◎ 凤凰湾电子信息产业园管委会 鲍宪伟
凤凰湾电子信息产业园总投资16 亿元,占地339 亩,东临凤凰大道、北邻创业路、西邻高新路,交通便利。整个园区由标准厂房、定制厂房、园区服务中心3 个部分组成。产业园以半导体、电子、微电子专业为主,倾力打造一个地域结构完整、生态功能健全、空间层次清晰、可持续发展的标准园区,为中小企业、小微企业提供创业平台和孵化空间。
产业园总建设面积约36 万平方米,其中一期建筑面积10 万平方米,二期建筑面积26 万平方米。企业全部入驻达产后,可形成年产值200 亿元规模园区。目前,产业园内已有中科智芯集成电路晶圆级封装、联立LCD 驱动芯片封装、爱矽年产5.4 亿片封测产品、奥尼克汽车专用集成电路芯片电气、北京天科合达碳化硅晶片等项目入驻。
该项目由联立(徐州)半导体有限公司建设,投资5亿元,建筑面积2.3 万平方米,建设具有月产能2.4 万片之8 英寸芯片(晶圆凸块及测试)、封装(COG、COF)5千万颗集成电路生产能力的生产线。公司是一家提供液晶显示器驱动芯片的晶圆凸块、封装、测试服务的半导体后段代工厂,引进国际先进的集成电路封装、测试和管理技术,满足国际、国内市场对集成电路封装、测试工程服务和营销管理的需求。主营业务为半导体(硅片及化合物半导体)集成电路产品及半导体专用材料的开发、生产、封装和测试、销售及售后服务。未来,将建成一个世界一流水平的集成电路封装、测试工程服务的专业公司,以适应21 世纪微电子产业更大发展的需要。目前装修,机电收尾。
项目投资20 亿元,建设5G 高端光芯片封测生产线,封装1.25G-100G 速率光芯片,年产值30 亿元。深圳芯思杰智慧传感技术有限公司是国内屈指可数的包含光学材料设计、光芯片设计、流片为一体的全产业链国家高新企业,是粤港澳大湾区准独角兽企业,主要从事光芯片、光传感器、光调制器研发和批量化生产,拥有超百件核心技术专利、产业化技术能力、超亿片的出货量和高可靠性,赢得了全球近百家优质客户的广泛应用。核心技术方案和产品将在光通信、数据中心、3D 成像、近红外摄像、无人驾驶、视觉系统、5G 通讯等相关领域,发挥其独特的技术优势和产业化优势。
该项目由苏州锐盈芯半导体科技有限公司建设,投资11 亿元,建筑面积4 万平方米。建设设施完善的现代化车间,购置国内外最先进的全自动研磨机、全自动晶圆划片机、检测系统、全自动塑封机等关键技术装备,建设5 条方形扁平无引脚封装(QFN 型)生产线。产品主要包括引线框架类封装、倒装芯片封装、多层芯片堆叠封装及晶圆级封装,主要运用在智能手机、消费电子、安防系统、汽车电子及物联网等行业。主要客户有韦尔股份、雄迈电子等公司。年设计生产能力36 亿颗芯片,年产值约10 亿元。目前A10 厂房项目正处于试生产。
该项目总投资约3 亿元,总建筑面积约2.2 万平方米,主要生产半导体引线框架、塑封压机、冲压模具及配件,年产能50 亿只,年利税6000 万元。公司核心技术主要是生产、制造和研发引线框架的核心技术,新材料配置以及精密模具设计制造技术,而目前只有日本住矿、日本三井等国际性公司能够生产中高端产品,公司的核心团队已经掌握中高端引线框架产品的核心技术,包括精密冲压模具设计、冲压模具设备的装配技术、引线框架冲压技术、引线框架的电镀配方技术等。产品的各方面性能已经获得国际和国内多家上市公司的认可。
该项目投资20亿元建设,分二期建设,一期投资5亿元,建设厂房1.2 万平方米,年封装12 英寸晶圆片12 万片;二期投资15 亿元,厂房面积3 万平方米,年封装12 英寸晶圆片120 万片。晶圆级扇出型封装是最先进半导体封装技术之一,无须使用印刷电路板,可直接在晶圆上实现芯片封装。晶圆级扇出封装在电气、热性能上表现卓越,使封装后的器件朝轻、薄、小的方向发展,并具有更低的成本优势。项目采用晶圆级扇出型生产工艺制程,依托全球最具潜力的通讯、物联网设备市场,以技术方案设计服务为切入点,吸收现有的三维扇出型堆叠封装技术和设计上的精华,为客户定制先进合理的方案设计,是客户应用这门技术必不可少的商业伙伴。目前装修收尾,设备安装调试。
该项目投资5 亿元,建筑面积2.4 万平方米,购入碳化硅单晶生长炉150 台及其配套的切、磨、抛和检测等设备。达产后,年产能为碳化硅晶片4 万片,外延片1 万片,年产值3 亿元人民币,年产生税收预计3000 万元人民币。目前公司产品涵盖2-6 英寸导电型碳化硅晶片、2-6 英寸半绝缘碳化硅晶片和宝石晶体。产品已用于国产军用核心微波器件的研发,并在国产充电桩和电焊机领域广泛应用,带动了中车国网、泰科天润等20 余家国内企业进入下游产业,在国内形成了完整的碳化硅半导体产业链;产品出口欧、美、日等20 多个国家和地区,已成为行业国际知名品牌。
该项目是由江苏中科汉韵半导体有限公司主导、中科院微电子所绝对控股,采用加工下料、清洗、光刻、刻蚀镀膜和测试等全自动化装备的工艺流程,年产5000 片碳化硅功率器件等分立半导体器件项目化硅功率器件及半导体技术创新平台项目,采用中科院微电子所碳化硅技术、依靠微电子所丰富的研发与产业化经验归国专家队伍,确保企业管理、平台运行的优质与高效。江苏中科汉韵半导体有限公司是中国科学院微电子研究所和徐州金龙湖产业发展基金有限公司合资的国有企业。该公司是一家以碳化硅(SiC)功率器件制造为主,集研发、生产、销售为一体的国有科技企业。
该项目投资主体是江苏星辉半导体有限公司。项目总投资11200 万元,占地约22 亩,规划总建筑面积16100平方米,全部建成达产后,预计可实现年销售收入上亿元,年税收约450 万元。江苏星辉半导体公司公司主营电力电子元器件、半导体分立器件、电子元件及组件等。一直以来,公司坚持自主创新,并获得多项实用新型及发明专利(专利号:ZL201410439434.1/ZL201420498420.2/ZL201520893481.3/ZL201621341032.9),产品生产工艺和技术已经达到业内领先水平。