谭慧瑜,汪 瑞,张沛雄,尹 浩,李 真,陈振强
(暨南大学理工学院,光电工程系,广州 510632)
近年来,超强超短激光在材料科学、激光聚变、激光质子刀治疗癌症等相关领域有大量应用[1],掺杂Yb3+的激光晶体在超快激光领域的应用背景是十分广泛的,并且,随着在0.9~1.1 μm波段具有高效性能的InGaAs激光二极管的快速发展,1 μm波段的掺Yb3+的固体激光器已经成为超快激光领域的研究热点之一[2-4]。得益于Yb3+能级简单,仅有2F7/2基态和2F5/2激发态两个电子态,具有量子缺陷低、吸收带宽、弱浓度猝灭、量子效率高、热损耗低,且没有交叉弛豫和激发态吸收等众多的优点[5-8]。并且,三价Yb3+的能级结构十分独特,掺杂Yb3+的激光介质在0.9~1.0 μm之间存在强且宽的吸收,对器件温控的要求越低,从而能够有效提高泵浦效率,在1.0~1.1 μm之间呈现宽带发射,利于超短脉冲的输出[9]。
众所周知,YAP(YAlO3)晶体有着优异的力学性能和热性能[10],被证明是一种良好的激光基质材料[11-12],基于此,在Yb∶YAP晶体中通过掺入Gd3+,代替部分Y3+,形成混合型的Gd3+/Yb3+∶YAP晶体,增加基质晶体的成分无序化,进一步拓宽掺杂离子Yb3+的吸收及荧光光谱[13-14]。
本文报道了采用提拉法成功地生长出新型混合Gd3+/Yb3+共掺铝酸钇晶体,对晶体的结构、光谱以及激光性能进行研究。
图1 Gd/Yb∶YAP单晶Fig.1 Gd/Yb∶YAP single crystal
采用传统的提拉法成功生长了Gd/Yb∶YAP激光晶体。采用经典固相反应制备了由5.0%(原子数分数)Yb∶Gd0.1Y0.9AlO3组成的Gd/Yb∶YAP多晶材料。使用纯度均为99.999%的Gd2O3、Al2O3、Y2O3、Yb2O3等原料,将所有配料放置混料机中充分混合均匀,然后将混合物压制成圆块,在马弗炉中烧结至1 200 ℃,烧结15 h后降至室温,将多晶料取出后放到铱坩埚中[15],在氮气环境中进行晶体生长。转速控制在12~20 r/min之间,提拉速度控制在1~1.2 mm/h[16]。经引晶、缩颈、放肩等径、收尾等阶段后,以15~45 ℃/h的速度将生长好的晶体分阶段式降至室温。冷却至室温后,为消除晶体的色心缺陷,将生长好的晶体放入马弗炉中进行退火处理,退火温度为1 200 ℃,经39 h后,以30 ℃/h的速度降至室温,生长得到的晶体如图1所示。
使用Rigaku Miniflex 600型X射线粉末衍射仪对晶体的结构进行表征[17],晶体的晶胞参数通过JADE 6.5 软件计算;采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪对晶体的杂质含量进行测试;使用Perkin-ElmerUV-Vis-NIR光谱仪测试晶体在900~1 050 nm波段的偏振吸收光谱;980~1 140 nm波段的偏振荧光光谱使用FLSP920荧光光谱仪进行测试,此外还测量了 Yb3+的2F5/2能级寿命。所有测试均在室温下进行。
利用平平直腔对b切向的Gd/Yb∶YAP晶体进行激光实验,实验装置如图2所示,以中心波长为960 nm的半导体激光器作为泵浦源,光纤芯径为100 μm,数值孔径(NA)为0.22,采用光纤耦合输出。泵浦光束通过1∶1的成像透镜系统重新注入晶体,将经铟箔包裹好的Gd/Yb∶YAP晶体安装在铜片上,晶体的尺寸为4 mm×4 mm×3 mm,控制冷水系统恒温在20 ℃,激光腔由全反镜M1和输出耦合镜M2组成,其中,全反镜M1上镀有960 nm高透膜(T>99.5%)和1 020~1 100 nm高反膜(R>99.8%),输出耦合镜M2在1 020~1 100 nm波段的透过率分别为4%和7%。
图2 二极管泵浦连续波Gd/Yb∶YAP激光器原理图Fig.2 Schematic diagram of diode-pumped continuous wave Gd/Yb∶YAP laser
为了确定晶体的结构,对退火后晶体进行研磨,将研磨所得的粉末进行XRD测试,结果如图3所示。与标准卡片对比发现,二者图谱基本吻合,不存在杂相,物相纯度高,Yb掺杂并未对基质的结构造成影响。经过计算,得到晶胞参数为a=0.534 15 nm,b=0.743 31 nm,c=0.521 35 nm。由ICP-AES法测得晶体中Yb3+的浓度为5.65% (1.32×1021ions/cm3)。并由式(1)计算了晶体中Yb3+的有效分凝系数:
Ke=CA/C0
(1)
式中:Ke为掺杂离子的分凝系数;CA表示Yb3+在晶体中的掺杂浓度;C0表示Yb3+在熔体中的初始浓度。通过计算得到Gd/Yb∶YAP晶体中Yb3+的有效分凝系数为1.13,与Yb∶YAP晶体(分凝系数为0.97)相比较[18],表明Yb3+在Gd3+∶YAP晶体中易于掺杂。
对晶体结构很敏感的偏振吸收光谱作了测量,测量方法为在光路中样品的前方放置一尼科耳棱镜。900~1 050 nm波段范围内,Gd/Yb∶YAP晶体沿a、b、c三个偏振方向的吸收光谱如图4所示。可以清楚地看到,不同的偏振方向在1 μm波段附近存在着不同的峰值中心,如果考虑非偏振泵浦光束的话,总共可获得10~15 nm的吸收带宽,晶体对泵浦源热稳定性的要求没有那么高,因此可以有效地减少对温场的依赖以及维持稳定的激光输出。此外,通过公式σ=α/N算出对应的吸收截面,其中α是吸收系数,N是Yb3+在Gd/Yb∶YAP晶体中的浓度。由图4可以看出晶体沿a、b、c三个偏振方向的吸收光谱有两个较高的吸收峰,经过计算,b偏振方向位于980 nm处的吸收截面为2.14×10-20cm2,而c偏振时位于962 nm处的吸收截面为1.32×10-20cm2,与表1中的其他掺Yb的激光晶体相比(如Yb∶YAP、Yb∶YAG、Yb∶GGG、Yb∶CALGO晶体),Gd/Yb∶YAP晶体拥有较大吸收截面。
图3 Gd/Yb∶YAP的XRD图谱和YAP标准图谱Fig.3 XRD pattern of Gd/Yb∶YAP and YAP standard pattern
图4 Gd/Yb∶YAP晶体沿a、b、c三个偏振方向的吸收光谱Fig.4 Absorption spectra of Gd/Yb∶YAP crystals along the three polarization directions of a, b and c
表1 不同掺Yb激光晶体吸收参数的比较Table 1 Comparison of absorption parameters of different Yb-doped laser crystals
图5为Gd/Yb∶YAP晶体在980~1 140 nm波段沿a、b、c三个偏振方向的荧光光谱。在a、b偏振方向,最强发射峰出现在1 044 nm处,而在c偏振方向时,最强发射峰出现在1 008 nm处,值得注意的是,c方向的特征峰比a、b偏振方向的更明显、更强。在1 044 nm处a、b偏振方向的半峰全宽(FWHM)分别为68.5 nm和64 nm,而在1 008 nm处c偏振方向的半峰全宽为66 nm,与表2中的其他掺Yb的激光晶体,如Yb∶YAP(9 nm)、Yb∶YAG(10 nm)、Yb∶GGG(8 nm)相比,Gd/Yb∶YAP晶体拥有较大的发射半峰全宽,在超短脉冲和宽带可调型的激光器中更具有应用前景。然后,基于Fuchtbauere-Ladenburg理论[22]计算了受激发射截面:
(2)
式中:σem为发射截面;n为晶体折射率;I(λ)为发射光谱的强度;τr为辐射寿命;β为荧光分支比。经过计算,在1 008 nm处c偏振方向的发射截面为0.32×10-20cm2,而在1 044 nm处a偏振方向的发射截面为0.35×10-20cm2,b偏振方向的发射截面为0.39×10-20cm2。其他掺Yb3+的激光晶体发射光谱参数如表2所示。
室温下,OPO脉冲激光器激发Gd/Yb∶YAP晶体的荧光衰减曲线为单指数形式,如图6所示,通过单指数拟合得到Yb3+∶2F5/2能级寿命(τm)为1.638 ms。
图5 Gd/Yb∶YAP晶体沿a、b、c三个偏振方向的荧光光谱Fig.5 Fluorescence spectra of Gd/Yb∶YAP crystal along the three polarization directions of a, b and c
图6 Gd/Yb∶YAP晶体2F5/2→2F7/2跃迁的荧光衰减曲线Fig.6 Fluorescence decay curve of Gd/Yb∶YAP crystal 2F5/2→2F7/2 transition
表2 不同掺Yb激光晶体发射光谱参数的比较Table 2 Comparison of emission spectrum parameters of different Yb-doped laser crystals
图7 Gd/Yb∶YAP激光器的输出功率与吸收泵浦功率的关系Fig.7 Relationship between the output power of Gd/Yb∶YAP laser and the power of absorption pump
图8 泵浦功率为5.82 W时,Gd/Yb∶YAP激光器的光谱图Fig.8 Spectral view of a Gd/Yb∶YAP laser at pump power of 5.82 W
图7为输出耦合镜透过率分别为T=4%和T=7%时输出功率与泵浦功率的变化关系曲线。当泵浦功率为5.82 W时,最大输出功率为0.51 W。对所得的数据进行拟合后发现:T=4%时,激光阈值为3.75 W,最大输出功率为510 mW,斜率效率为23.5%;T=7%时,激光阈值为4.8 W,最大输出功率为239 mW,斜率效率为20%。由于泵浦有限,没有记录到更高的输出功率。同时,使用光谱仪测试在5.82 W泵浦功率下Gd/Yb∶YAP晶体的激光光谱,如图8所示,发现1 μm波段处有多波长的激光输出,分别位于1 050.03 nm、1 051.38 nm、1 053.00 nm、1 054.62 nm、1 055.97 nm 5个波长处。
本文使用单晶提拉法成功制备出优质的Gd3+/Yb3+共掺铝酸钇晶体。对晶体的结构及偏振光谱进行系统的研究,得到在980 nm处b偏振方向的吸收截面为2.14×10-20cm2,可用于InGaAs 激光二极管泵浦。在1 044 nm处a、b偏振方向的半峰全宽分别为68.5 nm和64 nm,而在1 008 nm处c偏振方向的半峰全宽为66 nm,并且在1 044 nm处b切向的发射截面为0.39×10-20cm2。同时,还对b切向的晶体进行了激光实验,实现了1 μm波段处的连续激光输出,当泵浦功率为5.82 W时,最大输出功率高达0.51 W,斜率效率为23.5%。通过研究晶体的光谱性能和激光性能,表明Gd/Yb∶YAP晶体是一种优良的激光晶体。