平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控

2019-07-10 12:16康军亮
科技风 2019年9期

康军亮

摘 要:随着现代电子技术的飞速发展,电子元件的精细化程度也不断提高,加工工艺水平直接决定了电子元件的性能。本文结合平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控展开研究,通过实验方法阐述150mm大尺寸硅抛光片硅外延层特征,分别展开厚度均匀性、电阻率均匀性两大部分的调控方法总结。

关键词:平板式外延炉;硅外延层;均匀性;调控方法

所谓“硅外延层”是指利用化学气相沉积法操作,在硅抛光片上生长出来的单晶硅薄膜,这一工艺在高端电子元件制造领域有着重要价值。硅外延层能够通过一定的方式,形成厚度、掺杂浓度的精准控制,从而确保硅晶体完整性和性能优越性,但如何实现有效地均匀性调控,则是一个重要的科研问题。当前我国进入互联网信息时代,高速发展的软件产业最终要依赖精尖硬件产品支撑,硬件(高端电力电子器件)的发展方向较为统一,突出低功率、大电流、高频电压、轻薄短小等优势,且考虑到具体的电子硬件产品发展,为保障较快的更新速度,必须确保其有良好的外延层,以满足更多功能开发的需求。目前,我国硅外延层的尺寸已经达到200mm左右,进入大尺寸行列,并且在加工工艺方面,也要求对边缘剔出部分不断缩减,不断提高单位晶圆的利用率;基于此,针对硅外延层的均匀性控制至关重要。

1 平板式外延炉大尺寸硅外延层实验探讨

1.1 实验设备

本研究实验设备主要利用傅立叶变换红外线光谱、电阻测试仪等设备,测试对象主要是平板式外延炉的厚度和电阻率,确保硅片不均匀性的外延小于1%。其中,沉积设备选择高频感应加热的平板式常压外延炉,外延腔体所需要的设备包括镀金钟罩、石墨基座、石英组件、加热线圈、进气管等;具体的实验设计中,石墨基座用来放置硅衬底片,为了满足更好地差异性对照,本次实验中提供1号-8号样品,石墨基座底部设计旋转组件,按照分钟转动4圈的速度,以实现均匀运动。在一侧布置进气管,按照前、中、后的顺序(一条直线)介入氢气,实验操作中通过三个进气口来调节氢气进入总量,气流作用平行于基座表面,在硅片表面反应之后形成外延层,反应之后的气体从另一侧排出。

1.2 生长材料

本次实验中所需要的硅外延层生长材料主要是硅单晶抛光片(直径150±0.2mm、厚度400±25μm),N型导电、电阻为001-0.02Ω·cm。沉积硅外延层所需要的气体中,氢气为主要成分,其余包括磷烷、三氯氢硅。

1.3 性能表征

通过肉眼观察的方式,辅助白色聚光灯、微分干涉相差显微镜、傅立叶变换红外光谱仪等设备,外延层电参数测试中基于5点测试法展开,具体操作中,在硅外延层样品上中心及围绕四周选择4个等距离点。

2 平板式外延炉大尺寸硅外延层均匀性调控

2.1 硅外延层的厚度均匀性调控

厚度均匀性调控的原理为,平板式外延炉的流畅分布会影响气体分压,通过三个阀门调节的方式影响进气效率,进而影响其厚度及均匀性。在具体的实验中,可以將气体的精确度控制在0.01L/min,其中三个进气口中,以直接对应的中间进气口为主要干预机制,以常量输入为基础,前后两个分别为调节机制,可分别调节进气效率,依次递增、递减。最终,综合所有数据最佳的气体干预类型,其中,以各片的片内厚度的不均匀性均小于1%为基本条件。

2.2 硅外延层的电阻率均匀性调控

电阻率均匀性控制对于硅外延层的性能影响更为复杂,它的干预机制包括两个方面,其一是硅外延层生长维度,其二是原料掺杂剂的效率。在实验中可通过外延反应腔体的热场特征,逐步分析外延层电阻率在各点上的变化,其中,沿着石墨基座等距离设置的10个测试点(20mm以内),可以采取实时的测试基座温度的方式,绘制温度分布变化与电阻率均匀性的对应曲线。而不同掺杂度的影响下,需要电阻率测试仪实时监控,获取某一时刻的电阻值,并通过中心值的确定来判断其均匀性。在本次实验中,温度筛选了22℃、17℃、12℃和8℃四个温度差值,在基准温度高于1020℃的情况下,没下降一个温度区间,电阻率均匀性的效果就越好,在低于1020℃的情况下,则外延层出现一些明显的缺陷,不均匀性有所提高。

通过反复实验,可以确定硅外延层电阻率均匀性的最佳调控方案,实现温度和原料掺杂剂的有效控制。

3 结语

综上所述,本课题结合外延炉生长的150mm大尺寸硅外延层展开研究,基于厚度和电阻率两项主要性能指标展开均匀性调控策略制定,通过实验不难发现,在中间进气口氢气流量的增加之下,硅片上的点厚度也呈现增加态势,且厚度的不均匀性也先减小、厚增大,直至硅外延层的厚度不均匀性被控制在1%以内。此外,针对电阻率均匀性的研究表现为与石墨基座温度调节成对应关系,基本动因为片内线圈高度,高度越大,则温度越低、电阻越小。针对平板式外延炉大尺寸硅外延层均匀性的研究,表明有望将硅外延层片的厚度、电阻率均匀性控制在有效范围之内(1%),从而不断提高电子元件性能与设备功能。

参考文献:

[1]李明达.200mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控[J].半导体技术,2018,43(12):923-929+948.

[2]薛兵,陈涛.一种重掺P衬底上硅外延层的生长方法[J].科技创新与应用,2017(24):13-14.

[3]李明达,李普生.150mm掺P硅衬底外延层的制备及性能表征[J].固体电子学研究与进展,2017,37(01):67-72.