专利名称: 一种生长可控的稀土钕掺杂二硒化钼薄膜材料制备方法

专利申请号: CN201811121638

公开号: CN109182979A

申请日:2018.09.26

公开日:2019.01.11

申请人: 中国计量大学

本发明涉及一种钕掺杂二维层状二硒化钼薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：首先通过高纯原料钼、硒、钕的化学气相输运反应，制得钕掺杂二硒化钼的多晶体；接着通过压制及烧结，制得钕掺杂二硒化钼的陶瓷靶；将陶瓷靶和清洗过的衬底置入真空腔，通过脉冲激光轰击所制备的陶瓷靶，控制频率、时间、功率等因素，获得不同层数、形貌均匀、面积连续的超薄钕掺杂二硒化钼薄膜光电材料。所制备的材料在近红外区域具有发射光谱，可被用于构筑原子级超薄的光电子器件，如电致发光器件、平板波导、探测器等。