失性
- 基于FPGA的非易失性存储器NvRAM时序分析方法
尤为重要。而非易失性存储器（Non-Volatile Random Access Memory，NvRAM）因其断电后数据仍然能够保留的特性大受推崇，并且NvRAM还具有速度快、自动保存和自动恢复数据等功能，电路设计相对简单，被广泛使用在机载设备当中[1-2]。随着存储器的性能逐渐在计算机系统中占据了越来越重要的位置，能否高效准确运用存储器就有了更高的要求。在工程中，开发者们逐渐发现对于存储器的控制逻辑相对复杂，时序要求也比较严格，且在调试过程中，存储器出
信息记录材料 2023年1期2023-03-13
- 关于一台数控机床系统数据丢失的修复方法*
重要,其中包含易失性数据和非易失性数据,如果电池没电、硬件损坏、系统干扰等都会造成机床数据丢失的可能性,也是典型的机床故障,通过案例形式分析数据类型及故障处理方法,有效提升维修人员的故障处理能力。1 故障基本情况CTX310车削中心为SINUMERIK 840D系统,系统硬件为PCU20,订货号:6FC5210-0DF00-1AA1,由于机床长时间处于关机状态,导致系统无法正常启动进入操作页面,只停留在840D shop stun界面。如图1所示:图1 显
包头职业技术学院学报 2023年4期2023-03-07
- 序言：新型存储器件与系统
大数据应用的非易失性内存安全技术，重点分析了存储系统在采用非易失性内存后对系统体系结构和安全方面的影响以及所产生的新问题和新方法等；重庆大学的科研团队[2]综述了将计算单元临近存储器的近数据处理技术，并全面分析和研究了相关系统架构、编程框架、应用场景以及软硬件平台等；武汉理工大学的科研团队[3]介绍了非易失性存储器件的性能、可靠性和应用方面的重要工作，并对相关器件和技术应用在存储系统中的发展趋势进行了分析和展望；西北工业大学的科研团队[4]面向传统块接口限
集成技术 2022年3期2023-01-06
- 一种非易失性可重构场效应晶体管研究
在此提出一种非易失性浮动可编程门可重构场效应晶体管（FPG-RFET）。2 器件结构与传统的RFET不同，FPG-RFET引入了非易失性电荷存储层作为浮动程序门，而不是需要独立电源的程序门，在浮动程序门中存储的电荷可以通过控制门进行编程，所以本质上只需要一个独立供电的门即可完成可重构操作。此外，控制门可以调节浮动编程门中的等效电压，有效地降低静态功耗和逆漏电流的产生。新设计器件结构如图1所示。图1 新设计FPG-RFET结构图可见，所设计器件为平面沟道。以
微处理机 2022年4期2022-09-02
- 科学家开发出三维垂直场效应晶体管
。FET可以非易失性方式存储1和0，这意味着它不需要一直供电;垂直设备结构则增加了信息密度并降低了操作能源需求。氧化铪和氧化铟层沉积在垂直沟槽结构中，铁电材料具有在同一方向排列时最稳定的电偶极子，铁电氧化铪自发地使偶极子垂直排列。信息通过铁电层中的极化程度存储，由于电阻的变化，系统可以读取。另一方面，反铁电体通常在擦除状态下上下交替偶极子，这使得氧化物半导体沟道内的擦除操作變得有效。研究证实，该器件在至少1 000个周期内都可保持稳定，研究人员还使用第一原
河南科技 2022年12期2022-07-14
- 面向非易失性内存的持久索引数据结构研究综述
061 引言非易失性内存是一种新兴的存储介质，其具备字节可寻址、内存级别读写时延的特性，这给当前大量的存储系统带来了根本性的变革。非易失性内存正在迅速发展，现有的大部分非易失性内存（如相变内存[1]、STT-RAM[2]等）仍处于研究阶段，但由美光科技有限公司和英特尔联合研制的傲腾持久内存（基于3D XPoint[3]）已经发布，并且投入市场。由此，在存储系统中尽可 能发挥非易失性内存性能优势的需求越发迫切。其中，面向非易失内存研发新型持久索引数据结构是解
大数据 2021年6期2021-11-22
- 普冉股份：营收和业绩高速增长的非易失性存储器芯片厂商
。普冉股份在非易失性存储器芯片领域深耕多年，公司的品牌以其宽电压、超低功耗、高可靠性、高性价比等产品优势获得较高的认可，近年来营收和业绩保持快速增长趋势。近日普冉股份首次公开发行新股并在上交所科创板上市，募集资金拟用于“闪存芯片升级研发及产业化项目”。产品具备较强竞争优势出货量呈现爆发式增长普冉股份的主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售，目前主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片，属于通用型芯片，可广泛应用于众多领域。20
证券市场周刊 2021年31期2021-08-23
- 非易失半导体存储器技术发展状况浅析
保留数据，分为易失性和非易失性两种。其中作为计算机处理器高速缓冲的静态随机存储器（SRAM），以及作为内存的动态随机存储器（DRAM）是两种最常见的易失性存储器；而非易失半导体存储器则是指在断电情况下，数据可稳定保留十年以上的RAM，它兼顾了读写速度以及数据保持能力两方面，因此被广泛应用，是当前半导体存储器技术发展的热点。根据用途、原理，半导体存储器的基本分类情况如图1所示。二、世界非易失半导体存储器发展现状与趋势目前主要的非易失性存储器是闪存（FLASH
科技中国 2021年4期2021-06-04
- 基于二维层状GaSe 纳米片忆阻器阻变特性研究
具应用前景的非易失性存储器之一[4]。相对于传统的Flash 存储器,忆阻器还有许多优越的综合存储性能[1],包括高擦写速度、高储存密度、高耐受性、低功耗、微缩性好和三维存储潜力等众多优点。因此,近年来忆阻器作为信息存储和计算受到了广大研究者们和工业界的广泛关注。另一方面,自2004 年石墨烯被首次实验发现以来,二维材料的研究得到了广泛的关注。近几年,越来越多的二维材料被应用到阻变器件的研究中,包括作为电极材料的石墨烯、过渡金属硫化物、氮化硼等。最近,本研
电子元件与材料 2021年4期2021-04-28
- 单兵巡飞弹弱弹道环境智能感知系统
，采用高可靠非易失性存储芯片实现弹道数据存储，芯片尺寸为5 mm×5 mm×2.5 mm。图2 高可靠存储模块电路Fig.2 Highly reliable memory module circuit2 无信息交互下弱环境感知试验无信息交互即弹载计算机和引战系统无持续相互通信(询问状态和反馈状态)，仅测试感知系统对微弱环境力的感知精度和感知、存储可靠性。2.1 离心过载试验地面过载测试系统搭建在离心环境下，以模拟单兵巡飞弹的整个弹道环境。为了完整地模拟飞控
探测与控制学报 2021年6期2021-02-18
- 基于持久化内存的索引设计重新思考与优化
ac.cn)非易失性内存(non-volatile memory， NVM)是近几年来出现的一类存储介质的统称，例如:PCM[1]，ReRAM[2]，STT-RAM[3]等.一方面，这些存储介质同DRAM(dynamic RAM)一样有着低访问延迟、可字节寻址的特性；另一方面，与DRAM不同的是，它们具有非易失性、较低的能耗和较高的存储密度.这使得基于NVM技术的非易失性内存有着更大的单片存储容量，同时能够作为存储设备保存数据.若利用基于非易失性内存构建存
计算机研究与发展 2021年2期2021-02-07
- 存储器中易失性用户大数据并行处理控制系统
具有很强的脆弱易失性[5]。本文在存储器中易失性用户大数据并行处理控制系统的硬件和软件框架进行设计，根据所设计框架阐述了易失性用户大数据并行处理控制系统的工作流程，通过实验验证了存储器中易失性用户大数据并行处理控制系统的可行性。1 易失性用户大数据并行处理控制系统硬件设计储存器中数据一般有易失性数据、网络数据、硬盘数据3种，如同用户登入、网络连接、运行进程等具有强时态性的数据信息，就属于易失性数据的范畴[6]。易失性数据具有隐蔽性、客观性、脆弱易失性的特点
计算机测量与控制 2019年3期2019-03-19
- FRAM存储器及其在新型12导心电图机中的应用分析
的，它是一种非易失性的读写存储器，其核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料有快速存储和不会丢失数据两大突出型优点，所以便携式检测设备如新型12导心电图机就采用了FRAM存储器来记录患者数据。一、传统半导体与FRAM存储器的区别传统半导体存储器可分为两种，一种是易失性存储器，一种是非易失性存储器。易失性存储器（RAM）又分为静态RAM和动态内存两种，它可以在随时随地进行读写，且读取速度快，操作方便，但关闭电源后数据不能保存，若想保存数据就必去把他们存入到硬盘中
健康大视野 2018年13期2018-10-31
- 基于RRAM的混合存储模型
,4]。新型非易失性存储器(non-volatile memory，NVM)的出现，为解决上述问题提供了方向。现有的NVM主要有相变存储器(phase change memory，PCM)、阻变存储器(resistive random access memory，RRAM)、自旋转移力矩存储器(spin-transfer torque RAM，STT-RAM)[5,6]等，它们具有非易失性、漏电功耗低、存储密度高和扩展性强等特性，成为存储领域的研究热点，有
计算机工程与设计 2018年10期2018-10-24
- 一个基于日志结构的非易失性内存键值存储系统
的开销.由于非易失性内存的延时接近于DRAM，这种用户态/内核态切换开销对存储系统的性能的影响是不能忽略的.在基于DRAM内存存储系统方面，键值存储也是研究热点，如在实际中被广泛应用的Memcached[11]、性能非常好的MICA[12]，但针对DRAM设计的系统无法顾及到非易失性内存的特性，如NVM的读写延时的差异、DRAM与NVM访问速度差异等.因此，综合DRAM和NVM各自特点开发新型的系统需要新的设计思路和实践.在使用NVM设计存储系统时，传统的
计算机研究与发展 2018年9期2018-09-21
- 中国开创第三类存储技术
入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。据了解，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉電后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，例如人们常用的U盘，在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据，第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒—10年）的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极
科教新报 2018年16期2018-09-08
- 多铁异质结构中逆磁电耦合效应的研究进展∗
磁性行为也具有易失性,例如在PMN-PT(001)上生长CoFe2O4[27]和La0.7Sr0.3MnO3[28],电场对磁性的调控都显示了蝶形(butterf l y)行为,这不利于磁存储等实际应用,研究人员也在努力寻找新的电场非易失调控磁性行为.Zhang等[26]意识到铁电畴在电场调控磁性中的重要作用,将20 nm非晶态CoFeB薄膜生长在PMN-PT(001)衬底上(图2(a)),观察到了电场对磁性的显著的非易失性调控.这一现象不能用界面电荷机理
物理学报 2018年15期2018-09-06
- 异构非易失性内存卷模式实现与应用
)0 引 言非易失性内存设备NVM(Non-volatile memory)是指在系统掉电时仍能保持数据不丢失的存储设备。从发展历程看，主要分为块寻址和字节寻址两种。块寻址设备性能比动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)低得多，而字节寻址设备性能接近DRAM。针对NVM建立访问模式的研究主要集中在两个方面。一方面将NVM当作存储设备，在NVM上建立文件系统进行持久内存管理[1]。另一方面，对于按字节寻址的NVM，
计算机应用与软件 2018年8期2018-08-15
- 你认识的存储器真的是你认识的存储器吗？
数据存储方式（易失性和非易失性）和访问方式（随机或顺序）分类（见表1所示）。如果按功能分类，存储器可分为两大类：主存储器（主存储器或存储器），是可作用于数据的有效类型；辅助存储器（数据存储），可提供长期存储。对于主存储器，速度至关重要，因为它负责存储当前使用的和/或更改的数据。试想您在玩最喜爱的电子游戏时，每做一个动作都要暂停一次，或者因为智能手机的GPS应用无法及时重新定位而错过一个路口时，您会有多懊恼。缓存是主存储器的子集，需要存储等待执行的指令，因此
电子工业专用设备 2018年1期2018-03-16
- Intel同美光将在2019年停止NAND flash技术合作
被广泛使用的非易失性存储器产品，产品被广泛使用在智能手机、个人电脑、平板电脑、数据中心等市场中，2017年全球NAND flash产品销售额高达550亿美元。现今，NAND flash已经发展至1X nm工艺制程，但是由于先进工艺制程造成了NAND氧化层越来越薄、可靠性越来越差的问题。为提高存储器的容量、性能、可靠性，各大NAND flash已經开始通过堆叠形式研发和生产3D NAND flash产品。Intel和美光共同开发的最新第三代3D NAND f
中国计算机报 2018年5期2018-02-26
- 非易失性铁电畴壁存储器原型开发成功
非易失性铁电畴壁存储器原型开发成功由来自澳大利亚、美国和中国的研究人员组成的国际研究团队成功开发出了非易失性铁电畴壁存储器的功能性原型。铁电畴壁是含有相同极化区隔离缺陷的一种拓扑结构，具有独特的导电特性，通过畴壁的引入或去除能够生成可读写的二元状态，从而实现信息存储，且存储的信息能够以无损的方式被读取。与铁磁材料相似，铁电材料也具有畴壁，但铁电材料的畴壁比铁磁材料中的畴壁小得多，这就使更小尺寸存储材料的制备成为了可能。与传统的硅基复合金属氧化物半导体结构相
军民两用技术与产品 2017年13期2017-12-18
- RRAM在可编程逻辑中的应用
采用更高效的非易失性存储单元来替代SRAM使得可重复编程系统的速度和功耗得到提高。介绍了基于阻变单元的可编程nvSRAM和nvLUT，对其器件结构和工作模式进行了概述。nvSRAM和nvLUT可以被用于替代传统可编程逻辑中的SRAM和LUT，其常关和瞬时开启的特性使得静态功耗极低，同时具有更好的CMOS工艺匹配性和更易实现的微缩化前景。阻变随机存储器；随机存储器；查找表；非易失性逻辑；可编程逻辑；可重配置1 引言如今可编程器件在微系统和集成电路系统中得到广
微处理机 2017年2期2017-07-31
- 英特尔Fab 68产出3D NAND TLC数据中心级SSD
世界最先进的非易失性存储制造工厂，并成为英特尔SSD产品主要制造厂之一。5月10日，英特尔就在大连工厂发布了两款采用最新的3D NAND TLC技术所制造的数据中心级SSD产品：DC P4500/P4600。这两款产品主要为云存储解决方案所设计，可应用于软件定义存储及融合式基础设施。其中，DC P4500系列专门针对数据读取进行优化，能让数据中心从服务器中获得更多价值并存储更多数据;而针对混合型工作负载所设计的DC P4600系列则可以加速缓存，并使每台服
CHIP新电脑 2017年6期2017-06-19
- 我国数据非易失性多功能和可编程自旋逻辑器件研究获进展
我国数据非易失性多功能和可编程自旋逻辑器件研究获进展中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）的研究人员通过优化磁异质结构材料，利用自旋轨道耦合转矩效应及自旋霍尔效应，在新型自旋逻辑器件及其工作机理研究中取得重要进展。研究人员利用微纳加工方法，将Pt/Co/MgO和Ta/CoFeB/MgO两种典型的具有垂直磁各向异性的磁性异质结构加工成十字状的Hall条样品，利用锁相技术表征了两种体系中电流所携带的自旋轨道耦合力矩成分；通过在Hall条两路径同时
军民两用技术与产品 2017年5期2017-04-25
- Microsemi携新工艺FPGA发力中等规模市场
，不仅保持了非易失性FPGA具备的所有优点(如静态功耗低、安全性好、拥有单粒子翻转免疫性等)，而且涵盖了100K到500K逻辑单元的密度，尤其适合于通信、国防和工业市场的特定区间和应用。通过与Silicon Creations合作，Microsemi研制出了全面优化的12.7 Gbps收发器，尺寸小并且低功耗，从而将10 Gbps的总体功耗降低至90 mW以下。PolarFire器件具有同级最低的静态功耗，例如100K逻辑单元(LE)器件为25mW;具有零
单片机与嵌入式系统应用 2017年4期2017-04-14
- 中科院物理所基于忆耦器实现非易失性多态存储
于忆耦器实现非易失性多态存储中国科学院物理研究所的研究人员提出了一种新的非易失性存储器件——忆耦器（memtranstor），并在单个忆耦器上分别实现了两态存储、多态存储和布尔逻辑运算。据悉，忆耦器是一种基于非线性磁电耦合效应的记忆元件，源于第四种基本电路元件电耦器（transtor）。该电子元件的基本特征是具有非线性电荷-磁通回滞曲线。与忆阻器采用电阻（R=dV/ dI）的状态存储信息不同，忆耦器采用电耦（T=dq/dφ，或者等效于磁电耦合系数α=dE/
军民两用技术与产品 2017年3期2017-03-31
- CFP MSA 100G光模块管理接口设计与实现
性区分NVR非易失性存储器和VR易失性存储器2种。NVR寄存器标识模块属性（只读），在CFP光模块内部需要有非易失性存储设备支持数据存储。VR寄存器支持HOST对模块的控制命令和模块实时数字诊断信息更新。1.2CFP MDIO接口硬件设计CFP MDIO接口设计工程实现中通常有2种方案：方案一使用FPGA+MCU方式，FPGA编码实现从MDIO协议转换，FPGA和MCU之间定义私有接口，两者配合实现CFP模块标准管理接口功能；方案二使用MCU实现MDIO接
无线互联科技 2016年14期2017-02-06
- 英特尔发布Atom E3900系列Goldmont物联网处理
重头，超过了非易失性内存，仅次于客户端和数据中心业务。此外，IoT业务较上一年增长了19%，未来一年有望继续增长。在Atom E3900系列之前，英特尔曾推出过微型的Curie和性能相对更强的Atom E系列产品。但在今天之前，该公司尚未专门打造过高端IoT芯片。Atom E3800系列其实基于Bay Trail，最近发布的Joule设备则使用了Broxton（曾被英特尔砍掉的移动Atom SoC）。今天发布的Atom E3900系列，为市场带来了功耗6W
中国信息化周报 2016年43期2016-12-27
- 聚焦创新探索 提升阻变性能
氧化物异质结非易失性阻变器件具有多态存储能力、稳定性能较好，开展相关研究对推进阻变存储器实用化进程具有相当重要的意义。2006年起，颜志波就开始从事过渡金属氧化物的庞磁电阻、非易失性电阻开关及多铁性的研究。工欲善其身，必先利其器。在材料合成与样品制备方面，颜志波熟练地应用固相反应法、溶胶-凝胶法、PLD、磁控溅射等手段；在实验建设方面，他能够利用PPMS系统和各种电压/电流源表并应用LabView软件自行搭建各种实验测试与采集系统；在材料表征及样品性能分析
科学中国人 2016年7期2016-08-16
- 诗性
——史性——失性——试论《白鹿原》及其话剧和电影改编
性 ——史性——失性——试论《白鹿原》及其话剧和电影改编朱尧尧（杭州师范大学310036）摘要：陈忠实的《白鹿原》可谓是史诗性质的巨作，厚重的文本承载了半个世纪的重量，展现了立体而浑厚的民族秘史。经孟冰改编的话剧《白鹿原》虽少了几分诗性，也能彰显出几分史学价值。王全安打着“史上最难拍电影的旗号”将《白鹿原》搬上银屏，为我们展现的却是“一个女人的传奇”，完全失去了诗性和史性，无厚重感可言。本文试从百灵、田小娥、白嘉轩、朱先生等人物入手去比较原著、话剧和电影的
大众文艺 2016年7期2016-01-27
- 英特尔和美光科技推出突破性存储技术
Point的非易失性存储器技术，该技术有潜力对那些得益于快速访问大量数据的任何设备、应用或服务实现革新。现已投入生产的3D XPoint技术是存储器制程技术的一项重大突破，也是自1989 年NAND闪存推出至今的首款基于全新技术的非易失性存储器。互联设备和数字服务的爆炸式增长产生了大量的新数据。为了让这些数据变得更有价值，必须对这些数据进行非常快速地存储和分析，而这也为设计内存和存储解决方案时必须权衡成本、功耗和性能的服务提供商和系统制造商带来了挑战。3D
个人电脑 2015年8期2015-11-02
- 华虹宏力荣获“2015中国智能卡与移动支付行业评选”双料大奖
场需求嵌入式非易失性存储器（eNVM）工艺已广泛应用于智能卡芯片、微控制器（MCU）等领域，随着4G通讯、移动互联网、金融IC卡、移动支付和物联网的蓬勃发展，嵌入式非易失性存储器工艺将拥有越来越大的市场需求空间。凭借在嵌入式非易失性存储器技术的领先地位，华虹宏力在全球赢得了庞大的智能卡IC市场份额，目前是世界第一大的智能卡IC代工厂商。2014年，公司智能卡芯片出货量达31.4亿颗；其中，SIM卡芯片出货26.6亿颗，约占全球50%市场份额。重视技术积累，
电子世界 2015年19期2015-03-24
- 英特尔计划将其大连工厂升级为“非易失性存储技术”制造基地
工厂升级为“非易失性存储技术”制造基地并将其最新技术的生产引入中国北京2015年10月21日电/美通社/--英特尔公司今天宣布将计划升级其大连工厂，将转产为“非易失性存储器”制造。英特尔会将其与美光合资开发的最新非易失性存储技术引入中国，落地在英特尔大连制造。英特尔计划升级改造其大连工厂现有设施、并依托于多年来在大连所建立起的世界级的工厂运营能力和精尖制造专长。未来，英特尔预计对此项目投资高达55亿美元。该战略性计划是英特尔深化其非易失性存储器业务发展战略
电脑与电信 2015年10期2015-01-17
- 科西嘉人
暴雨的夜晚他癫疯失性瓦雷里舍弃文学，投身于哲学以求抵御一场深刻的精神危机我常常陷入沉思竭力想象他和类似的人掉进思虑的许多细节那些躲避不开危险事物的人被那白亮锋利的危机割破之时他流什么血，他说什么话在无限大的黑暗中人的一生永远提着灯笼行走在无限大的黑暗里手持火焰会带来无限大的信心俯瞰者会看到那是萤火虫似的一团光明在飘荡那团光亮不能照耀得更远了它不能顾及未来的前面也不能葆有已过去的后面曾经被璀璨豁亮的地方都会重新沦陷在黑暗中人的一生永远提着灯笼行走在漆黑之夜里
延河 2014年12期2014-12-12
- 面向混合内存体系结构的模拟器
幸的是，新型非易失性存储（Non－Volatile Memory，NVM）技术的兴起与发展为打破传统DRAM内存这一系统性能与能耗瓶颈提供了契机.以相变存储器（Phase Change Memory，PCM）为代表的非易失性存储器件有着良好地可扩展性，比闪存（Flash Memory），更加接近DRAM的时延与带宽特性，非易失性，以及极低的静态功耗等一系列优良的特性.遗憾的是，它们同样也有着使用寿命短、写时延与功耗过高等一些尚未克服的缺陷.因此，尚不具备利
华东师范大学学报（自然科学版） 2014年5期2014-10-31
- 一种获取Android应用程序密码的方法
为两类:一类是易失性的，断电后就会消失。另一类是非易失性的，断电后不会消失。按照以上的分类方法，设备的RAM中存储的是易失性数据，在这些数据中通常都包含一些非常重要的信息，如应用程序的密码和用户名，认证证书，等等。Android是一种在移动设备上常见的操作系统，如何获取Android设备RAM中的数据并分析其中的重要信息对调查取证工作具有重要意义。1 国内外研究进展目前国内外的专家在如何获取非易失性数据方面做了大量的工作，也开发了很多比较好的取证软件，而在
中国人民公安大学学报（自然科学版） 2014年3期2014-06-23
- 德州仪器推出业界首款高度集成NFC传感器应答器
耗微控制器和非易失性铁电存储器（FRAM）面向工业、医疗、可穿戴设备和物联网（IoT）应用北京2014年12月17日电/--日前，德州仪器（TI）宣布推出业界首款灵活型高频13.56 MHz传感器应答器系列。高度集成的超低功耗RF430FRL15xH片上系统（SoC）产品系列把符合ISO 15693标准的近场通信（NFC）接口与可编程微控制器MCU）、非易失性FRAM、模数转换器ADC）、SPI或I2C接口进行了完美的结合。双接口RF430FRL15xH
电脑与电信 2014年12期2014-03-23
- 浮栅型有机非易失性存储器的研究
)浮栅型有机非易失性存储器的研究陆旭兵1*， 邵亚云1， 刘俊明2(1.华南师范大学华南先进光电子研究院，广东广州 510006;2.南京大学固体微结构物理国家重点实验室,江苏南京 210093)有机柔性电子器件具有低制造成本、大面积、可柔性折叠等优点，是近年来国内外学术界和工业界的研究热点.有机非易失存储器是一种重要的有机柔性电子器件.介绍了浮栅型有机非易失性存储器件的工作原理；综述了国内外学术界对浮栅型有机非易失性存储器的研究进展、存在的问题及解决对策
华南师范大学学报（自然科学版） 2013年6期2013-10-28
- 理解和应用数字电位器
，同时内部有非易失性（Non-volatile）存储器EEPROM，用户可对其进行读写操作，并通过软件控制接口对其阻值进行编程；4）利用数字电位器可实现模拟电路中对电阻、电压或电流的数字控制及调整；5）允许将几个数字电位器进行串、并联或混联；6）受制作工艺影响，总电阻一致性较差，一般有15%～30%偏差；7）低电压、低功耗、超小型化、工作温度范围宽。1.2 主要参数1）电源电压范围 最高、最低工作电压之差。该范围一般为 2.5～5.5 V。2）端电压 加在
电子设计工程 2012年7期2012-09-26
- AGIGA Tech：无电池非易失性RAM
新的一类，即非易失性存储器（Non-volatile Memory），其特点是既能像ROM那样，在断电后依然保存数据不丢失，又能像RAM那样及时进行数据的擦写。基于这些优点，目前非易失性存储器已经占据存储器市场大部分份额，大有取代其他存储器之势。与易失性存储器相比，非易失性存储器具有高速、高密度、可微缩、低功耗、抗辐射、断电后仍然能够保持数据等诸多优点。随着技术发展，非易失性存储器分为相变存储器、磁性存储器、电阻式存储器、铁电存储器等诸多类型。“非易失性存
电脑与电信 2011年11期2011-08-08
- 数字电位器在加速度存储测试调理电路中的应用
节，为此基于非易失性数字电位器MAX5497结合微处理器C8051F340控制，设计了相应的增益放大电路。1 MAX5497芯片加速度存储测试系统要求每通道量程可分档位设置，即试验前根据预估的试验结果，对各测量通道的增益放大系数进行参数设置[5-6]。系统的增益放大部分电路见图1，在图1所示的反馈放大电路中，放大器电阻R1固定为5 kΩ，而反馈电阻由数字电位器来担任，通过控制数字电位器抽头W的位置，改变W与L之间的电阻值RWL，使得放大器增益A=-RWL/
电子设计工程 2011年22期2011-06-09
- Microchip扩展独立实时时钟/日历器件系列
SPI接口、非易失性存储器和比竞争器件性价比更高的有效功能组合。这些新器件可减少元件数量及成本，适用于智能能源（如恒温器、电表和商用制冷）、家电（如咖啡机、燃气灶和微波炉）、汽车（如仪表板控制、汽车收音机和GPS）、消费类电子（如办公设备和视频系统），以及通信市场（如收音机、无绳电话和网络系统）等应用。MCP795WXX/BXX RTCC器件具有毫秒报警功能，以及支持极快速数据存取的10 MHz SPI接口，从而能够实现较长的MCU休眠和省电模式，电池耗电
电子设计工程 2011年23期2011-04-02
- Synopsys推出可用于180 nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP
e AEON非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）。这些产品包括数次可编程（FTP）IP、射频识别(RFID)IP多次可编程（MTP）IP和可擦可编程只读存储器（EEPROM）多次可编程（MTP）IP等多种IP解决方案。Synopsys提供的DesignWare AEON NVM IP可面向多种领先工艺技术并具有100多种不同的存储配置，并且这些IP都符合相应的业界规范。DesignWare AEON NVM IP在标准CMOS工艺技术上进行实施时，无需
电子设计工程 2011年14期2011-04-01
- 关于Ｖ系列Ｆ－ＲＡＭ的技术说明
司全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternational Corporation的两款具有高速读／写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品，分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM2SV02。两款256kb器件是Ramtron公司v系列F-RAM产品的最新型号，工作电压范围为2.0v至3.6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具
电子产品世界 2009年9期2009-09-24
- 阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Ｓｐｉｃｅ仿真
步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标，设计RRAM存储器单元电路结构，并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时，通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析，确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件，并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考。关键词：非易失性存储器；电阻转变特性；存储单元结构；1T1R中图分类号：TN
现代电子技术 2009年2期2009-05-12