左晶晶,黄荣进,陈 振,韩叶茂,郑立允
(1.河北工程大学机电学院河北邯郸056038;2.中科院理化技术研究所北京100190)
随着材料科学的不断发展,对材料性能的要求也越来越苛刻,最普遍的问题之一就是材料的热膨胀匹配问题。如果一个元件的精确外形及外形的细微变化对其功能至关重要,而且这种材料所应用的环境又面临较大的温度变化,那么其热膨胀性质对这种材料的性能稳定、寿命及应用范围将有着不同寻常的意义。热应力造成的机械疲劳、蠕变、形貌及微结构上的不易察觉的变化,甚至应力断裂等将严重导致材料性能的变化甚至整个设备失效。尤其是一些高精密仪器设备,例如光学、电子学和生物医学等[1]。因此,精确控制材料的热膨胀系数,对在较宽温度区间工作的先进功能仪器设备来说是当前迫切的要求。负热膨胀(NTE)材料,即体积随着温度的升高而缩小,可掺杂正膨胀材料合成整体所需热膨胀系数的复合材料[2-4]。这种特点在需要精确控制热膨胀的技术应用上是非常有价值的。近几年,NTE材料已经受到了相当大的关注,尤其在氧化物体系,如然而,这些 NTE 材料都是绝缘的,并且热导率相对较低,从而限制了在某些电学仪器设备方面的应用。因此,合成具备可控的热膨胀系数(CTE)和良好的电导性、热导性的材料在这一领域具有发展前景。
为了进一步提高反钙钛矿锰基氮化物NTE材料的电导和热导性能,本文采用机械球磨加固相烧结法合成 CTE 可调控的 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag复合材料。并在77~300 K分别研究了复合材料的热膨胀性能、电导性能和热导性能。研究发现,Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag 复合材料显示出更高的电导率1×106(Ohm·m)-1和热导率10.5 W/(mK)。另外,随着 Ag含量的增加,NTE温区向室温方向移动,且负热膨胀温区内线热膨胀率ΔL/L变化量减小。
采用机械球磨加固相烧结法,在充足氮气保护氛围下分别合成含Ag量1 wt%、5 wt%、10 wt%和 20 wt% 的 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag 复合材料。以颗粒大小约为0.01mm的 Cu粉(99.99 at%纯)、Si粉(99.99 at% 纯)、Ge 粉(99.99 at%纯)、Mn 粉(99.99 at% 纯)和 Ag粉(99.99 at%纯)为最初材料。首先,将Mn粉置于流通N2的管式炉内,750℃烧结24 h合成Mn2N。然后将Cu粉、Si粉、Ge粉和Mn2N混合放入玛瑙罐,充入N2为保护气,用行星球磨机以350rpm球磨12 h。之后,将混合粉末置于管式炉在氮气氛围下850℃烧结 24 h,合成 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N。最后,将合成的 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 粉末和 Ag 粉混合,室温下50 MPa压成直径12 mm的圆柱体,放入流通氮气管式炉中850℃烧灼24 h,制备出复合材料 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag。
用X射线粉末衍射仪对制备的样品进行物相分析。X-射线衍射仪为理学D/max2500多晶衍射仪。采用Cu-Kα线,波长为0.154 056 nm。线热膨胀采用以已知熔融石英为参考样品的应变片法[17-19]在77~300 K 测试。电导率采用标准四引线法在77~300 K测试。热导率采用稳态法在77~300 K测试。
图 1 为 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag(含 Ag 量1 wt%,5 wt%,10 wt%和20wt%)所有样品的室温X射线衍射图。通过XRD数据库索引发现:样品的主要衍射峰为Mn3CuN相结构(空间群,Pm3m)(JCPDS卡,NO.23-0220)。同时,还存在 Ag衍射峰,并且衍射峰的强度随Ag含量的增加而增大。这表明,样品中有多余的Ag原子存在。Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 和 Ag 合 成 复 合 材 料 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag。
图2为 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 和 Ag 在77 ~300 K温区内的线热膨胀率ΔL/L(300K)与温度的关系曲线。从图中可以看出,整个温区内,Ag的线热膨胀率与温度基本成线性关系,随温度的增加单调递增,线热膨胀系数大约为15×10-6K-1。而Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 在 200 K 以上几乎为线性,并且线热膨胀系数和Ag的线热膨胀系数相近,为 14.8 ×10-6K-1。在 77 ~200 K 温区内,Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 样品出现负热膨胀,且在较宽温区90~190 K(ΔK=100 K)具有大的负热膨胀现象。其中在120~180 K温区内平均线热膨胀系数约为是-16×10-6K-1,与温度有较好的线性关系。
图3为 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag(Ag 含量分别为1 wt%,5 wt%,10 wt%和20wt%)的线热膨胀图。由图可知,在一定的温度区间,所有的样品均表现出负热膨胀现象,并且负热膨胀温区随着Ag含量的增加向常温移动。Ag含量为1 wt%,5 wt% ,10 wt% 和 20wt% 的 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag复合材料负热膨胀分别始于205K,225K,245K 和 255K。相比于 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N,负热膨胀温区明显向常温移动。另外,负热膨胀温区的线热膨胀变化率递减,尤其是当Ag含量为20wt%时,线热膨胀率为 -4.15 ×10-6K-1。然而,Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag 的负热膨胀温区依次变窄。
反钙钛矿锰基氮化物是电子关联材料[20],其热膨胀性能与材料磁有序-无序转变有关,而磁有序-无序转变温度各元素的“电子浓度”有关,“电子浓度”越小,磁有序 -无序转变温度越低[21]。图3所示,所有样品的NTE温区随Ag含量的增加而向室温移动。原因可能是一些Ag原子与 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 反应,形成其它的反钙钛矿锰基氮化物。Ag比Cu多一个电子层,当部分Ag替代Cu时,导致了电子浓度增大,从而导致磁转变温度向常温移动。另外,Ag在整个温度区间都显示正膨胀系数,而Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N在一定区间表现出负膨胀,Ag 和 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 合成 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag 复合材料,正负膨胀相互抵消。因此,复合材料表现出综合的热膨胀性能。随着Ag含量的增加,正膨胀量占比份大,故线热膨胀率变化量越来越小。
众所周知,绝大多数负热膨胀材料是绝缘的。然而,在实际应用中,拥有良好导电性能的NTE材料具有广泛的应用前景[22]。本文中,在77~300 K温区范围内分别测量了Ag含量为1,5,10和20wt%的电导率。实验结果如图4,从图中可以看出,样品的电导率为6×105~1×106(Ohm·m)-1,表现出良好的导电性。而 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 的导电率为 2.0×105~ 2.4 × 105(Ohm ·m)-1[23],Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag 的导电性几乎是 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 的 4 倍。因此,Ag 的掺杂是提高 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N电导性的有效途径。
另外,在温区77~300 K所有样品的电导率随温度单调递减,显示出金属性的导电特点。在负热膨胀温区,所有 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag复合材料样品导电性没有出现任何异常。说明这种复合材料的导电率和负热膨胀性能无关。由于Ag具有良好的导电性,因此,Ag的加入逐渐增加了复合材料的导电性。
Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag(Ag 含 量 为10wt%,20wt%)复合材料的热导率如图5所示。热导率范围为 4.0~10.5 W/(mK),稍高于 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N 的热导率 (1.9 ~ 3.6 W/(Mk)[24])。由于 Ag含量越来越多,使得 Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag 复合材料的导热性逐渐增加。
成功制备了可调控热膨胀系数的Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag 复合材料。这种材料具有负热膨胀性能,而且Ag的掺杂使得负热膨胀温区向室温移动,线热膨胀率的变化量减小。另外,Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag 复合材料具有良好导电性,电导率为 6×105~1×106(Ohm·m)-1。同时,随着 Ag 含量的增加,Mn3(Cu0.6Si0.15Ge0.25)N/Ag复合材料的热导率也有所增加,热导率为4.0~10.5W/(mK)。
[1] KOINUMA H,KAWASAKI M,HASHIMOTO T,et al.High Tc Superconductivity of rf-sputteredEr-Ba-Cu- OFilms[J] .Applied Physics,1987,26:1462-1464.
[2] SUN Y,WANG C.Lattice contraction and magnetic and electronic transport properties of Mn3Zn1 - xGexN[J] .Applied Physics letters,2007,91:231913.
[3] TAKENAKA K,INAGAKI T,TAKAGI H.Conversion of magnetic structure by slight dopants in geometrically frustrated antiperovskite Mn3GaN[J] .Applied Physics letters,2009,95:132508.
[4] DING L,WANG C,NA Y Y,et al.“Preparation and near zero thermal expansion property of Mn3Cu0.5A0.5N(A=Ni,Sn)/Cu composites[J] .Scripta Materialia,2011,65:687 -690.
[5] PEROTTONI C A,JORNADA J A H.Pressure-induced amorphization and negative thermal expansion in ZrW2O8[J] .Science,1998,280(5):886 -889.
[6] SLEIGHT A W.Negative thermal expansion materials[J] .Current Opinion in Solid State and Materials Science,1998,3(2):128-131.
[7] EVANS J S O,MARY T A,SLEIGHT A W.Negative thermal expansion in a large molybdate and tungstate family[J] .Journal Solid State Chemistry.1997,133:580 -583.
[8] SLEIGHT A W,MARY T A,EVANS J S O.Negative thermal expansion of ZrW2O8[J] .U.S.Patent,1995,5:1-6.
[9] MARY T A,EVANS J S O,SLEIGHT A W.Negative thermal expansion from 0.3 to 1050 Kelvin in ZrW2O8[J] .Science,1996,272:90 -92.
[10] EVANS J,MARY T,VOGT T,et al.Negative thermal expansion in ZrW2O8 and HfW2O8[J] .Chemistry of Materials,1996,8(12):2809 -23.
[11] ZHANG C Y,ZHU J,ZHANG M C.NEGATIVE THERMAL EXPANSION PHENOMENA OF Mn3(Cu1-xGex)N[J] .Acta Metallurgica Sinica,2009:97 -101.
[12] SUN Z H,SONG X Y,XU L L,et al.Giant negative thermal expansion in ultrafine-grained Mn3(Cu1-xGex)N(x=0.5)bulk[J] .Applied Physics letters,2009,42:122004.
[13] NAKAMURA Y,TAKENAKA K,KISHIMOTO A,et al.Mechanical properties of metallic perovskite Mn3(Cu0.5Ge0.5)N:high - stiffness isotropic negative thermal expansion material[J] .Journal of the American Ceramic Socicty,2009,92(12):2999-3003.
[14] SUN Z H,SONG X Y,XU L L.Effects of sintering temperature on microstructure nitrogen deficiency and densification of spark plasma sintered Mn(3)Cu(0.5)Ge(0.5)N[J] .Ceramics International,2011,37:1693-1696.
[15] TAKENAKA K,TAKAGI H.Giant negative expansion on Ge - doped antiperovskite Manganese nitrides[J] .Applied Physics letters,2005,87:261902.
[16] HUANG R J,LI L F,CAI F S,et al.Low - temperature negative thermal expansion of the antiperovskite manganese nitride Mn3CuN codoped with Ge and Si[J] .Applied Physics letters,2008,93:081902.
[17] FINKE T E,HEBERLING T G.Determination of thermal-expansion characteristics of metals using strain gages[J] .Experimental Mechanics,1978,4:155 -158.
[18] POORE M W,KESTERSON K F.Measuring the thermal expansion of solids with strain gauges[J] .Journal of Testing and Evaluation Subject Index to Volume,1978,2:98.
[19] KIRBY R K,HAHN T A.Standard Reference Material 739 fused-silica thermal expansion[J] .Certificate of analysis ,1971,12:45 -50.
[20] SUN Y,WANG C,WEN Y C,et al.Negative Thermal Expansion and Correlated Magnetic and Electrical Properties of Si- Doped Mn3GaN Compounds[J] .Journal of the American Ceramic Socicty,2010,93:650-653.
[21] FRUCHART D,BERTAUT E F.Magnetic studies of the metallic perovskite-type compounds of manganese[J] .Journal of the Physical Society of Japan,1978,6:781-791.
[22] SALVADOR J R,GUO F,HOGAN T,et al.Zero thermal expansion in YbGaGe due to an electronic valence transition[J] .Nature,2003,425(12):702 -705.
[23] HUANG R J,WU Z X,YANG H H,et al.Mechanical and transport properties of low-temperature negative thermal expansion material Mn3CuN co-doped with Ge and Si[J] .Cryogenics ,2010,50:750 -753.