【中国专利信息】

【中国专利信息】

编者注：本期刊登的是2016年8月份国家知识产权局公布的有关表面处理类专利信息。如需专利全文，请与我部联系（电话：020–61302803，QQ：402629813）。欲了解更多专利信息，请登录表面处理领航网（http://www.sfceo.net/down/）。

一种聚乙烯塑料电镀工艺

申请号 201610343165.8

公开日 2016.08.10

申请人 无锡市嘉邦电力管道厂

地址 江苏省苏州市惠山区前洲镇兴洲路11号

本发明公开了一种聚乙烯塑料电镀工艺，包括如下步骤：(1)将聚乙烯塑料粉末、粘合剂、促进剂和增塑剂按配比进行搅拌，然后将上述混合物放入压延机中压延成型；(2)使用活化剂进行浸泡，取出后使用水和乙醇的混合溶液进行清洗，然后将清洗后的塑料冲切出所需规格的成品，所述活化剂包含水、水溶性钌盐、盐酸、硼酸和偏磷酸钠；(3)在塑料注射机上通入超临界流体，制备表层微孔发泡实心芯层的塑料制品；对所述塑料制品通过电镀工艺进行电镀，形成金属镀层。本发明不仅提高了工件与后续镀层的结合力，镀层不存在起泡现象，且带有镀层的制品的可焊性好。

一种用于铜互连的HDI板电镀铜浴的均镀剂及电镀铜浴

申请号 201610244511.7

公开日 2016.08.10

申请人 电子科技大学

地址 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明属于印制电路板电镀技术领域，涉及一种微盲孔填孔镀铜工艺，具体提供一种用于铜互连的HDI板电镀铜浴及电镀铜浴，所述均镀剂，包含按质量百分比计的以下原料：0.001%～ 0.5%的三唑−噁二唑类化合物、0.01% ～ 1%的季胺化合物、余量为水。所述季胺化合物的分子量为200 ～ 10 000，分子表达式为：HO[CH(CH3)CH2O]x−(CH2CH2O)y−[CH(CH3)CH2O]xH。所述电镀铜浴，包含：60 ～ 220 g/L铜离子，30 ～ 100 g/L H2SO4，20 ～ 80 mg/L氯离子，0.5 ～ 20 mL/L加速剂，5 ～ 100 mL/L均镀剂，余量为水。本发明能够在盲孔填孔镀铜过程中有效地控制面铜生长速率、以及加速盲孔底部沉铜速率，从而有效降低HDI铜互连制作的成本，提升生产效率。

一种离子液体中电镀Ni–Cr–PTFE复合镀层的方法

申请号 201610392270.0

公开日 2016.08.17

申请人 安庆师范大学

地址 安徽省安庆市宜秀区集贤北路1318号

一种离子液体中电镀Ni–Cr–PTFE复合镀层的方法。在本发明所述的非水体系和惰气气氛中，在一定量的1–乙基–3–甲基咪唑氯(EMIMCl)和乙二醇(EG)的混合溶剂中、分别加入含镍离子液体[BMIM]NiCl3、含铬离子液体[BMIM]CrCl4、LiCl、PTFE以及十二烷基二甲基氧化胺(OB-2)，机械搅拌加超声波搅拌一定时间混合均匀得电镀液；将预处理后的基体为阴极，铂片或石墨为阳极，将阴极和阳极放入电镀槽，保持一定的极间距、温度、脉冲频率、脉冲占空比、沉积周期和平均电流密度，在一定的搅拌速度下进行脉冲电镀，电镀完毕后，冲洗，烘干，得到Ni–Cr–PTFE复合镀层。本发明由于PTFE和Cr的加入使得镀层的减摩性和硬度明显提高，并且工艺流程简单，设备投资低，环保节约。

用高速无电镀覆形成导电图像

申请号 201480055096.X

公开日 2016.08.03

申请人 全球第一电路技术公司

地址 美国加利福尼亚州

本发明的用高速无电镀覆产生导电图像的方法优选包括以下步骤：制备基片表面；使金属配位配合物沉积进入基片表面；还原金属配位配合物，以在基片表面中形成图像；在图像上沉积保护性材料；在图像上无电镀覆金属。

碱性电镀铜钛合金的电镀液及其制备方法与电镀工艺

申请号 201610237598.5

公开日 2016.08.17

申请人 武汉吉和昌化工科技股份有限公司、湖北吉和昌化工科技有限公司

地址 湖北省武汉市江汉经济开发区江达路8号

本发明公开了碱性电镀铜钛合金的电镀液及其制备方法。该电镀液的配方如下：五水硫酸铜25 ～ 40 g/L，柠檬酸90 ～110 g/L，丁二酰亚胺10 ～ 15 g/L，硫酸钛10 ～ 25 g/L，氢氧化钾100 ～ 120 g/L，硼酸25 ～ 35 g/L，防铜置换剂0.01 ～ 0.05 mg/L，光泽剂8 ～ 12 mg/L。本发明的电镀液无氰化物，无磷，该电镀工艺下可得到光亮，细致，硬度比单纯铜层高、耐磨性强，与子午线橡胶结合力好、抗硫化物腐蚀性强的铜钛合金镀层。

用于无电镀的稳定的纳米粒子

申请号 201610326035.3

公开日 2016.08.03

申请人 罗门哈斯电子材料有限公司

地址 美国马萨诸塞州

用于无电镀的稳定的纳米粒子。本发明涉及用来金属化印刷电路板通孔的稳定的无锡的钯催化剂组合物，该组合物包含谷胱甘肽和钯。在该催化剂配方中包括稳定剂，例如，谷胱甘肽，其阻止钯的沉淀和凝聚。提供了一种方法，它包括：(a)提供具有多个通孔的衬底；(b)将包含一种或多种阳离子表面活性剂的调节剂施加到该通孔；(c)将包含稳定剂和钯纳米粒子的催化剂施加到该通孔，其中，所述稳定剂由谷胱甘肽组成，且所述催化剂不含锡；以及(d)利用无电镀金属浴将金属沉积到该通孔的壁上。

一种电镀铜用常温无铬钝化液及其钝化工艺

申请号 201610373313.0

公开日 2016.08.10

申请人 太原工业学院

地址 山西省太原市尖草坪区迎新街北一巷2号

本发明提供一种电镀铜用常温无铬钝化液。其特殊之处在于包含苯并三氮唑(BTA)、柠檬酸、过氧化氢、磷酸、金属配位剂。其中金属配位剂为钼酸钠、氟钛酸钾、氯化钯、硝酸钴、硝酸铈中的一种或两种。本发明还提供一种利用上述环保型无铬钝化液在电镀铜基体表面常温进行钝化处理的生产工艺。该生产工艺是在现有钝化生产工艺基础上，结合本发明的无铬钝化液，从而得到稳定的钝化体系。使用该钝化液处理后的电镀铜工件表面成膜均匀致密，耐蚀时间长。

一种金属化陶瓷电镀方法

申请号 201610361761.9

公开日 2016.08.24

申请人 中国电子科技集团公司第五十五研究所

地址 江苏省南京市中山东路524号

本发明提供了一种金属化陶瓷电镀方法，包括步骤(1)前处理，使用碱性除油剂和OP清洗待镀外壳；(2)浸酸，用盐酸溶液浸泡，然后清洗干净；(3)预镀镍，在预镀镍溶液中镀镍，取出用水冲洗干净；(4)镀镍，在镍体系混合溶液中镀镍，取出用水冲洗干净；(5)热处理，在氢气或氮气气氛下，温度150 ～950 °C，热处理1 ～ 4 h；(6)镀层加厚：重复步骤(2)到步骤(5)；(7)金属零件焊接；(8)外壳镀镍：重复步骤(1)到步骤(4)；(9)预镀金；(10)镀金；(11)镀层牢固性测试。优点：采用本发明加工的成品镀层可满足牢固性考核要求，从而有效地保证了器件在加工和使用过程中的高可靠性。

电镀铜镀液及其电镀铜工艺

申请号 201610466285.7

公开日 2016.08.24

申请人 广东光华科技股份有限公司

地址 广东省汕头市大学路295号

本发明涉及一种电镀铜镀液及其电镀铜工艺，该镀液包括如下组份：五水硫酸铜20 ～ 240 g/L，硫酸20 ～ 300 g/L，氯离子25 ～ 120 mg/L，光亮剂0.1 ～ 20 mg/L，抑制剂1 ～ 2 000 mg/L，去离子水为余量；所述光亮剂选自烷基磺酸硫醇或其衍生物中的两种；所述抑制剂选自非离子表面活性剂中的一种或几种。本发明的电镀铜镀液能大大提高施镀电流以及挠性板通孔电镀的均镀能力(TP)，TP能达到200%以上，且孔内电镀铜层平整，质量符合挠性板的各项要求。

含三价铬的电镀槽液和沉积铬的方法

申请号 201580004384.7

公开日 2016.08.31

申请人 科文特亚共同股份公司

地址 意大利科莫省

本发明涉及到一种用于沉积铬的电镀槽液，所述电镀槽液包括至少一种三价铬盐、至少一种配位剂、至少一种卤素盐和任选的额外添加剂。另外，本发明还涉及到用所述电镀槽液在基材上沉积铬的方法。

无电镀金液

申请号 201510028302.4

公开日 2016.08.17

申请人 韩国明全化工有限公司

地址 韩国京畿道

本发明涉及一种无电镀金液，该无电镀金液可通过在相同的镀浴中进行置换反应和还原反应而在不腐蚀基底金属的情况下形成金镀层，并且同时满足无铅焊接的焊接性和引线接合特性，并且具有优异的稳定性从而持续维持金沉积速率。

电镀方法和电镀装置

申请号 201610458133.2公开日 2016.08.17

申请人 株式会社荏原制作所

地址 日本东京都大田区羽田旭町11番1号

本发明提供一种电镀方法和电镀方法装置，其能够迅速并可靠地发现密封构件的密封性的重大问题，即使对极微量的泄漏也可在事前或事后可靠发现。该电镀方法中，实施第1阶段泄漏检查，即基板的外周部以密封构件(66，68)密封且基板W由基板架(18)保持，对基板架保持基板时以密封构件密闭的在该基板架的内部形成的内部空间R内进行真空吸引，对该内部空间在规定时间后是否达到规定真空压力进行检查，并且实施第2阶段泄漏检查，即对第1阶段泄漏检查合格了的保持基板的基板架，密封内部空间并检查该内部空间内的压力在规定时间内是否变化了规定值以上。

一种在铜丝上电镀纯锡的镀液配方及电镀方法

申请号 201610332061.7

公开日 2016.08.03

申请人 江苏兴达钢帘线股份有限公司

地址 江苏省泰州市兴化市戴南镇人民西路88号

本发明公开了一种在铜丝上电镀纯锡的镀液配方及电镀方法，其中镀液的pH为1.0，它包含硫酸亚锡、添加剂氧化铋、添加剂非离子型表面活性剂、稳定剂对苯二酚、光亮剂明胶、溶剂甲烷磺酸；电镀方法：铜丝经碱洗除油、热水洗、酸洗、冷水洗、干燥后做电镀的阴极，钛板做电镀阳极；电流密度为2.5 ～ 4 A/dm2，电镀时间为10 min，温度为常温。本发明镀液组成简单易控制，废液环保易处理，电镀工艺易于控制，镀层均匀光滑结合力好。

用于防腐蚀的电镀纳米叠层涂层和包层

申请号 201610236114.5

公开日 2016.08.10

申请人 莫杜美拓有限公司

地址 美国华盛顿州

此处描述了电镀抗腐蚀的多层涂层和包层，其包括多个纳米级的层，这些层在电镀的物质或电镀的微观结构上周期性变化。这些涂层可以包括电镀的金属，陶瓷，聚合物或其组合。此处还描述了制备该涂层和包层的方法。

含有电化学惰性阳离子的铜电沉积浴

申请号 201480072944.8

公开日 2016.08.24

申请人 阿文尼公司

地址 法国马西

本发明涉及用于将铜沉积在金属衬底上的电解液组合物。该组合物含有两种芳香胺和电化学惰性阳离子的组合。这种电解液使得可以增加铜成核密度。该电解液还使得能够自下而上地填充于具有非常小的开口尺寸、一般小于40 nm的沟槽中。

铜的电沉积

申请号 201480064421.9

公开日 2016.08.31

申请人 乐思股份有限公司

地址 美国康涅狄格

在电解铜电镀中，一种水性组合物，其包含铜离子源和至少一种用于提高其它添加剂例如整平剂和抑制剂的功效的亚烷基或多亚烷基二醇单醚，所述亚烷基或多亚烷基二醇单醚可溶于水相且具有不大于约500的分子量；和相关的电镀方法。

一种低共熔溶剂电沉积亮铬镀层的方法

申请号 201610267769.9

公开日 2016.08.03

申请人 昆明理工大学

地址 云南省昆明市五华区学府路253号

本发明涉及一种低共熔溶剂电沉积亮铬镀层的方法，涉及表面工程和表面处理技术。在惰气环境下，首先在电解槽中加入低共熔溶剂，然后向低共熔溶剂中加入氧化铬，制备得到低共熔溶剂电解液；以石墨为阳极，预处理后的基体为阴极，在上述步骤制备得到的低共熔溶剂电解液中电沉积，将电积后的基体经丙酮、蒸馏水冲洗，干燥后即可在基体上得到一层亮铬镀层。本发明制得的亮铬镀层光亮致密平整，与基体结合能力强，耐磨性及耐腐蚀性优异。

电沉积方法、电沉积液和电沉积制备稀土永磁材料的方法

申请号 201510694823.3

公开日 2016.08.10

申请人 北京中科三环高技术股份有限公司

地址 北京市海淀区中关村东路66号甲1号长城大厦27层

本发明公开了电沉积方法、电沉积液和电沉积制备稀土永磁材料的方法，该电沉积方法用于在R2–T–B型烧结母合金表面沉积重稀土元素，所述方法包括以下步骤：步骤1，提供电沉积液；所述电沉积液包括含重稀土元素的主盐、诱导重稀土元素沉积的诱导盐和作为溶剂的有机离子液体；所述主盐为重稀土元素的四氟硼酸盐；步骤2，将R2–T–B型烧结母合金在电沉积液内进行电镀，所述电镀过程的温度为0 ～ 200 °C。本发明的有益效果为：重稀土元素在R2–T–B型烧结母合金表面沉积速度快，能够节省电沉积工艺时间，提高生产效率。镀层厚度更厚，能够达到10 ～ 40 μm。

一种电沉积法制备MnCo2O4尖晶石涂层的方法

申请号 201610403183.0

公开日 2016.08.10

申请人 沈阳飞机工业(集团)有限公司

地址 辽宁省沈阳市皇姑区陵北街1号

本发明公开一种电沉积法制备MnCo2O4尖晶石涂层的方法，包括(1)对基体样品进行打磨，清洗待用；(2)以石墨为阳极，基体样品为阴极在镀液中进行电镀沉积；镀液的组成为：0.02 ～ 0.08 mol/L钴源，0.8 ～ 1.6 mol/L锰源，0.03 ～ 0.08 mol/L乙二胺四乙酸二钠，20 ～ 80 g/L氯化铵，10 ～ 60 g/L溴化铵，余量为水；(3)将电镀后的基体样品置于700 ～ 900 °C氩气中保温1 ～ 6 h，然后在置于800 ～ 900 °C的空气中氧化2 ～ 8 h即得MnCo2O4尖晶石涂层。该方法具有操作工艺简单、效率高和成本低等特点，且所制备涂层致密、连续，与基体结合性良好。

一种液相电沉积制备微纳米银枝晶的方法

申请号 201610297982.4

公开日 2016.08.31

申请人 上海应用技术学院

地址 上海市徐汇区漕宝路120-121号

本发明属于材料化学技术领域，具体为一种液相电沉积制备微纳米银枝晶的方法。本发明方法以经过预处理的基体为阴极，以银片片电极为阳极，以含有银盐和N–甲基吡咯烷酮的去离子水溶液为电解液，采用恒压电解的方式，在2 ～ 50 V的电压，30 ～ 60 °C的温度下进行电解，在基体表面即得到微纳米银枝晶；其中：电解液中，所述N–甲基吡咯烷酮的体积分数为10% ～ 50%；采用本方法制备的银枝晶直径60 ～ 300 nm，长度10 ～ 80 μm。采用本方法制备的微纳米银枝晶形貌易于控制，操作简单。

[ 编辑：杜娟娟 ]