“Transistor Density Increase by 1000X”鳍式晶体管密度增加技术

成果发布人、美国加州大学伯克利分校教授胡正明：“现在晶体管的三极已经可以缩小到1纳米的宽度，未来半导体晶体管的密度还将再增加1000倍。这也就意味着互联网将来的速度和普及度也还有千百倍成长的空间。”

半导体技术是互联网的一个重要支柱和驱动力。但在2010年以后，半导体的微型化遇到了一个很大的危机。在晶体管不能再继续微型化的情况下，摩尔定律就要停止。在这种情势下，加州大学伯克利团队创新发明了“鳍式晶体管”——一种垂直的薄膜，它可以让摩尔定律继续下去，让半导体的微型化大幅度再成长。

在过去的12个月，伯克利研究团队创新了如何把半导体做得很薄的三项技术：一是可以让天然的极薄的薄膜——二维半导体，长在垂直的鳍式晶体管的结构上；二是让二维半导体长在大面积的晶圆上，让它覆盖垂直薄膜的晶体管，同时可以在一片芯片上做两层、三层甚至更多层的电路；三是用二维半导体的薄膜做了一个晶体管，证实了它可以把晶体管的三极缩小到1纳米的寬度。