肖苗苗,任翔,马帅帅,李静,高鹏鹏,邓嘉辉
(航天科工防御技术研究试验中心,北京 100854)
国外对于微波器件测试技术研究较早,在微波S参数全温测试技术方面,Rumiantsev A等人提出应该在不同的温度下分别研制且定义校准件,以此来提高在片S参数高低温测试系统的准确度。美国Cascade公司认可上述观点,并发明了一个主卡盘和两个辅助卡盘回,在校准的过程中,将DUT放在主卡盘上,校准件放在辅助卡盘上。当主卡盘的温度发生变化时(-55~125)℃,辅助卡盘的温度变化较小(-5~55)℃,这样便可消除温度对校准件的影响,近似地解决了上述问题,但是此设备价格昂贵,不易推广。
国内微波器件生产厂家开展的微波高低温测试,均采用先常温状态下校准,后施加高低温环境的方式,测试准确性和可靠性难以保证。因此开展微波器件S参数全温在线测试、校准技术研究十分必要。
要实现微波器件箱内校准和测试,需要设计一套微波器件程控测试及校准程序,通过LabVIEW编程环境实现温箱、矢量网络分析仪、电源等硬件设备的程控,同时通过数字板卡控制微波开关实现校准和测试通道切换。
网络分析仪系统中可能存在的测量误差可以分漂移误差、随机误差和系统误差三大类[1-3]。系统误差是网络分析仪系统中最大的误差源,我们可通过S参数测试前的校准步骤去除。因此,校准方法的选用在整个S参数测试中起着非常重要的作用[4]。本项目的校准方法采用TRL(直通-反射-线路)校准方式,在常规测试过程中测试适配器往往需要进行同轴与微带线的转换,相比SOLT(短路-开路-负载-直通)的校准方式,TRL校准更加精确,成本也更低。本项目以双端口微波器件为研究对象,分别选取两款声表滤波器、一款数控衰减器两类共三个型号典型微波器件作为样片开展研究。
本项目基于LabVIEW编程环境,集成矢量网络分析仪、电源、温箱等硬件设备。通过编写测试软件,实现温箱温度的在线调节和控制,利用数字板卡控制微波开关实现校准和测试通道的切换,通过控制矢量网络分析仪实现S参数的测试、校准及数据存储,测试原理图见图1。
图1 微波器件S参数高低温测试系统原理图
以双端口微波器件为研究对象,设计一套S参数高低温校准兼测试装置,采用多线TRL校准方法实现微波器件S参数高低温环境下的在线校准和测试,详见图2。测试装置的设计满足测试精度的同时兼顾通用性,通过替换专用测试插座可实现多种类微波器件的高低温测试。
图2 S参数高低温校准兼测试装置原理框图
对于微波器件在常温测试时的校准工作,可通过一系列的手动切换不同校准模块即可完成,但在高低温环境下无法实现手动切换,强制的手动操作对测试结果具有较大的影响。
解决措施:将THRU、SHORT、LINES、LOAD四种校准件与测试模块集成到测试夹具上,夹具的射频输入和输出端分别连接两个单刀六掷开关。实际测试过程中,首先将测试断面校准到开关的测量端面,再将测试夹具置于温度试验箱中,两个单刀六掷开关置于温箱外,连接网络分析仪、开关、测试夹具组成测试系统,通过开关进行切换,实现高低温环境下的一系列校准操作。
程序主体基于LabVIEW标准状态机构成,将整套测试流程分为多个状态进行状态切换,分别进行矢量网络分析仪设置、电源设置、温箱设置、数据采集以及测试完成后仪器的关闭操作。基于仪器驱动所提供的相关功能,进行测试参数的设定,以实现矢量网络分析仪的测试程序设置。在进行校准程序设置时,拟通过数字板卡建立数字输出任务,实现TTL电平输出,控制微波开关完成通道切换以实现校准操作。电源控制同样基于仪器驱动,以达到电源通道、输出电压、输出电流等控制。数据采集功能基于SCPI指令实现完成目标频率范围内一条或多条Trace中最大值与最小值的数值获取,并结合报表生成工具包实现数据获取。主程序控制界面及程序框图见图3、图4。
图3 主程序控制界面
图4 程序框图
本项目在进行TRL校准件设计时,采用Rogers板材,工作频率范围从10 MHz~18 GHz,满足6 GHz的指标要求。因频率跨度大于8,故采用2条延迟线。利用安捷伦的TRL计算器软件可直接计算出SHORT、OPEN、LOAD、THRU、LINE1、LINE2的传输线长度。根据计算结果可进行TRL校准件的PCB设计,见图5。根据选取的三款样片的尺寸,工作频段等指标,设计PCB测试板。
图5 TRL校准件PCB设计版图
TRL校准件设计时包含THRU、SHORT、LINES、LOAD四种校准件。即反射校准件使用短路件,延时校准件分段,720 MHz以下使用负载;720 MHz~3.6 GHz使用延时线1;(3.6~18)GHz使用延时线2。延时线1和延时线2根据不同频段相对于直通的相对长度不同。其中SHORT校准件和负载校准件需对寄生电容电感做补偿。使用HFSS仿真后,延时线到6 GHz驻波小于1.14,插损小于0.25 dB,满足0.3 dB的技术指标要求。短路器SHORT驻波大于5 000,能够满足校准要求。负载LOAD在工作频带内,驻波小于1.05,能够满足校准要求。
根据原理图,见图1,搭建微波器件S参数全温在线测试系统。硬件设备情况见表1。
表1 硬件设备情况
工控机与温箱、矢量网络分析仪、电源采用GPIB通讯,LabVIEW测试软界面可进行设备地址选择,调用该设备。测试时将校准、测试工装置于箱内,其余硬件均置于箱外。两个微波开关的供电分别由两个数字板卡提供。通过程序界面左上角的八个通道开关可实现微波开关通道的切换,最终实现在线校准和测试。
开展两款声表滤波器及一款数控衰减器的全温测试,进行验证比对。每款型号选取2只样片进行试验,因三款型号的工作温度范围为(-40~+85)℃,故选取-40 ℃、+25 ℃、+85 ℃三个温度点进行测试。测试验证试验:
第一种:常温+25 ℃下校准,温箱温度设置为-40 ℃、+85 ℃,到达该温度点后分别停留半个小时以上,进行测试,记录测试数据。
第二种:常温+25 ℃下校准,温箱温度设置为-40 ℃、+85 ℃,到达该温度点后分别停留半个小时以上,进行该温度点下二次校准,再进行测试,记录测试数据。具体测试数据见表2~表4。
表2 声表滤波器1测试数据
表3 声表滤波器2测试数据
表4 数控衰减器测试数据
表5 板材的介电常数随温度的变化率
根据常温下校准、高低温下测试与常温下校准、高低温下二次校准后再测试的数据,我们可以看到,二次校准后插入损耗指标普遍更小、阻带抑制更大。
由于测试用校准件及测试适配器的板材均为罗杰斯高频板材,该高频板材的介电常数εr为3.48±0.05。TRL校准件设计时也是基于此指标进行的仿真,本项目的TRL校准件εr指标设置为3.45。因微波器件测试常用高频板材主要为罗杰斯板材,选取两款不同罗杰斯板材,可知它们的εr随温度的变化率很小,见下表,基本可以忽略。
为了了解两种板材的传输特性指标随温度的变化情况,补充以下试验:
使用罗杰斯板材1制作的TRL中的直通校准件,放置在温箱内,设置温度点分别为-40 ℃、+25 ℃、+85 ℃,每个温度点放置半小时以上,测试三个温度点下直通校准件(THRU)的S参数指标。测试频率范围为10 MHz~18 GHz。选取多个频点进行试验,记录S参数的测试数据。绘制高温、低温、常温下S21、S11测试曲线,见图6、图7。
图6 罗杰斯板材1的TRL直通件在高温、低温、常温下的S21测试曲线
图7 罗杰斯板材1的TRL直通件在高温、低温、常温下的S11测试曲线
将使用罗杰斯板材2制作的直通校准件放置在温箱内,设置温度点分别为-40 ℃、+25 ℃、+85 ℃,每个温度点放置半小时以上,测试三个温度点下该直通校准件的S参数指标。测试频率范围为10 MHz~18 GHz。选取多个频点进行试验,记录S参数的测试数据。绘制高温、低温、常温下S21、S11测试曲线,见图8、图9。
图8 罗杰斯板材2直通件在高温、低温、常温下的S11测试曲线
图9 罗杰斯板材2直通件在高温、低温、常温下的S21测试曲线
因两端口直通校准件的传输指标和反射指标都是对称的,因此传输以S21为例,反射以S11为例绘制测试曲线,能够更直观的看到插入损耗和驻波的变化情况。通过图8、图9,我们可以了解到随着温度变化,不同板材的直通件的S参数指标变化均为相同频率点下,温度越低插入损耗指标S21越好,温度越高插入损耗指标S21越差。反射指标S11随温度变化不大,随频率变化较大。随着频率升高(6 GHz以上)呈现出低温较高温偏离理想值更大的情况。
通过以上附加试验,我们了解到TRL校准件在温箱内校准的方式仍存在误差,且校准件长时间放置在高低温环境下会引起微带线形变及板材老化,继而影响性能指标。对于研究性质的试验可采用高低温下校准方式,但涉及大规模产线测试,高低温下校准的方式适用性不强。提高高低温测试下的校准精度,可采用以下思路:
1)建立校准件在高低温环境下的误差模型。模型建立有两种方式,第一种:测试不同尺寸、不同材质的校准件在不同温度条件下的S参数,将测试数据模型化。第二种:考虑温度场、电磁场、物理场等多应力场的边界条件,建立多应力场仿真模型。
2)校准件置于温箱外,常温下校准,高低温测试前,引入误差模型,实现高低温的精准测试。
通过测试适配器及校准件的设计、测试平台搭建、程控软件的编写最终实现了典型微波器件,声表滤波器、数控衰减器的S参数全温在线校准、测试。通过TRL校准件的应用实现了S参数高精度测试的目标。另外通过补充试验了解了不同板材的S参数随温度变化的趋势,为后续相关试验研究提供了数据支撑,提出了建立高低温环境下多应力场仿真模型的新思路。