国家军用标准GJB/Z 299D《电子设备可靠性预计手册》（送审稿）顺利通过审查

国家军用标准GJB/Z 299D《电子设备可靠性预计手册》（送审稿）顺利通过审查

国家军用标准GJB/Z 299系列《电子设备可靠性预计手册》是当前电子设备可靠性指标论证、指标分配、方案优选和设计改进必不可少的依据，是开展可靠性试验和研制转阶段评审的支撑性、基础性标准。当前的有效版本是2006年发布的GJB/Z 299C，该标准的及时修订更新对电子设备开展相关可靠性工作至关重要。从2013年起，标准编制组承担GJB/Z 299C的修订工作，开展了卓有成效的工作。在大量收集信息和广泛征求意见的基础上修订形成的GJB/Z 299D标准送审稿于2016年9月通过了技术基础管理中心组织的审查，在完成报批程序后即可正式发布。

修订后的GJB/Z 299D将合并代替GJB/Z 299C-2006和GJB/Z 108A-2006《电子设备非工作状态可靠性预计手册》，将满足武器装备现代化建设中采用大量的新型元器件而产生的对可靠性预计适用性、覆盖面、实用性和准确性等方面的需要，将为维修性、保障性、测试性和安全性等领域的工作开展提供更加扎实的基础。

修订的主要内容有:

1）将原仅适用于工作状态可靠性预计的指导性技术文件，通过增加资料性附录调整为适用于全寿命状态的可靠性预计指导性技术文件，同时给出了装备对国产电子元器件工作、非工作状态，以及进口电子元器件的可靠性预计模型和方法；

2）细化了可靠性预计质量等级的划分，更新了可靠性预计质量等级引用的生产执行标准，并适当地调整了部分元器件类别的质量系数；

3）调整了各类别元器件的基本失效率数值和π系数值，更新了T-S曲线图；

4）更新了各类别元器件的通用失效率；

5）增加了箔式电阻器、非线绕精密电位器、氧化铌电解电容器、雪崩二极管、功率晶体管、达林顿晶体管、GaN微波集成电路、GaN微波场效应晶体管、激光二极管、光电晶体管探测器和砷化镓太阳能电池等30类元器件的可靠性预计模型或参数；

6）删除了合成电阻器、3类瓷介电容器、玻璃釉电容器、功率线绕电位器、微波锗检波和微波锗混频二极管的可靠性预计模型；

7）修改和完善了片式膜电阻、电连接器、继电器、电感器、变压器、振荡器、普通二极管、双极型晶体管、硅场效应晶体管、微电路、光电子器件、激光器和光纤连接器的预计模型或系数；

8）扩展了微电路和行波管的预计范围（产品规模）；

9）给出了“电子元器件全寿命状态的可靠性预计（资料性附录）”“电子元器件非工作状态可靠性预计（规范性附录）”“采用进口电子元器件的电子设备可靠性预计（规范性附录）”“基于失效物理的电子设备可靠性预计方法（资料性附录）”“电子元器件失效模式及频数比（资料性附录）”和“工作失效率计算示例（资料性附录）”等相关附录。

（工信部电子五所数据中心周军连供稿）