利用垂直馈穿部进行的晶片级气密包装方法

2016-05-30 08:15

科技创新导报 2016年2期

关键词：过孔阿金气密

申请公布号：CN105579391A

申请号：2013800794175

申请人：S·E·阿尔珀；M·M·土伦巴斯；T·阿金

地址：土耳其安卡拉

发明人：S·E·阿尔珀；M·M·土伦巴斯；T·阿金

Int.Cl.：B81C1/00（2006.01）I

PCT进入国家阶段日：2016.03.07

PCT申请数据：PCT/TR2013/000298 2013.09.11

PCT公布数据：WO2015/038078 EN 2015.03.19

摘要：一种用于MEMS结构的晶片级包装方法，希望将该MEMS结构封装在气密空腔中，并且该MEMS结构需要将至少单个或多个电引线转移到空腔外部，并且不损坏空腔的气密性。引线转移是利用垂直馈穿部实现的，在生产封装空腔的同一制造步骤中在封帽基板上对该垂直馈穿部进行构图。此外，垂直馈穿部和到达这些馈穿部的过孔的结构被以如下方式布置，即传统焊线结合将足以将垂直馈穿部连接至外界，而无需在过孔内重填导体。该方法与使用各种密封材料如薄膜金属和合金的基于低温热压缩的结合/密封过程兼容，并且还与硅玻璃阳极或硅-硅共熔结合过程兼容。