专利名称:一种刻蚀金属钼材料的方法
2014-01-30 19:55
中国钼业 2014年3期
专利申请号:CN201110362349.6
公开号:CN102417156A
申请日:2011.11.15
公开日:2012.04.18
申请人:北京大学
本发明公开了一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后采用高密度等离子体(如ICP、TCP 等)干法刻蚀工艺，产生高密度、高能量离子和自由基，实现了对金属钼体材料的高速率、各向异性刻蚀。刻蚀速率可达2.63 μm/min，刻蚀结果侧壁的陡直度可达70°。基于本发明的方法，可利用金属钼衬底基片作为制备MEMS 器件的主体材料。
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