南太措 樊国有
摘要:晶黄果是青海省黄南藏族自治州同仁县的特产,该文介绍了晶黄果的栽培区域选择、育苗操作、定植与抚育管理技术,旨在提高晶黄果的种植产量与品质,提升当地的种植经济效益。
关键词:晶黄果;丰产;栽培;管理;同仁县
南太措,樊国有. 青海同仁晶黄果丰产栽培管理技术[J]. 农业工程技术,2020,40(23):71.
晶黄果又名金黄果、黄果梨,发源地在青海省同仁县,受区域气候、地理环境、土壤环境、温度等影响,果味纯正,汁水较多,富含氨基酸,营养价值丰富,在助消化、降压止咳、清热解表、利肺化痰等方面均有重要的医药保健作用。
一、栽培区域选取
晶黄果果树适宜在海拔2000-2400 m的地方种植,属于深耕型果树,抗性较弱,要求土壤深厚且肥沃,有良好的保水保肥能力。晶黄果喜光,要求生长环境光照充足,可以将晶黄果种植在南向坡地。
二、育苗操作
晶黄果属于良种嫁接苗,选取当地原始黄果树5年以上的枝条为插穗,以无病虫害杜梨树为砧木。选择果树中部枝芽,要求枝条粗短,发育较为完全。接穗结实度较高能促使晶黄果良好生长,成功嫁接之后培育2-3年便能移栽。在起苗、假植以及运输过程中,要确保不损伤苗木,苗高保持在0.5-0.6 m之间,主根在0.15 m左右,侧根要求2条以上。
三、定植准备
1、整地
在种植区域要补充充足底肥,之后进行深耕,促使种植区域土壤更为疏松,透气性良好,能有效提升土壤保肥、蓄水、抗旱能力。要合理施加有机肥,避免苗木在后期生长过程中严重缺肥以及土壤整体肥力降低,对壮苗后续稳定生长具有较大影响。
2、定点挖穴
要在果树栽植对应的定植点挖穴栽植,在挖穴时要大坑整地,将坑径控制在0.4 m左右,坑深保持在0.6 m左右。挖设好后要施加优质的腐熟基肥7.5×104 kg/hm2,还要补充1050-1200 kg的氮肥、磷肥、钾肥,与土壤有效混合之后进行栽植。将苗木放置在种植穴中,根系均匀完整分布在种植穴周边[1]。
3、幼苗处理
在定植前要做好根部修剪,剪去受损根部。采取分类分级模式对根部断口位置进行修整,主根生长较为发达部分的要进行断根处理。对苗木进行消毒与解绑,没有带土移栽的苗木根部要蘸适量泥浆,伤口较多、质量较差、长势较弱的苗要及时挑出。栽培后及时浇水,之后进行适度修剪,培育成长势较好的壮苗之后定植。为使种植效果良好,幼苗根部要蘸取含有适量ABT生根粉的泥浆。
4、定植株行距
依照黄果树生长基本特征,要采取矮化密植操作,对栽植距离严格控制。株距与行距设定为4 m×5 m,每亩种植33株。
5、定植时间
在种植过程中要合理选取春栽以及秋栽。春栽在每年清明节前后,春栽时要做好保墒操作。在土壤尚未解冻之前实施秋栽,秋栽时要做好越冬防控工作,可以在树干外层捆绑草皮,或是将树干涂白。
6、定植方法
在定植中要将苗木放入到种植穴中,前后左右位置对齐。将含有有机肥的表土全部填入到根部,填土时合理舒根。根部被土壤覆盖之后适度摇晃苗木,促使根部更为舒展,与土壤有效贴合,之后填土压实。填土以后要及时浇水,不能将土块压散。定植时嫁接位置要露出地面5-10 cm[2]。
四、果園管理
1、幼苗期管理
幼苗期即栽植之后的1-3年要注重水肥管理,促进树体快速生长,为后续优质丰产奠定有效基础。多数幼树在未发芽之前要做好整形修剪操作,这样能保障果树快速成型、尽早结果、后续树木定植及稳定生长。秋后要合理施肥,施加600 kg/hm2硫酸钾复合肥以及750 kg/hm2氮肥。栽后第二年入冬前要补充充足有机肥,结合植株生长情况每株添加25-50 g肥料。
2、成年期管理
果树栽植之后的第4年开始大量结果,第6-7年开始进入盛产阶段,产量较高,此阶段管理主要是促使结果速率与生长情况保持平衡。每年8月份上旬要结合树体基本生长情况进行追肥,选取0.3%-0.5%磷酸二氢钾进行叶面喷肥,间隔10-15天喷施一次,每年喷施1-2次。要注重果树的萌芽情况,采前、幼果膨大、越冬等环节严格控制灌水量,在成熟期以及高温状态下灌溉将会导致果实质量降低。此环节管理目标是实现连续性高产培育,对施肥以及修剪操作规范化应用。
3、病虫害防控
果树生长中褐斑病、黄叶病、腐烂病严重,防治时可选取50%多菌灵可湿性粉剂500-600倍液,再选取70%甲基托布津可湿性粉剂500-1000倍液[3],每间隔15天防治1次,1年防控2-3次。
虫害主要有臭板虫、梨树毛虫、桃小食心虫、卷叶蛾等。可以选取50%马拉硫磷乳油1000-2000倍液、80%敌敌畏乳油3000倍液进行喷雾防控。药物喷施要选取晴好天气进行,1年喷施2-4次,并结合虫害活动情况对防治间隔时间进行调控。
参考文献
[1] 刘春娣.黄果梨丰产密植栽培技术[J]. 青海农林科技,2011(4):40-41.
[2] 宋晓梅. 青海黄果梨优质栽培技术[J]. 农业工程技术,2018,38(26):58-59.
[3] 黄果梨栽培技术规程:DB63/T 1129-2012[S],2012.