近日,长江存储科技有限责任公司宣布,其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
長江存储表示,X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。另外,此次同时发布的还有128层512 GB TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片X2-9060,以满足不同应用场景的需求。
据介绍,QLC是继TLC后3D NAND新的技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元,每个存储单元可存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”,一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3665亿个房间,每个房间住4“人”,共可容纳约14660亿“人”居住,是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。
闪存和SSD领域市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为,QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本,更适合作为大容量存储介质。 “随着主流消费类SSD容量达到并超过512 GB,QLC SSD未来市场增量将非常可观。”Gregory同时表示,与传统HDD相比,QLC SSD更具性能优势。在企业级领域, QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟,使其更适用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域,QLC将率先在大容量U盘、闪存卡和SSD中普及。