空位
- FeCuMnNi合金体系中溶质-空位团簇的原子尺度研究
移级联损伤,产生空位和自间隙原子等点缺陷及其团簇;形成的点缺陷及其团簇具有很高的移动性,加速了溶质原子的扩散,在温度场、应力场的作用下,经过长时间的演化,在RPV钢中形成析出物、位错环等微观缺陷以及元素的晶界偏聚[1-3]。这会使RPV钢出现辐照硬化和辐照脆化,导致材料韧脆转变温度升高,增加压力容器发生脆性断裂的风险,直接威胁核设施的安全运行[4-5]。研究表明,中子辐照诱发RPV钢脆化的机制可分为两类:主导机制为硬化脆化,即辐照导致材料形成高密度纳米级的
原子能科学技术 2023年10期2023-10-27
- 不同过冷度条件下HCP-Mg 凝固过程中的空位捕获
200444)空位是材料中最至关重要的缺陷, 会严重影响诸如金属蠕变、屈服极限、半导体掺杂、光学器件吸收谱等重要材料属性[1-3]. 空位的形成通常是在材料加工的早期——凝固过程中被捕获进晶体. 这种捕获通常会造成其浓度超过平衡浓度, 称为“捕获效应”. Hillert 等[4]基于固液界面的渐变模型, 构建了一个用于描述纯金属快速凝固过程中空位捕获的经验模型, 并认为空位捕获必须在凝固速度超过1 m/s 的条件下才会发生.空位捕获现象是公认的事实[5]
上海大学学报（自然科学版） 2023年2期2023-06-11
- 用插空位法求解不相邻问题的步骤
题的主要方法是插空位法.运用插空位法解答不相邻问题的步骤为：題目中要求5名儿童不相邻，则需采用插空位法解题，先将无限制条件的元素（5位母亲）进行全排列；再将不相邻的元素（5名儿童）插入已排好的元素（5位母亲）之间的空位及两端的位置上.例2.将A，B，C，D，E， 5名同学按下列要求进行排列，求所有满足条件的排列方法数.（1）5名同学排成一排，且A，B不相邻；（2）5名同学排成一排，且A，B都不与C相邻；（3）若一排有6个座位，将5名同学安排到其中的5个座位
语数外学习·高中版下旬 2023年1期2023-03-23
- 半导体材料中空位的引入、表征及其对光催化的影响
,13-14]、空位工程[15-16]、异质结[17-18]和压电光催化[19-20]等。众所周知，缺陷能够明显改变材料的物化性质[21]。空位作为最常见的点缺陷之一，因其能在不引入杂质元素的条件下优化光催化性能而被广泛研究。Fujiwara等在20世纪90年代研究了硫空位对CdS吸附CO2能力的促进[22]，是第一个直接讨论空位缺陷影响光催化性能的研究。此后，各种元素空位的开发，例如常见的阴离子空位氧[16]、硫[23]、氮[24]和阳离子空位锌[25]
功能材料 2022年11期2022-12-19
- 富锂锰基三元材料Li1.167Ni0.167Co0.167Mn0.5O2中的氧空位形成*
.5O2 中的氧空位形成,讨论了环境温度、压强以及点缺陷的存在对氧空位形成能的影响,还讨论了氧空位对材料容量的影响.结果表明,氧空位的形成能随温度的升高而下降,随氧分压的降低而降低.对于带电氧空位(,空位形成能随着费米能级的升高而增加.研究还表明,氧空位的形成对Li1.167Ni0.167Co0.167 Mn0.5O2 材料中电荷密度分布的影响是相当局域的, 氧空位形成后仅在氧空位附近的Mn 离子周围出现明显的电荷密度的重新分布.此外,计算了氧空位附近存在
物理学报 2022年17期2022-09-14
- Fe-C 合金在辐照条件下基体缺陷演化的OKMC 模拟*
验证了碳(C)-空位(Vac)复合体在理想条件下的演化，在较低温度下，复合体主要为C-Vac2.基于复合体陷阱的假设，对Fe-C 系统中基体缺陷在辐照条件下的演化进行了模拟.验证了碳空位复合体对基体缺陷有明显的捕获作用.模拟Fe-C 系统中基体缺陷在辐照条件下的演化能够得到与实验一致的结果，对比讨论了模拟中使用的有效近似参数对模拟结果的影响，为铁基合金辐照缺陷演化的研究提供了基础支撑.1 引言反应堆中的中子辐照、高温、高压环境使铁基合金产生微观结构改变,韧
物理学报 2022年16期2022-08-28
- 钢液环境对Ti-O团簇形貌影响的分子动力学模拟
由于体系内出现了空位群，导致此处能量较低，从而吸引了Ga＋与N-，诱导了GaN的形核。上述研究均表明溶液中溶剂原子和空位对溶质团簇的形貌结构及长大过程有显著影响。本文采用分子动力学模拟探究钢液中液态Fe原子、空位对Ti-O团簇的形貌及长大过程的影响。1 模拟过程和参数设置利用Lammps软件进行分子动力学模拟计算，选用杨立昆等开发的Fe-Ti-O三元体系势函数进行相关计算，根据该势函数计算得出Fe的熔点为2 051.99 K，模拟冶炼温度为2 122 K，
上海金属 2022年3期2022-06-01
- 空位对Cu/Sn 焊点中Cu3 Sn层元素扩散的影响
Cu 界面上存在空位时各元素的扩散行为,研究发现Cu 晶体中Cu 空位形成能大于Cu3Sn 晶体中Cu 的空位形成能,在任何温度下最有可能的迁移路径是Cu 晶体中的Cu 向Cu3Sn 晶体中的Cu空位迁移,同时相比于无空位模型,界面存在空位时扩散现象更加明显。郭丽婷等[11]研究了电场作用下电场方向和电场强度对Cu3Sn/Cu 界面原子扩散行为的影响,发现在正向电场方向下,提高电场强度,会使得界面处原子的扩散速率差异更加显著,产生的Kirkendall 效
电子元件与材料 2022年4期2022-04-30
- 空位对Hf-Ta-C体系的结构、力学性质及电子性质影响的第一性原理研究
Evgenii空位对Hf-Ta-C体系的结构、力学性质及电子性质影响的第一性原理研究彭军辉1,2, TIKHONOV Evgenii1(1. 西北工业大学 材料学院, 材料发现国际中心, 西安 710072; 2. 太原工业学院 材料工程系, 太原 030008)本研究理论预测了三元Hf-Ta-C空位有序结构以及空位对力学性质的影响。采用第一性原理进化晶体结构预测软件USPEX, 预测得到了5种热力学稳定和3种亚稳的(Hf, Ta)C1–x空位有序结构,
无机材料学报 2022年1期2022-04-12
- 空位缺陷对单层2H-MoTe2光电效应的第一性原理研究
方法研究了1Te空位、2Te空位和Mo空位对单层2H-MoTe2光响应电流的影响，可以指导2H-MoTe2在电子领域和光电器件领域的应用。1 理论模型与计算方法选择稳定性2H相MoTe2作为结构模型的原胞，晶格常数为a=b=0.348 nm，按输运和周期方向扩胞4×3×1并转化为器件。该器件由3部分组成：左电极、右电极和中心区域,如图1所示。其中左、右电极分别为沿Y轴负方向和正方向延伸的半无限长，整个器件在X-Y平面周期性排列。2H-MoTe2的本征(Pu
人工晶体学报 2022年12期2022-02-01
- 空位浓度对纤锌矿CdS电子结构和光学性质影响的第一性原理研究
赝势方法，研究了空位缺陷对闪锌矿结构CdS体系电子结构和光学性质的影响，发现S空位使得能带变窄，而Cd空位使带隙变宽，空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化，使得空位缺陷体系光学性质变化主要集中在低能量区。就目前而言，关于空位浓度对纤锌矿CdS电子结构和光学性质影响的文献较少。基于以上的研究背景和思路，本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，借助于Materials Studio软件包中的CSATEP程序模块，用第一性原理对纤锌矿CdS的本征体
人工晶体学报 2022年12期2022-02-01
- 三元Hf-C-N 体系的空位有序结构及其力学性质和电子性质的第一性原理研究*
-C-N 体系的空位有序结构及其力学性质和电子性质.首先采用第一性原理和进化算法,预测得到8 种可能存在的热力学稳定的Hf-C-N 空位有序结构;这些结构都具有岩盐结构,与实验发现的无序固溶体的结构类型一致.本文的预测结果证明了Hf-C-N 空位化合物能够以有序结构形式存在,空位与C,N 原子都位于[Hf6]八面体间隙,这一结构特点与HfCx 的相同.然后采用第一性原理方法,计算了Hf-C-N 空位有序结构的力学性质,发现除C∶N=1∶4 外,相同C/N
物理学报 2021年21期2021-11-19
- 氧化铝中氧空位形成能的掺杂调制
生定向移动，使氧空位在局部发生聚集并形成可供电子快速迁移的通道，实现电阻的退化.所以，氧空位的形成能大小直接影响电阻转变的难易程度.目前，相关研究主要集中在二元金属氧化物半导体中，如氧化锌、氧化镍、氧化铜等.众所周知，氧化铝是当前硅基半导体制造工艺中最常见的金属氧化物，且与工艺路线完全兼容.但是氧化铝是一种绝缘材料，氧空位的形成能非常高，无法在电场作用下实现可逆的电阻转变.因此，如何使氧化铝也具备阻变功能层的特性，是一个值得研究的课题.本文借助第一性原理，
湖南工程学院学报（自然科学版） 2021年3期2021-09-25
- 关于“○”的争论及辞书收录建议
○ 汉字 图符 空位 编号一、 问题的提出据舒宝璋（1991）回忆，二十世纪六十年代，基于实际使用情况，他建议将“○”作为汉字收入《现代汉语词典》。这一观点引起了学者们的争论， 本文对“○”是否应被辞书收录引起的相关讨论进行梳理，并考察不同辞书在不同时代的处理方式，结合国家出版标准的相关规定和语料库中的使用情况，对不同目的编写的辞书应如何处理“○”提出建议。二、 关于“○”收录辞书的主要争议关于辞书收录“○”的讨论主要围绕着两个问题进行：一是“○”是否为汉
辞书研究 2021年5期2021-09-24
- S空位调节扶手型二硫化钼纳米带的电子性质
不可避免，其中S空位最为典型.潘等人发现，对有空位的ZMoS2NRs边缘进行修饰时，能够使其从金属性质变为半金属性质[12].所谓半金属材料是指在一个自旋通道上表现出金属特性，在另一个自旋通道中表现出绝缘体性质.半金属材料被认为是未来纳米器件中提供100%自旋极化电流的理想自旋电子材料[13-17].事实上，AMoS2NRs中的原子空位缺陷很容易得到，甚至可以通过实验实现其浓度来控制[18-20].然而，关于空位对其电子性质的影响的报道极少，这里，我们采用
原子与分子物理学报 2021年3期2021-08-16
- 金属掺杂改善HfO2阻变存储器(RRAM)氧空位导电细丝性能
电细丝(成分为氧空位或金属离子)的形成与断裂，实现RRAM高、低阻态转变[7-10]。KALANTARIAN等[11]认为导电细丝形状、半径都会影响RRAM的Set-Reset电压、数据保持特性和耐擦写性。因此，理解阻变过程中可逆转变的物理机理是优化器件性能、促进技术发展的有效途径。KWON等[12]通过高分辨率透射电子显微镜发现在 Pt/TiO2/Pt器件中存在氧空位纳米导电细丝；沉淀工艺制作ZnO薄膜层时在(0001)面上产生氧空位，在高电场的作用下，
材料科学与工程学报 2021年3期2021-07-28
- 钨中空位及其团簇的能量学和动力学性质参数
中引入大量缺陷。空位及其团簇便是其中1种主要缺陷，它们影响并决定着W中微观组织结构和氢同位素滞留性质，最终影响和改变材料的力、热性能[3]。空位及其团簇的能量学和动力学行为已被广泛研究[4-54]。尽管如此，空位及其团簇的能量学和动力学基本性质参数仍不完整且存在一些争议[4-54]。本文将对文献中现有的空位及其团簇的能量学和动力学性质参数进行总结，并采用第一性原理(FP)方法计算获得更加完整和精确的基本性质参数，并探讨文献中相关争议的可能原因。1 计算方法
原子能科学技术 2021年1期2021-01-21
- 钨/铜界面处氢原子与空位相互作用的第一性原理计算
2.2 界面处的空位在强中子辐照下，材料内部将产生大量的缺陷，缺陷的演化会影响材料的力学性能，最终导致部件材料失效。因此，研究钨/铜界面中缺陷的存在有助于在原子尺度上理解材料的力学性能变化。通过在钨/铜界面中引入不同位置的空位和间隙发现，由于钨原子和铜原子的原子半径较大，两者的间隙均很难稳定地存在于界面中。因此，以下的研究中仅考虑空位，而不考虑间隙。根据图1中钨/铜界面模型，本文将界面模型中不同层数中的单个晶格原子移去，以获得不同层数下的单空位模型。1)
原子能科学技术 2021年1期2021-01-21
- 铋基氧空位光催化剂应用研究进展
能带结构、晶面和空位易于调控等特点，广泛受到光催化领域的关注。Bi基光催化剂其Bi6s和O2p轨道部分重叠，使得带隙减小，吸光带边红移；Bi基光催化剂独特的层状结构能够加速载流子到达表面，以上优势使Bi基光催化剂在光催化中成为研究的热点[1]。然而，受吸光范围、光量子效率(包括载流子的分离与传输问题)以及到达催化剂表面的电子(e-)与空穴(h+)参与反应等因素限制，Bi基光催化剂催化效果还不理想[2]。为解决这些问题进行了多种改性研究，如形成氧空位(OVs
河北环境工程学院学报 2020年6期2020-12-19
- 稀土铈基催化材料氧空位的表征方法综述
000）引 言氧空位（Ov）是金属氧化物缺陷的一种，它们是金属氧化物在特定外界环境下（如高温、还原处理等）造成的晶格中氧的脱离，导致氧缺失形成氧空位。氧空位的概念最早是在1960年被提出来的，当时也称为“Wadsley defect”，研究者们发现金属氧化物并非大家所认为的理想完整晶体结构，而是存在一定的氧离子缺陷位点[1]。这种缺陷的存在使得金属氧化物在催化一些反应中有至关重要的作用[2-3]。直到2000 年，人们才通过扫描隧道显微镜（STM）的表征手
化工学报 2020年8期2020-08-19
- 大直径直拉单晶硅片退火前后工艺的研究
缺陷;残余应力;空位;空穴;缺陷引言大直径的直拉单晶硅高温退火，在国外，一般采取的方式是在拉直单晶硅后不出单晶炉，直接进行高温退火，这就是所谓的炉内高温退火的直拉大直径单晶硅;而在国内，对待大直径的直拉单晶硅采取的方式均以单晶硅片的形式来进行高温退火。一般直径超过300mm，厚度超过50mm的直拉单晶硅片对高温退火要求是相当严格的，在高温退火过程中极容易出现炸裂的现象，同时也会有显示不出来真实的电阻率值的现象。本文只针对大直径直拉单晶硅片，在高温退火过程中
科学导报·学术 2020年70期2020-06-21
- 空位缺陷掺杂单层MoTe2的研究
2样品中存在多种空位缺陷，这些空位对MoTe2材料的稳定性起着重要作用[16-18].空位的出现也有可能对材料电子和光学性质产生显著影响[19-20].然而，对空位掺杂的单层MoTe2，特别是1T′MoTe2还缺乏系统的研究.因此，本文拟对空位缺陷掺杂单层1H和1T′MoTe2进行研究.1 计算方法本文采用基于密度泛函理论的计算软件包Atomistix Tool Kit(ATK)完成结构优化以及电子结构计算.采用的赝势为Hartwigsen、Goedeck
湖南工程学院学报（自然科学版） 2020年1期2020-03-26
- 氧空位对ZnO基(110)二维膜材料电子结构的影响研究
陷，如Zn和O的空位缺陷，Zn和O的位置互换，以及Zn和O的间隙缺陷等，然而在低维氧化锌材料尤其是二维膜材料方面的报道相对较少，对其高原子密度晶面的电子学性质方面未见报道，在氧空位缺陷对低维材料电子结构影响方面也未见报道. 本文在密度泛函理论计算分析方法的基础上，系统研究了本征氧化锌(110)二维膜材料的电子结构性质，并研究了氧空位对氧化锌(110)二维膜材料电子结构性质的影响.2 计算模型与过程纤锌矿ZnO块体材料呈六角对称，空间群为P63mc，晶格参数
原子与分子物理学报 2019年6期2019-12-06
- Ce掺杂与O空位对锐钛矿相TiO2磁学和光学性能影响的第一性原理研究
的体系中产生了O空位，然而由于实验上较难对O空位的位置和浓度进行准确把控，因此O空位对该结构性质的影响是实验研究无法论述的；此外，根据作者先前的一系列研究可知，虽然单纯的Ce掺杂锐钛矿TiO2体系没有磁性[11]，但O空位的形成却能够引起电子自旋极化[14]。而当体系具有磁性时，其自旋能级的分裂必然改变带隙宽度[11]，进而对光学性质产生影响。因此研究含有O空位的Ce掺杂TiO2的磁学性质对提高其光催化活性是十分必要的。基于以上原因，本文在与文献[10]相
人工晶体学报 2019年8期2019-09-18
- δ-Pu空位缺陷的密度泛函理论计算
存在自间隙原子和空位两种本征缺陷，其中空位易与材料辐照老化产生的He结合形成团簇，进而发展成为氦泡，对材料的结构和性能造成显著影响[2,3]. 当前对于Pu中缺陷的研究主要集中于氦点缺陷和氦泡的形成机理以及对基体物性的影响[4-6]，对空位的影响及其机理研究还比较少见.自1941年发现以来，钚及其化合物的性质研究就受到广泛重视. 然而，由于Pu的放射性、毒性以及复杂的物理性质和化学性质，精密的实验研究面临很大困难. 尽管目前在Pu的宏观性质研究方面已经取得
原子与分子物理学报 2019年5期2019-04-28
- 一个空位
然我并不可能找到空位的。站在人群中真的挺累的，我看着那些一手抓着扶手，一手刷着手机的人身体随着车摇晃，小腿的肌肉也明显地看出在微微地发颤以保持平衡，站着那该是有多累啊！一个站点到了，原来人挤人的公交车，仿佛突然被放空了，一大批人潮挤着下了车，原本拥挤的车上变得空旷了许多，瞬间多了几个空位，我正踏步准备抢占一个座位，视线瞄了一眼周围——身旁并没有任何人有丝毫的动静，没有人像我一样准备找个空位坐下。站着人，依旧站着。为了不变得那么突兀，我也不好意思坐那个空位子
浙江国土资源 2019年9期2019-01-28
- 氧空位依赖的氯氧化铋光催化反应
)在BiOCl氧空位上的吸附、活化和光催化反应随着现代材料表征技术与理论模拟计算的协同发展，人们逐渐认识到对于实际的催化剂，其表面少量缺陷相比于其体相结构和化学组成起着更重要的作用1。鉴于此，深刻地理解表面氧空位与光催化中动力学、热力学以及反应路径之间的关系非常重要。其中氧空位是最常见并且研究最多的一种阴离子缺陷2。最近，华中师范大学化学学院张礼知教授研究团队结合氧空位依赖的光催化表面化学的研究现状及其团队在该领域的最新研究进展，在Angewandte C
物理化学学报 2018年12期2018-12-20
- 原子模拟金属锆中点缺陷行为
量的点缺陷,包括空位和自间隙。这些点缺陷随后扩散,并可被系统的不同阱捕获,或者聚集形成更大的缺陷,例如位错环和空位团[1]。空位团也可以出现在淬火锆合金中。过去已经进行了大量的实验研究来确定HCP-Zr及其合金中这些缺陷团簇的结构。第一个辐射生长模型是在1962年提出的,之后相继又提出了很多模型。然而,能够预测纯Zr的单晶变形的机械模型尚不清楚,因此还是依赖唯象的方法[2]。对诸如锆合金等各向异性材料的基本蠕变机制的理解还不够强,不能真正预测。实验[3-8
沈阳师范大学学报(自然科学版) 2018年4期2018-12-19
- 氧空位缺陷对PbTiO3铁电薄膜漏电流的调控∗
最显著的就是以氧空位缺陷为代表的薄膜晶格缺陷.而在铁电薄膜中氧空位缺陷将直接影响铁电材料的局域极化强度和方向,进而改善漏电流.Jia和Urban[13]利用透射电子显微镜观察到钛酸钡(BaTiO3)薄膜中存在32%的氧空位缺陷.通过掺杂改变薄膜晶粒大小和形貌来有效地抑制氧空位,进而提高漏电流特性,为不显著增大薄膜厚度而改善漏电流性能提供了思路.基于此,本文重点探究杂质元素和氧缺陷空位对漏电流的耦合调控,即研究Cu,Fe,Al和V四种金属阳离子掺杂对PbTi
物理学报 2018年18期2018-10-26
- 氧空位缺陷对光催化活性的影响及其机制
对 TiO2中氧空位对其可见光催化降解去除 NO气体的影响进行了研究，但该研究并没有引起足够的重视．直到2011年，陈晓波等[2]利用在氢气气氛中高温煅烧纳米TiO2粉末，在其表面引入氧空位及大量无序结构等，使其强烈地吸收可见光，进而极大地提高了可见光催化产氢效率．由此，引入并调控氧空位成为改善光催化材料活性的重要手段且备受瞩目，因而成为研究的热点之一．氧空位不仅存在于氧化物中，而且存在于所有含氧化合物中．尽管其具有众多优点，如：化学稳定性高、储量丰富、价
天津科技大学学报 2018年5期2018-10-23
- 缺陷对单壁碳纳米管电子结构调制的第一性原理计算
拓扑缺陷, 如单空位(碳管中失去一个碳原子)、双空位(碳管中失去两个相邻的原子)和Stone-Wales缺陷等[6-9]. 碳管中的拓扑缺陷也可通过实验引入, 用化学处理或离子碰撞可在碳管中引入空位. Krasheninnikov等[10]的分子动力学模拟结果表明, 使用Ar离子轰击碳纳米管, 主要产生单空位和双空位, 当用120 eV的Ar离子垂直管轴轰击时, 其中30%～40%的碰撞产生双空位. 这种碳原子缺失会导致碳纳米管的电子结构发生特定改变, 从
吉林大学学报（理学版） 2018年4期2018-07-19
- 浅谈数字口译技巧
，简而言之就是“空位”和“落位”。【关键词】数字口译；口译质量；空位；落位【作者简介】尹子津，福州大学外国语学院。众所周知，数字口译是评估口译质量的一个重点，因为其关系着口译的准确性，也关系着对译员口译能力及其口译可信度的评估。而数字口译也一直是口译的难点。北大的方生平先生认为，数字信息所携带的信息量要比一般语义信息所携带的信息量大出约20倍。而且，数字口译的高信息量和低预测性都将对译员造成心理过载，最终影响口译的流畅度和准确性。为提高数字口译的效率，笔者
校园英语·下旬 2018年1期2018-05-15
- Sm3+,Sr2+共掺杂对CeO2基电解质性能影响的密度泛函理论+U计算∗
激发产生的少量氧空位以及低氧分压下Ce4+到Ce3+的转变,是一种拥有极低的氧离子电导率和电子电导率的混合导体材料.而高性能的IT-SOFC电解质材料则要求材料具有较高的氧离子电导率以提高氧离子的传输性能以及越低越好的电子电导率以降低电解质的内短路电流.为了提高CeO2基材料的氧离子电导率,人们通常会在CeO2中掺入某种二价或者三价元素,通过电荷平衡来产生氧空位.近年来,关于CeO2的实验和理论研究有很多[9−19],人们发现在单掺杂体系中,掺杂离子的价态
物理学报 2018年8期2018-05-08
- 租 船
知道怎样租船没有空位吗？我是这样解的。全租小船，就是求36里面有几个4，算式为36÷4，“四九三十六”，36÷4=9（条），也就是租9条小船没有空位。我是这样解的。全租大船，就是求36里面有几个6，算式为36÷6，“六六三十六”，36÷6=6（条），因此租 6条大船没有空位。我是这样解的。先租6条小船，6条小船可以坐4×6=24（人），这样还有36－24=12（人）需要租大船，需要租大船12÷6=2（条），因此要想没有空位，可以租6条小船和2条大船。我是这
数学小灵通(1-2年级) 2018年4期2018-05-07
- 原子模拟钛中微孔洞的结构及其失效行为∗
−18],可能使空位型点缺陷在裂纹萌生扩展中扮演比其他材料更重要的角色.因此有必要对空位及其团簇的结构稳定性以及对裂纹形核的影响进行细致研究.本文采用激发弛豫算法结合第一原理及原子间作用势,考察钛中不同尺寸空位团簇的稳定和亚稳构型;采用分子动力学模拟,系统研究拉应力作用下不同尺寸的稳定空位团簇对微裂纹形核的影响,以期为理解钛合金复杂的疲劳断裂机理提供参考.2 方 法原子模拟采用嵌入原子法作用势(EAM),该势可较好地描述六角金属钛的点缺陷能、面缺陷能和弹性
物理学报 2018年5期2018-03-27
- SrFe0.5Nb0.5O3双钙钛矿Sr空位最大值研究*
有待研究，比如，空位在材料中不可避免，在钙钛矿材料中也不例外，空位是否存在最大值的问题．1 空位在SrFe0.5Nb0.5O3钙钛矿材料中潜在作用用来描述热力学点缺陷含量如下(1)其中，n表示空位数量，N表示格点总数，ΔSV表示空位形成熵，ΔEV表示空位形成能，k表示玻尔兹曼常数，T表示温度．根据热力学定律，温度不可能达到0 K，只能无限接近，所以热力学缺陷C一定是大于等于零的数值．空位的存在在很大程度上对电荷分布、磁性能、电性能等有较大的影响，主要体现在
物理通报 2018年9期2018-03-05
- 氧空位迁移造成的氧化物介质层时变击穿的蒙特卡罗模拟
100081)氧空位迁移造成的氧化物介质层时变击穿的蒙特卡罗模拟栗苹 许玉堂†(北京理工大学机电学院,北京 100081)(2017年5月19日收到;2017年7月3日收到修改稿)氧空位,蒙特卡罗,氧化物介质,模拟1 引 言半导体产业是近几十年信息技术革命的基础,其核心技术是互补金属氧化物半导体晶体管组成的集成电路.根据摩尔定律,金属氧化物半导体(MOS)晶体管尺寸不断缩小,将在10年内逼近其物理极限.其中栅介质厚度的按比例缩小是其中最先达到物理极限的部分
物理学报 2017年21期2017-11-10
- A l掺杂和空位对ZnO磁性影响的第一性原理研究∗
稿)A l掺杂和空位对ZnO磁性影响的第一性原理研究∗侯清玉1)3)†李勇1) 赵春旺1)2)1)(内蒙古工业大学理学院,呼和浩特 010051)2)(上海海事大学文理学院,上海 201306)3)(内蒙古自治区薄膜与涂层重点实验室,呼和浩特 010051)(2016年11月11日收到;2016年12月6日收到修改稿)A l掺杂和Zn空位在ZnO中或A l掺杂和O空位在ZnO中的磁性来源和机理的认识频有争议.为了解决本问题,本文采用基于自旋密度泛函理论框架
物理学报 2017年6期2017-08-03
- 空位缺陷对β-AgVO3电子结构和光吸收性能的影响∗
晶体中存在的Ag空位和O空位引起的.Zhao等[5]通过在室温条件下用NaBH4还原β-AgVO3,发现可以把β-AgVO3中的Ag离子还原成Ag纳米颗粒并吸附在β-AgVO3表面,形成Ag/AgVO3纳米带,与β-AgVO3相比具有更强的光催化活性.解释其原因一是Ag纳米颗粒的存在引起等离子体表面共振,有效抑制了晶体中光生电子-空穴对的复合,提升光生电子-空穴对的迁移率,从而使Ag/AgVO3光催化活性提高;原因二是Ag/AgVO3的带隙值(1.51 e
物理学报 2017年15期2017-04-26
- Cr2AlC中空位相关属性及电子结构的第一性原理研究
Cr2AlC中空位相关属性及电子结构的第一性原理研究彭飞(上海电子信息职业技术学院电子工程系,上海201411)通过第一性原理研究了Cr2AlC中空位对其结构和电子性质的影响.在Cr2AlC中，Cr,Al和C空位形成能分别为1.15eV(Cr-poor)、-1.93eV(Cr-rich)，2.02eV(Al-poor)、-4.38eV(Al-rich)和 1.14eV(C-rich)、-3.05eV(C-poor). 计算结果表明,Al空位的形成能相对较
西北师范大学学报（自然科学版） 2016年4期2016-09-01
- 空位缺陷对CrSi2光电性能的影响
561000)空位缺陷对CrSi2光电性能的影响于立军1,张春红2,张忠政2,邓永荣2,闫万珺2(1.长春师范大学 物理学院,长春 130032；2.安顺学院 航空电子电气与信息网络工程中心,贵州 安顺 561000)采用第一性原理方法,计算含空位缺陷CrSi2的电子结构和光学性质,并分析含Cr和Si空位缺陷的CrSi2光电性能.结果表明：Cr和Si空位均使CrSi2的晶格常数和体积变小；能带结构密集而平缓,且整体向上移动,Si空位缺陷形成带隙宽度为0.
吉林大学学报（理学版） 2015年3期2015-08-16
- LiF中空位形成能的第一性原理计算
039)LiF中空位形成能的第一性原理计算何 旭1, 杜 泉2(1．成都纺织高等专科学校基础教学部， 成都 611731; 2．西华大学物理与化学学院， 成都 610039)采用平面波展开和基于密度泛函理论框架下的第一性原理赝势法, 计算了102 GPa下LiF化合物中Li空位和F空位的形成能及空间周围的原子弛豫, 讨论了空位形成时电荷密度的重新分布, 相应的电子态密度以及能带结构等性质. 结果表明: LiF晶体中F空位的形成能比大于Li空位的形成能; F
原子与分子物理学报 2015年5期2015-03-23
- 面向等离子体钨材料中氢氦气泡形成研究获进展
，科研人员计算了空位-氢复合体浓度随温度的变化关系，该结果表明在iter的服役温度(1 000 K)附近，空位-氢的复合体大量存在，相比之下空位-氦则更加稳定。研究还表明，氢和氦在空位中的聚集促进了空位与空位之间的结合。因此，氢和氦气泡可以通过以下两种方式成核和生长：(1)空位捕获氦原子，当氦原子浓度达到阈值时，空位周围发射一个自间隙原子，长大的空位再捕获氦原子再发射自间隙原子直到氦气泡的形成。(2)氢和氦原子在空位中的占据，促进了空位的聚集从而形成空位团
中国有色冶金 2015年1期2015-01-27
- 空位
图/文/黛西空位图/文/黛西Eternal Mind Vacancy假如，今天再见，估计我们已认不出彼此。或许，那段童年的记忆，只有我还刻骨铭心，而她早都忘了；或许，这个人从来都没存在过，只有我童年的幻想。但，悲伤是真真切切地存在过的。在我心里，有一个位置，一直空着……某天下午，在公交车上。我看见你正和一个男孩拉着手，此时你也看见了我，但我们连笑都没来得及，就把目光移到了窗外。送给美好的过去送给美好的过去在我旁边就有一个空位，你却始终没坐，就这样一站接着一
读者欣赏 2014年6期2014-07-03
- 稀土元素对Ni-Cr-Al合金高温氧化影响机理的研究
b) 稀土La与空位共存的镍合金超原胞图2(a)Al2O3晶胞图2(b)O2分子原胞Ni-Cr-Al合金在高温氧化的条件下，加入稀土元素对其降低氧化速率、增强氧化薄膜的结合力、提高氧化薄膜的粘附性等方面起到积极的促进作用.氧化膜生长的快慢取决于氧化膜中离子的扩散速度，而离子扩散速度与离子空位浓度有直接的关系.对于稀土改善氧化膜的粘附性机理，几种具有代表性的机理解释的模型为:(1)稀土氧化物的“钉扎”作用.(2)稀土阻止氧化膜与基体间形成孔洞.(3)减缓氧化
吉林化工学院学报 2014年11期2014-03-01
- D-D中子辐照单晶TiO2的损伤特性
通过弹性碰撞诱发空位缺陷损失能量，再用对原子尺度缺陷极其敏感的正电子湮没技术(PAT)研究D-D中子在单晶TiO2内部引发的缺陷类型和缺陷浓度，给出中子在样品中的作用机制。1 材料和方法TiO2(001)单晶购于德国 MaTecK-Material-Technologie & Kristalle GmbH，生长方法为水热法，晶体尺寸10 mm×10 mm×0.5 mm，单面抛光。辐照在兰州大学ZF-300-II型强流中子发生器上完成，中子源为 D-D反应，
核技术 2012年2期2012-10-16
- 铁铝金属间化合物中的原子缺陷
金有序无序性能、空位硬化性能和阻尼性能的影响.铁铝金属间化合物;原子缺陷;影响Abstract:The formation and characteristics of atomic defects in Fe-Al intermetallic compounds and their influences on order-disorder，vacancy-hardening and damping behaviors are discussed in t
苏州市职业大学学报 2012年2期2012-09-14
- 含单空位的(10,10)碳纳米管的振动性质和拉曼谱
SW)[7]、单空位(monovacancy，MV)[8]、 双空位(divacancy, DV)[9]以及这些缺陷的衍生结构[10].当这些缺陷存在时，即使其浓度很小，也会极大地影响碳管的物理和化学性质[11].因此，深入了解缺陷存在时对碳管性质的影响，具有十分重要的意义.到目前为止，人们对于包含缺陷的碳管的研究，主要集中在缺陷对碳管的结构和电学性质的影响上，着重讨论缺陷对碳管中电子输运性质的改变，这些研究为碳管在量子线和场效应管等方面的潜在应用提供了理
郑州大学学报（理学版） 2012年2期2012-05-15
- ·经典诗歌欣赏·
我的身边总有 空位当某天闻到一缕芳馨垂下眼帘 喃喃低语突然一种预感使我惊恐不安睁开 躯体原来依然 空位于是我也走了留下一个 空位——朱凌波 《空 位》现代人有着本质的孤独，灰色的生活状态又加重了这种孤独，所以即便朋辈满座，他们仍会感到内在的不可抗拒的凄凉。《空位》传递的正是第三代诗人们过分重视主体内心世界所产生的普泛痛苦体验。诗人感到“身边总有《空位》”渴望会有人来，当“闻到一缕芳馨”时，他暗垂眼帘希望它会被填补满；可睁开“躯体”一看，空位依然，原来只是一
名作欣赏 2010年3期2010-08-15
- 含空位和杂质缺陷的闪锌矿电子结构的第一性原理计算
∶1，这主要是由空位缺陷造成的；二是铁和镉杂质，即闪锌矿晶格中含铁或者镉杂质。天然闪锌矿常含有铁杂质，其含量(质量分数)从0.4%到22%不等，含铁超过6.0%的闪锌矿称为铁闪锌矿[13]。铁杂质对闪锌矿的半导体性质影响较大，含铁闪锌矿是n型半导体，铁含量越高，其导电性越强[14−15]，铁杂质使闪锌矿不利于或者难于浮选。闪锌矿中也常含有镉杂质，当含镉量达到 5%时，称为镉闪锌矿，镉杂质能够提高闪锌矿的可浮性。本研究根据矿物晶体学和半导体缺陷理论构建含有硫
中国有色金属学报 2010年4期2010-01-04
- 住宅小区智能化总体设计质量的研究
。关键词：越位；空位；价值工程；限额同绿色住宅、生态住宅、节能住宅一样，住宅智能化正逐步得到市场的广泛认同。但是，当前智能住宅往往出现这样的情况：一方面业主投入不少，住户使用率却不高；另一方面物管努力不少，住房投诉率却不低。究其原因，笔者认为往往与智能化系统设计相对簿弱有直接关系。资料显示：由于设计造成的工程质量问题大约占40%，对投资的影响程度为70%。因此，笔者认为总体设计单位应首先从以下三个方面着手加强设计质量控制。1 摆正位置，明确职责，正确处理与
中国新技术新产品 2009年18期2009-09-03