春石斛露地栽培技术

王栋 周志雁 韩向峰

摘要    本文介绍了春石斛露地栽培技术，主要包括栽培设施场所、环境条件、苗木繁殖、水肥管理、植株管理、催花管理、病虫害防治等方面内容，以供种植户参考。

关键词    春石斛;露地;栽培技术

中图分类号    S567.23+9        文献标识码    B

文章编号   1007-5739（2019）23-0129-01                                                                                     開放科学（资源服务）标识码（OSID）

Abstract    The open-field cultivation techniques of Dendrboium nobile was introduced，including cultivation site，environment，seedling propag-ation， water and fertilizer management，plant management，flower promotion，control of disease and insect pest，so as to provide references for the growers.

Key words    Dendrboium nobile;open-field;cultivation technique

石斛兰（Dendrobium）主要分布于北纬和南纬25°之间的热带及亚热带地区，是兰科大属之一，在我国已发现81个原生种。石斛兰按照生长及开花习性可分为春石斛和秋石斛[1]。春石斛为落叶品种，在新生的假鳞茎上部茎节生出花序，花后在假鳞茎基部长新芽，新芽当年可发育成新的假鳞茎，老茎一般不再开花。

春石斛的栽培方式一般为有遮阳网的露地栽培和温室栽培。与温室栽培相比，露地栽培具有场地造价和设施维护成本低、生产成本低、栽培场所通风、病虫害少等优点。本文主要从栽培设施场所、环境条件、苗木繁殖、水肥管理、植株管理、催花管理、病虫害防治等方面介绍春石斛露地栽培技术，以供种植户参考。

1    设施场所

1.1    设施

春石斛适宜生长温度为18～28 ℃，低于8 ℃则容易冻伤。春石斛需要良好的通风与较强的光照。栽培场所要求有双层遮阳网与良好的排水系统，并且四面通风。

1.2    基质

春石斛的根是气生根，要求基质具有疏水性、通气性、保肥性和一定的保水性。常见基质有松树皮、水苔、椰丝、椰糠、兰花石、桫椤碎、珍珠岩等。板植通常用蛇木板加少量水苔。其中椰糠、椰丝、水苔在使用前必须先清水浸泡，然后甩干。

2    环境条件

2.1    光照和温度

春石斛为典型的喜光植物。春初，春石斛可接受全日照，无须遮光，春末温度超过27 ℃时遮光30%。夏季温度高，光照强，春石斛不能直接曝晒，需遮荫40%～50%。秋季不需要遮光，小苗与开花的植株都应逐渐改为全日照。小苗应适当提高温度，抑制花芽分化。开花植株则应开始降低温度。冬季采用全日照。

2.2    湿度

春石斛对湿度要求较高，过干不利于根系生长，过湿容易烂根。春季湿度维持70%以上，晴天5 d浇1次水，阴雨天不浇水。夏季是春石斛旺盛生长的季节，应及时补充水分，晴天3 d浇1次水，雨天不浇水。夏季中午阳光猛烈时不能浇水，以防止叶片被日光灼伤。秋冬季应减少浇水量，7 d浇1次水即可，以防细菌感染和根系腐烂[2]。

3    苗木繁殖

春石斛开花后便进入繁殖的重要阶段，春季是春石斛繁殖最好的季节。目前常见的春石斛繁殖技术有高芽繁殖技术、扦插繁殖技术、组培快繁技术、分株繁殖技术。

3.1    高芽繁殖

春石斛高芽繁殖可保持母株性状，一般栽培2年开花。缺点是高芽数量较少，繁殖数量有限。高芽根长到3～5 cm时，即可掰下来上盆。对于老根，应该借助刀具来切离，否则容易对假鳞茎造成伤害，而且容易断根。芽太嫩成活率较低，芽太老则容易将根连带茎皮一起掰下来。

3.2    扦插繁殖

扦插繁殖成本较低，可保持母株性状，一般需栽培2年开花。通常使用一年生的生长良好的假鳞茎作为材料，将茎段削成单节或2节1个，扦插于穴盘中。扦插基质用水苔效果较好。削穗时需注意保留节点，新芽将在节上生出。扦插时需注意保持茎段顶端向上。

3.3    组培快繁

组培繁殖通常分为无菌播种繁殖与外植体培养繁殖。无菌播种繁殖即通过培养自交授粉的蒴果来大量繁殖。要在蒴果成熟未开裂前播种。播种前要先灭菌，然后切开蒴果，使粉均匀分布在培养基中。外植体培养繁殖可保持母株性状且繁殖数量多，但成本高，时间长，常用于新品种的选择和扩繁。外植体一般选茎尖与腋芽作材料，采摘后消毒灭菌，切成1～2 cm小段后接在培养基上。

瓶苗长到苗高4～5 cm、根长3 cm以上即可出苗。出苗前先放室外阴凉透光处晾置2 d，使其逐渐适应室外气候。把小苗从瓶里取出，洗干净培养基残留物，并在多菌灵溶液浸泡20 min消毒。把小苗晾干，种入50孔穴盘中，培养基质用水苔效果较好。

3.4    分株繁殖

分株繁殖可保持母株性状，成活率高，可当年开花。但繁殖系数低，易伤根系，一般在植株过大时使用，结合换盆一起进行，春石斛种植2～3年即需要换盆。分株时先把石斛根上残留的旧基质清理干净，用消毒过的刀切下，每3根假鳞茎分作1丛[2]。

4    水肥管理

春季是春石斛生长旺盛季节，应保证水肥充足。组培苗、扦插苗以高氮肥为主，大苗以均衡肥（N∶P2O5∶K2O=20∶20∶20）为主，每周浇1次水溶肥。夏季幼苗与一年生植株以均衡肥（N∶P2O5∶K2O =20∶20∶20）为主，开花植株应选用高磷钾肥（N∶P2O5∶K2O =10∶30∶20），每周淋肥1次。秋、冬季应停止施肥，促进休止叶形成，抑制假鳞茎长高，使植株增粗[3]。

5    植株管理

5.1    修剪与疏芽

枝条修剪与疏芽主要在春季进行。开过花的假鳞茎将不再开花，但是里面还存在大量养分，每盆保留1～2根开过花的假鳞茎有助于养分回流，促进新芽生长。多余及衰败的假鳞茎则应该及时齐根剪除。

5.2    留芽與抹芽

花芽分化后，应在开花前及时摘去多余的鳞芽与高芽，防止养分被分化，降低开花数量与品质。一般一株石斛兰留1～2株鳞芽，壮芽留下，弱芽抹去，高芽应全部抹去[4]。

5.3    支柱与绑扎

夏季是生长旺盛季节，假鳞茎生长速度很快，不及时绑扎，假鳞茎容易倒伏并缠在一起。一方面，妨碍光照的吸收与喷药，不利于植株健康生长;另一方面，也非常影响美观，降低观赏性。支柱绑扎时，注意保持直立，不可绑扎太紧，以免假鳞茎增粗时绑线勒入茎内。对于假鳞茎过长不方便绑扎的，可以用蛇木板板植，并挂起来。

6    催花管理

在上市前3个月开始催花，春节上市应10月开始催花。低温催花，花芽形成需要连续14 d以上15 ℃以下的低温，25 ℃以上分化的花芽也容易逆转成叶芽。应采用全日照，充足的光照能增加茎粗，保证开花质量。6—8月施高磷钾肥（N∶P2O5∶K2O=10∶30∶20），8月底停止施肥，减少浇水量，抑制营养生长，促进休止叶形成，10 d浇1次水。花芽长到1 cm以上，不能逆转成叶芽时，增加浇水量，避免花芽枯萎。若出现花瓣形成斑点，应缩短阳光直射时间，防止花株品质下降。

7    病虫害防治

春、夏季温湿度较高，容易滋生病菌。开花前后应着重防治蜗牛、炭疽病、软腐病、灰霉病和煤烟病。秋季则应着重防治红蜘蛛。虽然冬季病虫害较少，但也应注意开花植株的病虫害防治。

7.1    病害

灰霉病主要危害花瓣和叶片。发病时花瓣出现褐色小斑点，影响花朵的寿命和观赏品质。低温、高湿、通风不良的环境下多发。开花前喷50%扑海因1 000倍液、50%腐霉利800倍液或400 g/L嘧霉胺悬浮剂1 000倍液防治。

煤烟病主要危害蒴果、花和叶片。发病初期蒴果、花或叶片上覆盖一层煤灰色真菌，并扩大形成绒毛状黑色霉层。通风光照差、湿闷的环境下易发生。主要通过蚜虫、粉蚧、粉虱等刺吸式害虫传播。蒴果极易感病，发病早期或坐果后可用多福合剂（25%多菌灵和福美双75%混合剂）可湿性粉剂500倍液防治。炭疽病一年四季皆可发生，主要危害叶片。高温、高湿环境下易发生。发病初期，叶片上形成圆形黑色小斑点，后期逐渐扩大成不定性状的大型黑斑。可用10%世高1 500倍液、50%凯泽1 250倍液或50%咪鲜胺1 500倍液防治。

病毒病会通过昆虫媒介传染，发现时应及时清理发病植株。病毒病以预防为主，可用2%宁南霉素水剂1 500倍液或32%氨基吗胍烷巴水（氨基寡糖素2%、盐酸吗啉胍20%、盐酸金刚烷胺2%、利巴韦林3%、水杨酸5%）水剂1 000倍液防治。

7.2    虫害

蜗牛主要为害叶片，多在雨后出现为害。可用6%四聚乙醛颗粒剂7.5 kg/hm2，均匀撒施在石斛种植盆里防治。秋、冬季清洁花盆，破坏蜗牛栖息地和产卵场所，减少虫源。

红蜘蛛主要为害叶片，以成螨或若螨活动于叶片背面，吸取汁液为害。叶片背面出现大量细小的咬痕，肉眼看去像锈斑。秋季天气干燥时易发生。可用240 g/L螺螨酯悬浮剂3 000倍液防治。

8    参考文献

[1] 陈亚鸿，洪磊，陈雄庭.减少秋石斛在组织培养中的褐化研究[J].现代农业科学，2009（3）：44-48.

[2] 刘艳芬，刘贵巧，李振坚.舂石斛规模化繁殖技术[J].北方园艺，2006（6）：145-146.

[3] 沈少华，刘中来，谢国强，等.庐山铜皮石斛绿色高效栽培技术[J].农业科技通讯，2019（4）：280-281.

[4] 杜姣琳，聂庆娟.北方山区铁皮石斛设施栽培技术[J].现代农业科技，2019（6）：40-41.