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一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法

申请(专利)号:201210400849.9

公开(公告)日:2013-03-27

申请(专利权)人:天津大学

本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法，步骤为:(1)对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗;(2)采用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备孔径尺寸在50～200 nm的硅基孔洞有序多孔硅，腐蚀液为6% ～8% 的氢氟酸水溶液，施加的腐蚀电流密度为115～135 mA/cm2，腐蚀时间为5～25 min;(3)再将多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，制备基于硅基孔洞有序多孔硅的氮氧化物气体传感器元件。本发明的制备方法简单，灵活可调，工艺条件较少，易于控制;提供了一种可在室温及极低浓度(0.1×10－6)下具有高灵敏度、高选择性、快速响应/恢复特性、重复性好的氮氧化物气体传感器元件。

一种超高光谱分辨率气体中波红外光谱测量系统

申请(专利)号:201310059699.4

公开(公告)日:2013-05-08

申请(专利权)人:浙江大学

摘要:本发明公开了一种超高光谱分辨率气体中波红外光谱测量系统。它由无纵模宽带中波红外激光源、气体吸收池和超高分辨率的光谱仪构成;无纵模宽带中波红外激光源经由光学系统在空间上直接入射到气体吸收池，并从气体吸收池出射后入射到超高分辨率的光谱仪后获得待测量的气体吸收光谱。采用无纵模宽带中波红外激光源使得入射光源具有光谱成分连续、在不同激光脉冲之间光谱稳定的特点，使得超高分辨率光谱仪的光谱测量不会受到模式跳变的影响。因此，本发明具有极高光谱分辨率的同时，能测量气体吸收光谱的微弱变化，适用于痕量气体的测量。

硅烷尾气处理装置以及方法

申请(专利)号:201110347328.7

公开(公告)日:2013-05-08

申请(专利权)人:无锡华润华晶微电子有限公司

摘要:本发明涉及硅烷尾气处理装置及其处理方法。该硅烷尾气处理装置具备燃烧筒，所述燃烧筒具备:进气口，用于通入以硅烷气体为主要成分的硅烷尾气;第一反应气体通入口，用于通入第一反应气体;第二反应气体通入口，用于通入第二反应气体;排气口，用于排出所述硅烷气体与所述第一反应气体和第二反应气体反应之后的气体，其中，上述第一反应气体通入口和上述第二反应气体通入口分开设置，并且上述第一反应气体通入口设置在比上述第二反应气体通入口更靠近进气口的位置。另外，还设置有气体流速降低装置。利用本发明的硅烷尾气处理装置及其方法能够对硅烷尾气进行完全处理，提高工艺的安全性。

一种制备六氟乙烷的方法

申请(专利)号:201110392480.7

公开(公告)日:2013-06-05

申请(专利权)人:中化蓝天集团有限公司浙江蓝天环保高科技股份有限公司

摘要:本发明公开了一种以一氯五氟乙烷为原料制备六氟乙烷的方法，在Cr催化剂、Cr-Mg催化剂、Cr-Al催化剂或Cr-Mg-Al催化剂作用下，一氯五氟乙烷气体流与氟化氢气体流进行气相反应生成六氟乙烷。本发明使用的一氯五氟乙烷气体流可以含有5%以下杂质。本发明公开的制备方法具有操作简便、易于工业化应用、选择性高和转化率高等优点。

一种气体分离膜的制备方法

申请(专利)号:201310167130.X

公开(公告)日:2013-07-24

申请(专利权)人:哈尔滨工业大学

摘要:一种气体分离膜的制备方法，它涉及一种高分子分离膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的气体分离膜存在对CO2渗透性能低的问题。方法:一、混合;二、刮涂成膜;三、浸泡干燥，即得到气体分离膜。本发明优点:本发明制备的气体分离膜对CO2渗透性能为273～409 bar(1 bar=0.1 MPa)。本发明主要用于制备气体分离膜。