柏思忠
(1.中煤科工集团 重庆研究院有限公司,重庆400039;2.瓦斯灾害监控与应急技术国家重点实验室,重庆400039)
铂电阻因其测温范围宽、线性度好、稳定性高被广泛用于各类高精度测温领域中,但是作为一种高敏热传感器,铂电阻在实际应用中还存在主要问题包括电源误差、放大电路误差、自热效应、引线电阻等。文献[1]提出加磁环、采用电压基准、电源隔离等措施抑制电源干扰减小电源误差,标准电阻修正放大电路造成的误差;文献[2]提出放大电路后增加滤波减小误差;文献[3-5]提出减小恒流源电流降低自热效应;文献[6-8]分析和设计了三线制和四线制铂电阻消除引线误差。但是电源误差和放大电路误差都没能从根本上消除,因此本文设计了一种PT100 直接测温电路,采样和测试电路共用电源抵消电源纹波和噪声,去掉放大电路,A/D 直接测试毫伏级信号,避免了放大电路引入误差,减小PT100电流降低自热效应,零点标校降低引线误差。
PT100 温度测量电路为减小误差,提高设计精度,拟制了以下5 条设计原则:
(1)不使用信号放大电路;
(2)温度测量分辨率0.0001 ℃以上;
(3)采用惠斯通电桥方式[9-10]测量PT100,测量和采样共用模拟电源;
(4)PT100 工作电流尽量小,不超过0.2 mA;
(5)零点标校消除引线电阻。
根据以上5 条原则,温度测量电路由惠斯通电桥、A/D 转换、MCU 和LED 数码管显示4 部分组成,如图1所示。
图1 温度测量电路Fig.1 Temperature measurement circuit
A/D 转换芯片是温度测量电路的核心,PT100两端输出的毫伏级电压信号,不经过放大电路并且还要满足分辨率0.0001 ℃,根据GB/T 30121-2013规定,PT100 温度和电阻值的关系在[-200 ℃,0 ℃]满足式(1),在(0 ℃,850 ℃]满足式(2):
式中:Rt是PT100 在温度t 时电阻值;R0是PT100在温度0 ℃时电阻值;A=3.9083×10-3℃-1;B=-5.775×10-7℃-2;C=-4.183×10-12℃-4。分辨率Δt=0.0001 ℃时,在[-200 ℃,0 ℃]对应的电阻值变化由式(1)经过1~4 阶导函数判断单调性,得到式(1)单调递减,电阻值变化在0 ℃时取得最小值:
代入R0=100 Ω 和Δt=0.0001 ℃,得到式(4):
同理,在[0 ℃,600 ℃]得到是单调递增,电阻值变化在0 ℃时取得最小值,结果和式(4)一致。假设PT100 上电流为1 mA,需要电压分辨率如式(5)所示:
文献[11]设计的24 位AD 芯片AD7771 基准2.500 V;文献[3]设计的16 位AD 芯片AD7705 基准2.500 V;文献[4]设计的16 位AD 芯片ADS8320 外接基准4.096 V。这3 种转换电路直接采样PT100输出的信号,有效量程只能达到满量程的,测量的电压分辨率只能达到0.000149 mV,0.03815 mV和0.0625 mV 都不能达到要求。文献[12-13]设计了芯片HX711,实现了差分满额输入电压±16.8 mV,24 位AD 采样,采样精度达到1 μV/g,满足设计要求。
根据信号范围和分辨率选择了与HX711 同系列的单通道24 位A/D 电子称重专用芯片HX710A,不需要双通道的HX711 芯片,输入参考电压5 V 时,差分满额输入电压±20 mV,需要共模电压0.9 V~(VDD-1.3)V,差分输入和电源干扰共模抑制比大于100 dB,电压分辨率如式(6)所示,小于式(5),满足要求,PT100 上的电流约为0.11 mA,温度分辨率高达0.00003 ℃。
根据温度测量范围[-200 ℃,600 ℃]查询PT100分度表对应电阻范围[18.52 Ω,313.71 Ω],测试电路供电电压V5.0A=5.0 V,考虑电路设计余量,电桥电路如图1所示,由测温电阻Rt(PT100)、分压电阻Rs1和Rs2各2 只、参考电阻R0组成,其中Rs1=36 kΩ,Rs2=12 kΩ,R0=100 Ω,5 只电阻精度均为0.1%,温度系数10×10-6/℃,输出信号再经过一级R5和C5组成的低通滤波电路。PT100 工作电流如式(7)所示:
PT100 在[18.52 Ω,313.71 Ω]范围变化时等效成Rt=R0+ΔR,ΔR对应范围[-81.48 Ω,213.71 Ω],如图2所示。
图2 PT100 等效电阻Fig.2 PT100 equivalent circuit
电桥输出信号如式(8)和(9)所示:
式(8)和(9)取值范围[1.20 V,1.30 V],满足A/D芯片HX710A 输入信号的共模要求,输入差分电压信号如式(10)所示:
分别代入各自数值,得到式(11):
式中:Vin取值范围ΔR在对应范围[-81.48 Ω,213.71 Ω]内不超过[-18 mV,18 mV],满足A/D 芯片HX710A 模拟输入信号要求。
采用4 位数码管显示温度测量结果,[-200 ℃,-100 ℃]范围内显示不带小数,(-100 ℃,-10 ℃]范围内显示带1 位小数,(-10 ℃,100 ℃) 范围内显示带2 位小数,[100 ℃,600 ℃]范围内显示带1 位小数,还可以通过MCU 关闭显示进入低功耗模式,串口通信输出结果带2 位小数。
MCU 选择华大半导体低功耗系列HC32F003,Cortex-M0+内核,2 路Uart 串口,5 μA@3 V 深度休眠、10 μA@32 kHz 低速工作和150 μA/MHz@3 V@16 MHz 工作多种模式灵活选择,4 μs 低功耗唤醒时间,内部高速时钟可达24 MHz,电路设计时直接使用内部时钟,正常工作模式下整个电路工作电流≤10 mA@5 V,低功耗模式(关闭显示和间歇式工作)下整个电路工作电流≤2 mA@5 V。软件工作流程如图3所示。
图3 软件流程Fig.3 Software flow chart
测温电路中的主要误差来源,可分三类:其一是电源误差,主要由模拟电路中电源的纹波和噪声造成;其二是PT100 引线电阻造成;其三是温度和电阻阻值之间的非线性转化造成。
假设模拟电源V5.0A变化率为k,变化后的电源电压为(1+k)V5.0A,由式(9)可知,电桥输出差分电压变为(1+k)Vin;另外,A/D 转化芯片的参考电压直接使用的模拟电源分压得到,同步变化为(其中M为分压系数),A/D 转化结果如式 (12),利用电桥测试和A/D 采用电路共用同一模拟电源,抵消模拟电源纹波和噪声的影响。
工业现场的PT100 探头一般距离测量电路较远,而PT100 的铜制引线在20 ℃的电阻率约为0.0172 Ω·mm2/m,长距离的引线电阻r值从零点几欧到几欧不等,考虑引线电阻r(还包括PT100 实际在0 ℃与参考阻值R0的偏差)的影响如图2 中所示的ΔR′=ΔR+r,在零点标校时,ΔR=0,等效为PT100的实际阻值为R0′=R0+r,其它温度值的PT100 变化率如式(13)所示:
零点标校为R0′=R0+r后,实际电阻变化值和不考虑引线电阻的值ΔR一致,从而消除引线电阻的影响。
通过惠斯通电桥和A/D 转换电路实际测量的是电压值,可以计算出准确的电阻值,电阻和温度之间的转换如式(1)和式(2)所示,实际用的MCU没有浮点数运算硬件电路,反解温度值时间开销大,计算精度低,采用多项式拟合需要多点标校和系数导入,人工量大,故采用基于式(1)和式(2)的温度-电阻关系表(分度值0.01 ℃)按照150 ℃范围划分为多个分表,如表1所示[-50 ℃,100 ℃],将表中的电阻值减去80.307 Ω(-50 ℃对应的电阻值)乘以1000 转化为十进制数,每个值2 字节,如表2所示。直接采用查表的方式减少非线性转化误差。
表1 温度-电阻关系Tab.1 Temperature-resistance relation
表2 温度-电阻转化Tab.2 Temperature-resistance conversion
先进行温度零点标校,然后在[-20 ℃,100 ℃]温度范围恒温槽[14]中对PT100 进行测试,采用分度为0.01 ℃的玻璃水银温度计作为参考标准,测试数据如表3所示。
表3 温度测量实验数据Tab.3 Experimental data of temperature measurement
在[-20 ℃,100 ℃]温度范围内实验测量误差不超过±0.1 ℃。
选用误差为±0.005%的标准电阻箱burster 1240 调整电阻值100.000±0.001 Ω 进行零点标校,根据[-200 ℃,600 ℃]温度范围对应电阻阻值范围[18.5201 Ω,313.7080 Ω]范围内进行实验,测试结果如表4所示。
表4 标准电阻测量实验数据Tab.4 Experimental data of standard resistance
在[-200 ℃,600 ℃]温度范围即对应标准电阻值[18.5200 Ω,313.7112 Ω]实验测量,折合成温度误差不超过±0.1 ℃。
本文设计了一种PT100 测温电路,针对输出毫伏级信号不用放大电路直接采样,设计了惠斯通电桥,在温度范围[-200 ℃,600 ℃]输出信号幅值不超过±18 mV,采用24 位A/D 芯片HX710A 采样,分辨率达到了0.00003 ℃,温度测量误差不超过±0.1 ℃。此电路在实际测量温度范围发生变化时,对应调整惠斯通电桥参数能更好匹配A/D 转化的输入信号幅度;通过电阻-温度关系表和转化表解决了转化过程中的非线性问题,但是电阻-温度转化表随着温度范围增大和温度分度越高,表格的数据量会急剧增多,达到几万甚至几十万字节,大大超过常用单片机的RAM 容量,需要进一步简化表格数据。