Ar/SF6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO2速率的研究
2018-05-14 09:37满旭鲍妮张家斌郝永芹李洋贾慧民马晓辉
科技风 2018年34期
满旭 鲍妮 张家斌 郝永芹 李洋 贾慧民 马晓辉
摘 要：利用感应耦合等离子体（ICP）技术在Ar/SF6环境下对SiO2薄膜进行干法刻蚀。通过控制ICP功率、RF功率、反应压强和刻蝕气体比例，获得了较高的刻蚀速率（104nm/min），并对SiO2刻蚀速率随各参数的变化情况进行了讨论。
关键词：感应耦合等离子体（ICP）；Ar /SF6；刻蚀速率
