更正: 基于55 nm DICE 结构的单粒子翻转效应模拟研究[物理学报 2024,73(6): 066103]

张幸 刘玉林 李刚 燕少安 肖永光 唐明华

《物理学报》2024 年第73 卷第6 期第066103 页《基于 55 nm DICE 结构的单粒子翻转效应模拟研究》一文中,因作者的疏忽导致图文标注错误,特此更正,并诚挚地向读者致歉.图7(b)图例内容更正如下:

图7 不同LET 值入射时DA 节点电位变化图 (a) 轰击DN3 晶体管时DA 节点的电位变化图;(b) 轰击DP4 晶体管时DA 节点的电位变化图Fig.7.Voltage variation diagram of DA node when particle incidents by different LET value: (a) Voltage variation diagram of DA node when bombarding DN3 transistor;(b) voltage variation diagram of DA node when bombarding DP4 transistor.

1) LET 值为10 MeV·cm2/mg 时,DA 节点瞬态脉冲宽度为0.22 ns;

2) LET 值为15 MeV·cm2/mg 时,DA 节点瞬态脉冲宽度为0.30 ns;

3) LET 值为20 MeV·cm2/mg 时,DA 节点瞬态脉冲宽度为0.38 ns.

更正后的图7 如下所示.