可控粒径纳米硫化镉的制备

2019-09-24 09:12王梦颖王源涛薛永强
应用化工 2019年9期
关键词:硫脲乙酸硝酸

王梦颖,王源涛,薛永强

(太原理工大学 应用化学系,山西 太原 030024)

CdS是一种重要的半导体材料,具有独特的光电化学性能[1],广泛应用于光化学电池和储能器件[2-3]。几十到上百纳米的CdS可用于光催化降解有机染料、光解水制氢气[4-5]。而粒径<10 nm的CdS可以用于光致发光和传感器[6-7]。纳米CdS的性能和用途与粒径密切相关,因此,制备出不同粒径的纳米CdS具有重要的实用价值。

目前,研究纳米CdS制备的文献很多,但可控粒径的制备方法很少,只能在小范围内可控[8-10],并且可控粒径在几纳米的还未见报道。本文采用溶剂热法制备纳米CdS;考察了不同硫源镉源、S/Cd物质的量比、溶剂用量和反应温度对纳米CdS粒径的影响。

1 实验部分

1.1 材料与仪器

乙酸镉、硝酸镉、硫脲、硫代乙酰胺(TAA)、乙二醇、油酸、乙醇、PVPK13-18、PVPK40均为分析纯。

AUY220电子天平;DF-101S集热式恒温加热磁力搅拌器;KQ5200DB型数控超声波清洗器;DHG-9070A电热恒温鼓风干燥箱;GL-22M高速冷冻离心机;6000型X-射线衍射仪;JEM-2010型透射电子显微镜。

1.2 纳米硫化镉的制备

用电子天平称取一定质量的固体镉源放入烧杯中,用玻璃棒碾碎;加入一定体积的溶剂,在超声波清洗器中超声溶解镉源;称取一定质量的硫源加入烧杯中;之后加入一定质量的表面活性剂;搅拌、超声溶解后将烧杯放入恒温加热磁力搅拌器;在常温下搅拌1 h。搅拌结束后,将溶液转入聚四氟乙烯内衬的高压釜中,密封;放入设定温度的电热恒温鼓风干燥箱中保温若干小时,结束后取出,高压釜冷却到室温。反应产生黄色沉淀,分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤,通过离心机离心3次。离心结束后用乙醇将产物分散转入表面皿中,在60 ℃的真空干燥箱中干燥4~5 h后,将产物取出并收集、保存。

产物的晶型通过X射线衍射仪表征;产物的形貌通过高分辨透射电子显微镜表征;产物的平均粒径通过使用粒度分析对TEM图像中的纳米颗粒统计得到。

2 结果与讨论

2.1 S/Cd物质的量比对纳米硫化镉粒径的影响

2.1.1 TAA/乙酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响 将1.4 mmol乙酸镉溶于60 mL油酸中,反应温度为180 ℃,反应时间为5 h。保持镉离子浓度不变,通过改变TAA的加入量来研究不同S/Cd物质的量比对纳米硫化镉粒径的影响。不同TAA/乙酸镉比所制备的纳米硫化镉的粒径见表1。

表1 TAA/乙酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响Table 1 Influence of TAA/cadmium acetate molarratio on particle size of nano-CdS

不同TAA/乙酸镉比所制备的纳米硫化镉的XRD见图1。

图1 不同TAA/乙酸镉比所制备的纳米硫化镉的XRDFig.1 XRD patterns of nano-CdS prepared by different TAA/cadmium acetate molar ratio

由图1可知,2θ对应于六方晶系硫化镉的(100)、(002)、(101)、(102)、(110)、(103)、(112)晶面的特征衍射峰,说明生成的产物为六方晶系的硫化镉。没有杂质衍射峰,说明生成的纳米硫化镉纯度较高。

不同TAA/乙酸镉比所制备的纳米硫化镉的TEM见图2。

图2 不同TAA/乙酸镉比所制备的纳米硫化镉的TEMFig.2 TEM of nano-CdS prepared by different TAA/cadmium acetate molar ration(TAA)∶n(乙酸镉):a.1∶2;b.7∶10;c.1∶1;d.3∶1

由图2可知,油酸为溶剂,控制TAA/乙酸镉比为1∶2,7∶10,1∶1和3∶1制备出的纳米硫化镉的粒径分别为2.51,4.05,6.13,10.08 nm。不同粒径的纳米硫化镉的单分散性好,粒径分布比较均匀,这些归因于使用油酸作为反应的溶剂和分散剂。TAA/乙酸镉的摩尔比对粒径有显著影响,纳米硫化镉的平均粒径随着TAA/乙酸镉的摩尔比的增大而增大。

2.1.2 硫脲/硝酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响 将7 mmol硝酸镉溶于70 mL乙二醇,加入0.4 g PVP,保持镉离子浓度不变,通过改变硫脲的加入量来研究不同S/Cd物质的量比对纳米硫化镉粒径的影响。不同硫脲/硝酸镉比所制备的纳米硫化镉的粒径见表2。

表2 硫脲/硝酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响Table 2 Influence of thiourea/cadmium nitrate molarratio on particle size of nano-CdS

不同硫脲/硝酸镉比所制备的纳米硫化镉的XRD见图3。

图3 不同硫脲/硝酸镉比所制备的纳米硫化镉的XRDFig.3 XRD patterns of nano-CdS prepared by different thiourea/cadmium nitrate molar ratio

由图3可知,2θ对应于六方晶系硫化镉的(100)、(002)、(101)、(110)、(103)、(112)晶面的特征衍射峰,说明生成的产物为六方晶系的硫化镉。没有杂质衍射峰,说明生成的纳米硫化镉纯度较高。

不同硫脲/硝酸镉比所制备的纳米硫化镉的TEM见图4。

图4 不同硫脲/硝酸镉比制备纳米硫化镉的TEMFig.4 TEM of nano-CdS prepared by different thiourea/cadmium nitrate molar ration(硫脲)∶n(硝酸镉):a.1.3∶7;b.1.7∶7;c.2∶7;d.4∶7

由图4可知,乙二醇为溶剂,控制硫脲/硝酸镉比为1.3∶7,1.7∶7,2∶7和4∶7制备出的纳米硫化镉的粒径分别为38.54,50.09,85.21,104.86 nm。不同粒径的纳米硫化镉的单分散性好,粒径分布比较均匀。硫脲/硝酸镉的摩尔比对粒径有显著影响,纳米硫化镉的平均粒径随着硫脲/硝酸镉的摩尔比的增大而增大。

由上面不同硫源和镉源制备的纳米硫化镉的结果可以看到,硫源和镉源的种类对所制备的纳米硫化镉的粒径范围影响很大。采用TAA和乙酸镉可制备出平均粒径在2.5~10 nm范围的纳米硫化镉;采用硫脲和硝酸镉可制备出粒径在38.5~105 nm的纳米硫化镉。并且当硫源和镉源、反应时间、温度等其余条件相同时,纳米硫化镉的粒径随着S/Cd物质的量比的增大而逐渐增大。

在纳米硫化镉形成的初期,硫离子的浓度逐渐增加并最终达到成核发生的临界点[11]。反应初期以成核反应为主,之后Cd2+、S2-浓度下降,成核速率减缓,之后以纳米硫化镉的生长为主[12]。相同条件下TAA释放S2-的速率比硫脲大[13],在反应初期大量成核,因此以TAA为硫源可以制备出几纳米到二十多纳米的纳米硫化镉;而硫脲释放S2-速率较慢,成核之后生长作用突出,因此以硫脲为硫源可以制备出三十多到上百纳米的纳米硫化镉。

2.2 溶剂体积对纳米硫化镉粒径的影响

保持S/Cd物质的量比为8∶1(11.2 mmol TAA和1.4 mmol 乙酸镉),反应温度为180 ℃,反应时间为5 h,通过改变油酸的加入量来研究不同体积溶剂(60,120,180 mL)对纳米硫化镉粒径的影响。不同体积溶剂所制备的纳米硫化镉的粒径见表3。

表3 溶剂体积对纳米硫化镉粒径的影响Table 3 Influence of solvent volume onparticle size of nano-CdS

不同体积溶剂所制备的纳米硫化镉的TEM见图5。

图5 不同溶剂体积所制备的纳米硫化镉的TEMFig.5 TEM of nano-CdS prepared by different solvent volumes a.60 mL;b.120 mL;c.180 mL

由图5可知,以乙酸镉为镉源,TAA为硫源,油酸为溶剂,控制溶剂用量为60,120,180 mL制备出的纳米硫化镉的粒径分别为13.37,15.67,21.57 nm。由表3可知,纳米硫化镉的粒径随着溶剂用量的增加而增大,这一现象的原因可能是:纳米粒子晶体的形成分为成核过程和晶核生长过程两个阶段;溶剂中沉淀物的过饱和度大时,主要是晶核的生成;而过饱和度小时,主要是晶核的生长。因此,反应物浓度大时,过饱和度大,生成的纳米颗粒的平均直径小,而当反应物浓度小时,过饱和度小,生成的纳米颗粒的平均直径大。

2.3 反应温度对纳米硫化镉粒径的影响

将1.4 mmol乙酸镉和2 mmol TAA(S/Cd物质的量比为7∶10)溶于60 mL油酸中,反应时间5 h,通过控制反应温度分别为140,180,200,220 ℃来研究温度对纳米硫化镉粒径的影响。不同反应温度所制备的纳米硫化镉的粒径见表4。

表4 反应温度对纳米硫化镉分散性的影响Table 4 Influence of reaction temperatureon dispersibility of nano-CdS

不同反应温度所制备的纳米硫化镉的TEM见图6。

图6 不同反应温度所制备的纳米硫化镉的TEMFig.6 TEM of nano-CdS prepared by different reaction temperature a.140 ℃;b.180 ℃;c.200 ℃;d.220 ℃

由图6可知,反应温度为140 ℃时,纳米硫化镉粒径约在10 nm左右,无团聚;180 ℃时,纳米硫化镉粒径在10 nm左右,无团聚;当反应温度上升到200 ℃和220 ℃时,粒径仍约为10 nm左右,但纳米硫化镉出现了团聚现象。根据以上分析可以得出,纳米硫化镉的粒径不随反应温度的变化而变化,但反应温度上升,反应釜内部蒸气压增大可能导致生成的纳米硫化镉团聚现象加重。

3 结论

实验结果表明,通过溶剂热法,利用主要影响因素对粒径的影响规律,可制备平均粒径范围在2.5~105 nm的六方球形纳米硫化镉。硫源和镉源、S/Cd物质的量比和溶剂用量是影响粒径的主要的因素。不同硫源、镉源适用于制备不同粒径范围的纳米硫化镉:采用TAA、乙酸镉并改变S/Cd配比和溶剂体积可制备出平均粒径在2.5~21.6 nm的纳米硫化镉;采用硫脲和硝酸镉并改变S/Cd配比可制备出粒径在38.5~105 nm的纳米硫化镉。纳米硫化镉的粒径随S/Cd物质的量比的增大而增大;随溶剂用量的增加而增大;反应温度对纳米硫化镉的粒径没有影响。上述可控粒径的制备方法对纳米硫化镉的制备、研究和应用有着重要的参考价值。

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