刘长春,张陶陶,朱伟峰,许延峰
(1.中国电子科技集团公司第四十研究所,安徽蚌埠,233000;2.中电科仪器仪表有限公司,山东青岛,266555)
射频同轴匹配负载是一种微波无源单端口器件,在无线电设备、电子仪器以及各种微波装备中应用广泛,通常作为整机或系统的输出端口,用于实现阻抗匹配和承受功率。射频同轴匹配负载的工作原理为:使用电阻吸收传输通道中的微波能量,将电磁能转换为热能。
将负载连接在空置的测试端口,既保证了信号的阻抗匹配,又大大地减少了空置端口信号泄漏和系统间的相互干扰,是射频传输系统的重要组成部分之一。近年来,整机和系统正在向小型化、轻量化的方向发展,对部件小型化提出了越来越高的要求。
与射频同轴连接器一样,射频同轴匹配负载的连接器部分设计原理为同轴传输线基本原理。在理想导体条件下,均匀同轴传输线的特性阻抗为:
式中,Z0为同轴传输线特性阻抗;
D为同轴线外导体内径;
d为同轴线内导体外径;
εr为介质撑介电常数。
介质撑的主要作用是对内导体、外导体提供物理支撑,同时也保证内、外导体之间的同轴度。由于引入介质撑,外导体、内导体与同轴传输线之间会产生阶梯,必然会引入不连续电容,如图1所示。
图1 内、外导体同时突变结构
为尽量减小在工作频率范围的反射,需要对引入介质撑产生的不连续电容作补偿。同轴传输线不连续性的补偿结构可以等效为一段高阻传输线,补偿效果取决于高阻传输线的特性阻抗Z和传输线长度L,其等效电路模型如图2所示,图中C为不连续电容。
图2 补偿结构的等效电路模型
衰减片主要有集总参数和分布参数两大类衰减片,其中分布参数衰减片具有良好的频响特性。衰减电路又分为∏型和T型电阻衰减网络,∏型衰减网络接地容易,电阻可以集成,能减小频率升高时分布参数对性能的影响,如下图所示。
图3 ∏型衰减网络
对于∏型同阻式衰减网络,Z1=Z2=Z0,即R1=R2,所以R1和R2的值可以用下式表示:
式中,Z0为特性阻抗;
A为衰减量;
R1和R2为并联电阻;
R3为串联电阻。
确定衰减片串联电阻和并联电阻后,可以通过磁控溅射、化学刻蚀等方法将薄膜电阻做在陶瓷片基材上,再通过热氧化调阻的方法,来调整薄膜电阻的方阻,从而调整到所需要的特性阻抗。
根据以上的原理分析,设计了一种小型化的SMP射频同轴匹配负载,其技术指标要求如下:
频率范围:DC~18GHz
最大驻波比:≤1.25
端口形式:SMP阴头
外形尺寸:≤7.5mm×Φ3.5mm
平均功率容量:0.5W
介质撑采用抗环境特性好、介电常数小的聚四氟乙烯材料。为了方便介质支撑的固定,选择内、外导体同时突变的介质撑结构方案;同时采用台阶结构对传输线的不连续性进行补偿。
使用高频结构仿真软件HFSS对介质撑、内导体和外导体进行建模,然后对介质撑进行仿真优化,最终结果如图4所示。从图中可以看出,在DC~18GHz频率范围内,介质撑的最大驻波比小于1.03,满足设计要求。
图4 介质撑的驻波比仿真曲线
根据分布参数衰减片设计原理,设计负载的负载片如图5所示。使用高频结构仿真软件HFSS对负载片进行建模,设置负载片基片材料为氧化铝陶瓷片,然后调整负载片上各部分尺寸,对负载片进行仿真优化。
图5 负载片示意图
仿真优化结果如图6所示,可以看出,在DC~18GHz频率范围内驻波比小于1.05,满足设计要求。
图6 负载片最大驻波比仿真曲线
当介质撑、负载片仿真完成之后,使用HFSS软件建立负载的整体仿真模型并进行仿真优化。仿真优化结果如图7所示,从图中可以看出,负载的最大驻波比小于1.07,设计指标优良,满足设计要求。
图7 驻波比仿真曲线
负载主要由内导体、外导体、介质撑、负载片、端盖等零件组成,负载的整体结构如图8所示。通过对负载进行小型化设计,满足外形尺寸≤7.5mm×Φ3.5mm的要求。
图8 负载整体结构示意图
负载采用标准SMP插孔接触件连接器的端口形式,介质支撑材料选用聚四氟乙烯;负载的内导体穿过介质撑,装入到外导体中,保证内外导体的同轴度及端口尺寸。
采用中国电子科技集团公司第四十一研究所生产的矢量网络分析仪AV3672E进行对负载样品测试,结果如图9所示。从图中可以看出,在100MHz~18GHz频率范围内,负载的最大驻波比为1.08。
图9 负载实测曲线
本文基于同轴传输线理论和分布参数衰减片原理,设计了一种小型化的SMP射频同轴匹配负载,所设计负载的测试和仿真结果吻合良好,能够满足整机或系统对部件小型化的需求。