一种LED 芯片制备方法

专利名称：一种LED 芯片制备方法

专利申请号：2020106087396

公布号：CN111710761A

申请日：2020.06.29 公开日：2020.09.25

申请人：湘能华磊光电股份有限公司

本发明提供了一种LED 芯片制备方法。包括：在衬底上生长完整LED 结构外延片；在第二半导体层上制备电流扩展层，通过光刻工艺和腐蚀工艺制备电流扩展层图形；依次刻蚀电流扩展层、第二半导体层、多量子阱层和第一半导体层；采用腐蚀工艺对电流扩展层边缘进行腐蚀，使第二半导体层边缘超出电流扩展层边缘；沉积绝缘层；通过光刻工艺制备电极图形，并通过腐蚀工艺制备电极孔；制备P 电极和N 电极，制备出完整LED 芯片。本发明先进行电流扩展层的制备，然后通过光刻工艺和腐蚀工艺制备电流扩展层图形，再对器件进行刻蚀，可避免在刻蚀后再制备电流扩展层时导致第二半导体层和多量子阱层的侧面、第一半导体层的上表面有电流扩展层材料残留而引起漏电。