Xian 710100， China）Abstract： A Ka?band MMIC VCO w
现代电子技术 2014年13期2014-07-09
- 低轨三结砷化镓太阳电池阵遥测数据分析
84)低轨三结砷化镓太阳电池阵遥测数据分析解晓莉，高剑锋，房爱省(中国电子科技集团公司第十八研究所，天津 300384)针对采用三结砷化镓太阳电池阵作为主电源的低轨道卫星进行梳理，介绍了典型平台产品的技术状态。收集、整理了在轨运行时间最长的三结砷化镓太阳电池阵的在轨遥测数据，给出了其在轨温度变化曲线，分析了电性能输出及演化情况，为后续三结砷化镓太阳电池阵的应用提供了数据支持。LEO轨道；三结砷化镓；太阳电池阵；遥测；在轨温度电源系统是航天器的重要组成部分，
电源技术 2014年2期2014-07-05
- 砂轮划片机在砷化镓材料切割中的应用研究
100176)砷化镓是一种重要的半导体材料，用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，是半导体材料中兼具多方面优点的材料。作为第二代半导体，砷化镓单晶价格昂贵，相当于同尺寸硅单晶片的10～30倍，即使价格不菲，目前国际上砷化镓半导体的年销售额在10 亿美元以上。2010年中国宣布已掌握一种生产这种材料的新技术，并在“十二五”计划中，我国将实现该产品的产业化。但砷化镓加工要求高，难度大，对加工设备要求严格，而且国内砷化镓
电子工业专用设备 2014年4期2014-07-04
- 砷化镓光导开关中电流丝的辐射复合系数研究
理、光电子学。砷化镓光导开关中电流丝的辐射复合系数研究郑 理1,刘 鸿2(1.成都工业学院 机电工程系，成都 610031；2.成都学院 电子信息工程学院，成都 610106)应用统计物理方法研究了砷化镓光导开关中电流丝(即流注)的辐射复合系数。通过分析砷化镓光导开关中电流丝一端的自发辐射光谱, 依据简单平均法和归一化条件, 确定了电流丝辐射波长为890nm的辐射复合系数为0.118 2, 与相关实验测量吻合。光电子学；砷化镓光导开关；电流丝；辐射复合系数
成都工业学院学报 2013年2期2013-11-30
- 纳米线油墨有望提升太阳电池转换效率
种新的途径，从砷化镓中提取一种纳米线。砷化镓材料长期被用来制造太阳电池，拥有其他材料（如硅）没有的优点，但是价格高昂。该公司声称，通过将纳米线悬浮在液体中，并用其涂成一个表面，使线头朝上（类似草的叶片），能制造出使用更少的砷化镓而产生同样多电力的太阳电池板。据Sol Voltaics首席执行官大卫·爱泼斯坦介绍，通过涂抹在玻璃等物体的表面，该方法可以制造出全新的太阳电池板。涂抹在现有的太阳电池板上后，同样的表面积可以产生更多的电力，而“覆盖一平方米需要的材
电源技术 2013年5期2013-07-25
- 砷化镓光导开关中流注自发辐射实验的理论分析
611730)砷化镓光导开关中流注自发辐射实验的理论分析刘 鸿1，郑 理2，杨洪军1，杨 维1，郑勇林1(1.成都大学电子信息工程学院，四川成都 610106；2.成都工业学院机电工程系，四川成都 611730)分析了高增益砷化镓光导开关中流注(即电流丝)一端不同辐射波长的自发辐射实验现象，导出了不同辐射波长的辐射复合系数之间的关系，拓展了电流丝的自发辐射随电流丝电流变化的数学模型.计算结果表明，丝电流相同时流注自发辐射的其他峰值强度略小于890 nm自发
成都大学学报（自然科学版） 2012年4期2012-09-18
- 空间用三结砷化镓太阳电池的生产管理
4）空间用三结砷化镓太阳电池采用MOCVD外延设备在厚度为0.175 mm、直径为100 mm的锗衬底上通过正向生长三个子电池的方法制备而成的，GaInP2、GaAs、Ge三个垂直串连的pn结对分别对太阳能进行光电转换。该太阳电池具有光电转换效率高、抗辐照性能好、温度特性好等特点。目前，我所生产的三结砷化镓太阳电池已在XX伴星、XX-6、SINOSAT-5、XX-2等多颗卫星上使用过，并且严格按照详细规范进行一系列的可靠试验，包括高低温冲击试验、焊接牢固度
电源技术 2012年9期2012-06-29
- 砷化镓光导开关中流注辐射实验理论分析
0 引言目前，砷化镓光导开关广泛应用于产生高功率光控电磁脉冲领域，其物理机理对于器件的性能设计和工程应用具有重要意义.高增益砷化镓光导开关的物理机理十分复杂［1－10］，对此，我们研究了锁定效应并取得良好进展，在2007年首次报道了畴电子崩思想［11］，随后完善了畴电子崩概念，建立了畴电子崩理论，阐明了耿效应半导体器件中电流丝(即流注)形成的主要物理过程［8，9，12－15］.对于高增益砷化镓光导开关，在局域的点照明情况下或者照明激光消失后，电流丝的传播依
成都大学学报（自然科学版） 2012年2期2012-01-10
- VB-GaAs单晶中掺Si浓度的控制
而言)。从图1砷化镓迁移率与杂质浓度的关系中看到，当掺杂剂浓度为4×1018/cm3时，砷化镓迁移率的理论值为2000 cm3/V·s。因此，为了保证迁移率的要求，需对掺杂剂Si浓度进行控制。图1 温度在300 K时砷化镓中迁移率与杂质浓度的关系2 VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用Si在砷化镓晶体中主要以两种形式存在，即Si占Ga位成为晶体中的施主杂质和Si占As位形成的受主杂质[2]。图2为Si在砷化镓中的位置示意图。图2 Si在GaAs中的位置在砷
电子工业专用设备 2010年11期2010-03-23