二硫化钽可作超快存储器机制获解
2018-05-14 12:06
科学导报 2018年26期
最近，俄罗斯国家研究型技术大学莫斯科国立钢铁合金学院（NUST MISIS）工作人员提出了一种层状二硫化钽隐藏潜在状态的形成理论，从而确证了二硫化钽可用来长期储存信息，并能以超快速度处理信息。
二硫化钽是一种富有前景的現代微电子材料。谢尔盖·布拉佐夫斯基2014年与斯洛文尼亚的同行一起，发现了其隐藏潜在状态。他们用超短激光或电子脉冲照射尺寸小于100纳米的二硫化钽样本，使样本从绝缘体变成了导体（或者相反），转变速度比现代计算机中充作记忆载体的最快材料还要快几倍，且状态在受照射后并未消失，而是保存下来。由此显示，这种材料有潜力成为新一代信息载体的候选。
据《科技日报》
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