包括埋入式阳极氧化物结构的半导体装置及其制造方法

申请公布号：CN105789109A

申请公布日：2016.07.20

申请人：英飞凌科技股份有限公司

地址：德国诺伊比贝尔格

发明人：H-J·舒尔策；I·莫德；I·穆里

Int. Cl.：H01L21/762（2006.01）I；H01L21/335（2006.01）I；H01L21/331（2006.01）I；H01L29/78（2006.01）I；

H01L29/739（2006.01）I

优先权：14/594，838 2015.01.12 US

摘 要：该发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据半导体装置的制造方法，从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中。通过将半导体本体浸入电解液中并且在半导体本体与接触电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在第一沟槽的底侧形成阳极氧化物结构。