非平衡磁子体系实现零反射态的拓扑编织

复旦大学物理系安正华研究团队在非平衡物理体系的谱拓扑研究中取得重要进展。相关成果发表于《自然.物理》（Nature Physics）。研究团队提出了一种等效哈密顿量，即散射哈密顿量，区别于散射极点的共振哈密顿量，散射哈密顿量的本征值对应于其他散射奇异点，如零反射、零透射等。将散射哈密顿量应用于具有代表性的单端口微波散射系统，其本征值描述的是系统的无反射态。通过调谐从源处注入系统的“辐射增益”与损耗的平衡，不仅实现了在相干操控下磁子系统的能态拓扑编织，为非平衡物理体系的能带及物态调控提供了重要的指导意义，同时还为非厄米调控的磁子器件等提供了新的思路。