钟志有, 康 淮, 龙 浩
(1 中南民族大学 电子信息工程学院, 武汉 430074; 2 中南民族大学 智能无线通信湖北省重点实验室, 武汉 430074)
由于具有较大的载流子浓度和直接光学能隙,透明导电氧化物(TCO)薄膜展示了高可见光透过率和低电阻率等优良光电性能,因此被广泛应用于太阳能电池和平板显示器的透明电极、电磁防护屏以及红外反射涂层等领域[1,2].根据所用材料不同,透明导电薄膜可以分为氧化物透明导电薄膜、非氧化物透明导电薄膜、金属透明导电薄膜和高分子透明导电薄膜.在氧化物透明导电薄膜中,氧化铟锡(ITO)薄膜具有较低的电阻率、较高的可见光透过率和红外反射率以及良好的机械强度、化学稳定性和耐磨损特性,在发光二极管[3-5]、太阳能电池[6,7]、传感器[8,9]和平板显示器[10,11]等领域具有广泛应用.目前,虽然市场上使用的ITO薄膜技术成熟,但由于铟的自然储量少、制备工艺复杂、成本高、有毒性、稳定性较差等原因限制了ITO的使用范围[12-14],所以,研制ITO的替代产品已经成为当前透明导电薄膜领域的一个重要课题.
氧化锌(ZnO)价格低廉,可以通过掺杂方法制成性能优良的TCO薄膜.因此,ZnO基掺杂薄膜得到了非常广泛的关注,其中报道最多的是铝(Al)掺杂ZnO薄膜(AZO),此外镓(Ga)、硼(B)、锆(Zr)、钛(Ti)、镁(Mg)、钪(Sc)等掺杂的ZnO薄膜也已经得到了广泛的研究[15-21].AZO薄膜不但具有优良的光电性能和稳定性,同时由于成本低廉而备受重视.人们采用不同的沉积方法制备ZnO基掺杂薄膜,如磁控溅射[22-25]、脉冲激光沉积[26,27]、原子层沉积[28,29]、喷雾热分解[30,31]以及溶胶-凝胶法等[32,33],其中磁控溅射所制备的薄膜样品具有成膜质量良好、光电性能优良等特点,是目前最为常用的沉积方法之一[34-36].尽管如此,寻找新的ZnO基掺杂薄膜仍然具有十分重要的意义.实验表明,对于单元掺杂的ZnO薄膜而言,掺Mg有利于提高ZnO薄膜的光学透过率,并且改变掺Mg含量能够调控其光学能隙[16];而掺Sc的ZnO薄膜则具有非常优异的电学和光学性能[17].但是,由于Sc源(Sc2O3)价格昂贵而不实用,考虑到钇(Y)与Sc属于同一族元素并且其价格便宜,因此本文通过在ZnO中掺入MgO和Y2O3制成镁钇合掺的ZnO(MYZO) 陶瓷靶材,利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上沉积MYZO薄膜样品,基于X射线衍射仪和分光光度计的测试表征,重点研究薄膜厚度对MYZO结构性质和光学性能的影响.
选用厚度为1 mm的普通玻璃作为衬底材料,衬底大小为30 mm×30 mm.实验前首先对玻璃衬底进行擦拭、冲洗,然后依次在丙酮溶液、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗各15 min,最后使用去离子水冲洗并自然干燥,放入镀膜系统的预溅射室中.
采用射频(13.56 MHz)磁控溅射技术制备MYZO薄膜样品,所用成膜设备为沈阳科友真空设备公司生产的KDJ-567型高真空磁控与离子束复合镀膜系统.系统的本底真空度为3.0×10-4Pa,衬底温度为25C,溅射功率为85 W,镀膜时间为15~25 min.所用陶瓷靶材由合肥科晶材料技术有限公司生产,其直径为50 mm、厚度为4 mm.溅射靶材由MgO(2 wt.%)、Y2O3(2 wt.%)和 ZnO(96 wt.%)三者均匀混合后经过高温烧结而成,所用原材料MgO、Y2O3和 ZnO的纯度均为99.99%.实验时,靶材与衬底之间的距离为75 mm.溅射过程中所用工作气体为99.999%的高纯氩气,通过调节氩气流量使溅射时的工作气压稳定在2.5 Pa.实验过程中,在保持其它工艺参数不变的情况下而改变镀膜时间,分别将镀膜时间设置为15,20和25 min分别制备了出MYZO薄膜样品,以研究薄膜厚度对MYZO样品结构和性能的影响.
MYZO薄膜样品的结构性能通过德国Bruker公司的D8-ADVANCE型X射线衍射仪(Cu K,射线源的波长=0.15406 nm)分析,采用θ-2θ连续扫描方式,扫描速度为10/min,扫描步长为0.0164,工作电压为40 kV,工作电流为40 mA,扫描角度为30~70°.MYZO薄膜样品的透射光谱利用北京普析通用仪器公司的UV-2100型双光束UV-Vis分光光度计进行表征,测量时设置扫描步长为1 nm,扫描范围为300~800 nm.所有测试均在室温和大气条件下完成.
图1为MYZO薄膜样品厚度随镀膜时间的变化关系曲线,可以看出,当镀膜时间为15,20和25 min时,MYZO薄膜样品的厚度分别为220,290和370 nm,这里对应的薄膜生长速率为14.6,14.5和14.8 nm/min.明显看出,在MYZO薄膜样品沉积过程中,其生长速率基本上保持不变,约为14.6 nm/min,从而MYZO薄膜厚度与镀膜时间成线性关系.
图1 镀膜时间对MYZO样品厚度的影响Fig.1 Effect of deposition time on thickness of MYZO samples
图2为不同厚度时MYZO薄膜样品的XRD图谱,(a),(b),(c)分别对应于薄膜厚度分别为220,290和370 nm的MYZO样品.由图可见,在2θ为30~70的扫描范围内,MYZO薄膜样品主要有两个强度较大的XRD衍射峰,它们分别位于2θ为33.1和54.8附近,通过比对标准ZnO样品(JCPDS No. 36-1451)[37]发现它们分别与ZnO晶面(002)和(110)特征谱线数据相吻合.从XRD图谱还可看出,MYZO样品(002)和(110)衍射峰的强度和择优取向与薄膜厚度是密切相关的,当薄膜厚度较小时(220 nm),(110)衍射峰的强度明显大于(002)衍射峰的强度,此时MYZO样品沿(110)晶面方向具有择化取向生长特性.当薄膜厚度增加到290 nm时,(002)衍射峰的强度远远大于(110)衍射峰的强度,这里MYZO薄膜呈现出(002)择优取向生长的特点.但当薄膜厚度进一步增加到370 nm时,(002)衍射峰强度减小的同时(110)衍射峰强度增加,因此MYZO样品具有(110)择优取向生长特性.另外,从XRD图谱中,并没有探测出金属Mg,Y,Zn以及MgO和Y2O3的特征衍射峰,这些结果表明:磁控溅射所制备的MYZO薄膜样品中,Mg和Y替代了Zn的位置,或者存在于六角晶格之中,或者分布在晶粒间界的区域,所有的MYZO样品都为单相多晶薄膜,并且具有六角纤锌矿型的ZnO结构.
图2 MYZO样品的XRD图谱Fig.2 XRD patterns of MYZO samples
根据Mueller修正的Harris方法,可以采用(hkl)晶面的织构系数(TC(hkl))来定量表征薄膜的择优取向程度,TC(hkl)的数值越大,那么(hkl)晶面的择优取向程度就越高.根据文献[38],TC(hkl)定义为:
(1)
(1)式中,h、k、l为衍射晶面指数,TC(hkl)为(hkl)晶面的织构系数,I(hkl)和I0(hkl)分别为薄膜样品与标准ZnO样品(JCPDS No. 36-1451)在(hkl)晶面的衍射峰强度,N为计算时所取的衍射峰数目, 这里N为2.利用XRD测试数据可以获得MYZO样品的织构系数TC(hkl)数据.图3给出了不同薄膜厚度时MYZO样品两个晶面(002)和(110)的织构系数TC(002)和TC(110),从图中看出,TC(002)和TC(110)随薄膜厚度增加而呈现出相反的变化趋势.当薄膜厚度为220 nm时,有TC(110)>TC(002),MYZO样品具有(110)择优取向性;当薄膜厚度增加到290 nm时,有TC(002)>TC(110),MYZO样品的择优取性向由(110)改变为(002);当薄膜厚度继续增加到370 nm时,有TC(110)>TC(002),MYZO样品的择优取向性再次变为(110).上述结果表明,薄膜厚度对MYZO样品的择优取向性具有明显的影响.
图3 MYZO样品的织构系数Fig.3 Texture coefficient of MYZO samples
不同厚度时MYZO薄膜样品的透射谱曲线如图4所示,由图可见,在可见光波长范围内,所有MYZO样品的透射谱曲线都展示出了光滑而清晰的干涉条纹,并且薄膜厚度增加时,MYZO样品的干涉条纹就越多,这是由于光在空气/薄膜与薄膜/衬底两个界面之间的干涉所造成的,其结果说明在玻璃衬底上所沉积的MYZO样品的厚度是均匀的、表面是平整的.对于沉积在玻璃衬底上的薄膜样品,当MYZO的厚度为220,290和370 nm,它们的可见光区平均透过率(含玻璃)分别为82.63%,82.49%和82.41%,其平均透过率随薄膜厚度增加而减小.
图4 MYZO样品的透射谱曲线Fig. 4 Transmission spectra of MYZO samples
掺杂ZnO薄膜属于直接能隙的半导体材料,在基本吸收区域,其透过率(T)可以表示为:
T=Ce-αt,
(2)
(2)式中,C为常数、α为薄膜的吸收系数,t为薄膜厚度.对于吸收边缘有C≈1,因此,根据(1)式由吸收边附近的光学透过率T和薄膜厚度t就能够获得薄膜的吸收系数α.再根据Tauc法则[39],在吸收边附近,薄膜的吸收系数α与入射光子能量E之间满足如下关系式:
(αE)m=B(E-Eg),
(3)
(3)式中,B为常数,Eg为薄膜的光学能隙,指数m取决于跃迁的类型.m=2时,对应于直接跃迁,而m=1/2时对应于间接跃迁.MYZO薄膜属于直接跃迁,取m=2作出(αE)2与E之间的关系曲线图,利用线性外推法得到横轴(E)上的交点(αE=0)后,即可得MYZO薄膜的直接光学能隙Eg.
图5 MYZO样品(αE)2随E变化的关系曲线Fig. 5 Curves of (αE)2 versus E of MYZO samples
(4)
式(4)中,h为Planck常数,mv为价带中空穴的有效质量,mc为导带中电子的有效质量,Ne为载流子的浓度.对于MYZO样品,每一个Y原子替代一个Zn原子时,将产生1个自由电子,从而提高了薄膜中的载流子浓度Ne,由公式(4)可知,MYZO样品中载流子浓度Ne的增加必将导致其直接光学能隙Eg的增加,类似的结果在其它二元掺杂ZnO薄膜中也有报道[14,18,36].
图6 MYZO样品的光学能隙Fig.6 Optical bandgaps of MYZO samples
不同薄膜厚度时MYZO样品折射率(n)随波长()变化的曲线分别如图7所示.从图中看出,所有MYZO样品的折射率n随波长的增加而单调减小,表现为正常色散关系特性.当波长为500 nm时,对于薄膜厚度为220,290和370 nm的MYZO样品,其折射率n的值分别为2.12,2.04和2.11,可见MYZO样品的折射率n受薄膜厚度的影响较小.图8为不同薄膜厚度时MYZO样品消光系数(k)随波长变化的曲线,从图中看到,在可见光波段,所有MYZO样品的消光系数k几乎不受薄膜厚度的影响并且其数值都非常小,这说明MYZO样品在可见光范围内是几乎透明的.而在紫外光区域,消光系数k随波长的减小而显著增大.当波长为为360 nm时,MYZO样品的消光系数k分别为0.13,0.17和0.18,可见薄膜厚度对MYZO样品紫外区消光系数k具有一定的影响.
图7 MYZO样品的折射率Fig.7 Refractive index of MYZO samples
图8 MYZO样品的消光系数Fig.8 Extinction coefficient of MYZO samples
图9 MYZO样品(n2-1)-1随-2变化的关系曲线Fig.9 Curves of (n2-1)-1 versus -2 of MYZO samples
根据Wemple-DiDomenico单振子色散模型[39],MYZO样品的折射率n与波长λ之间的关系可以表示为:
(5)
式(5)中,S0为振子的平均强度,λ0为振子的平均位置.图9为不同薄膜厚度时MYZO样品样品(n2-1)-1随-2变化的关系曲线,由图可见,根据公式(5)可以将每一组数据都拟合成一条直线.这一结果表明:本实验所制备的MYZO薄膜样品,其折射率色散行为均遵循Wemple-DiDomenico单振子色散模型.
以普通玻璃作为衬底材料,利用射频磁控溅射工艺制备了MYZO薄膜样品,研究了薄膜厚度对MYZO生长特性和光学性能的影响.XRD研究表明,所制备的MYZO样品均为六角纤锌矿型的多晶结构,并且其择优取向性随薄膜厚度的增加而变化;当薄膜厚度为290 nm时,MYZO样品表现出(002)择优取向生长的特性.另外,通过光学表征方法得到了MYZO样品的光学能隙、折射率和消光系数,结果显示,由于受Burstein-Moss效应的影响,MYZO样品的光学能隙大于标准ZnO的值;所有样品的折射率均表现为正常色散特性,并且遵循Wemple-DiDomenico单振子色散模型.
[1]Ozgur U, Alivov Y I, Liu C, et a1.A comprehensive review of ZnO materials and devices [J]. J Appl Phys, 2005, 98(12): 041301.
[2]叶志镇, 吕建国, 张银珠, 等. 氧化锌半导体材料掺杂技术与应用 [M]. 杭州: 浙江大学出版社, 2009.
[3]Kim H, Horwitz J S, Kim W H, et al. Doped ZnO thin films as anode materials for organic light-emitting diodes [J]. Thin Solid Films, 2002, 420-421(1): 539-543.
[4]Cao H T, Sun C, Pei Z L, et al. Properties of transparent conducting ZnO:Al oxide thin films and their application for molecular organic light-emitting diodes [J]. J Mater Sci: Mater Electron, 2004, 14(1): 169-174.
[5]龙浩, 张智超, 顾锦华, 等. 组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响 [J]. 中南民族大学学报(自然科学版), 2017, 36(1): 71-75.
[6]Bekci D R, Erten-Ela S. Effect of nanostructured ZnO cathode layer on the photovoltaic performance of inverted bulk heterojunction solar cells [J]. Renewable Energy, 2012, 43(2): 378-382.
[7]Sio A D, Chakanga K, Sergeev O, et al.ITO-free inverted polymer solar cells with ZnO:Al cathodes and stable top anodes [J]. Sol Energy Mater Sol Cells, 2012, 98(1): 52-56.
[8]Yi I-J, Kim J-H, Choi Y J, et al. A disposable biosensor with Prussian blue deposited electrode [J]. Microelectron Eng, 2006, 83(4-9): 1594-1597.
[9]Yamamoto N, Makino H, Osone S, et al.Development of Ga-doped ZnO transparent electrodes for liquid crystal display panels [J]. Thin Solid Films, 2012, 520(11): 4131-4138.
[10]Zhong Z Y, Jiang Y D. Surface treatments of indium-tin oxide substrates for polymer electroluminescent devices [J]. Phys Status Solidi A, 2006, 203(15): 3882-3892.
[11]You Z Z, Hua G J, Lou S F. Optoelectrical characteristics of organic light-emitting devices fabricated with different cathodes [J].Int J Electron, 2011, 98(1): 129-135.
[12]Park S, Tark S T, Lee J S, et al. Effects of intrinsic ZnO buffer layer based on P3HT/PCBM organic solar cells with Al-doped ZnO electrode [J]. Sol Energy Mater Sol Cells, 2009, 93(6-7): 1020-1023.
[13]钟志有, 顾锦华, 何翔, 等. 有机太阳能电池无铟透明电极的光电性能研究 [J]. 中南民族大学学报(自然科学版), 2011, 30(1): 64-69.
[14]Li L, Fang L, Zhou X J, et al.X-ray photoelectron spectroscopy study and thermoelectric properties of Al-doped ZnO thin films [J]. J Electron Spectrosc Relat Phenom, 2009, 173(1): 7-11.
[15]Valle G G, Hammer P, Pulcinelli S H, et al. Transparent and conductive ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip-coating [J]. J Eur Ceram Soc, 2004, 24(4): 1009-1013.
[16]Kim I Y, Shin S W, Gang M G, et al. Comparative study of quaternary Mg and Group III element co-doped ZnO thin films with transparent conductive characteristics [J].Thin Solid Films, 2014, 570(1): 321-325.
[17]Minami T, Yamamoto T, Miyata T. Highly transparent and conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering [J]. Thin Solid Films, 2000, 366(1-2): 63-68.
[18]Lu Z, Kang H, Zhong Z, et al. Structural, electrical and optical properties of transparent conductive titanium-gallium-zinc oxide films by magnetron sputtering [J].J Mater Sci: Mater Electron, 2016, 27(12): 13271-13279.
[19]Kim H, Horwitz J S, Kim W H, et al. Anode material based on Zr-doped ZnO thin films for organic light-emitting diodes [J]. Appl Phys Lett, 2003, 83(18): 3809-3811.
[20]Prathap P, Reddy A S, Reddy G R, et al.Characterization of novel sprayed Zn1-xMgxO films for photovoltaic application [J]. Sol Energy Mater Sol Cells, 2010, 94(6): 1434-1436.
[21]Zhong Z Y, Zhang T. Microstructure and optoelectronic properties of titanium-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering [J]. Mater Lett, 2013, 96 (2): 237-239.
[22]Grimm A, Klenk R, Klaer J, et al. CuInS2-based thin film solar cells with sputtered (Zn, Mg)O buffer [J]. Thin Solid Films, 2009, 518(7): 1157-1159.
[23]Li W, Fang L, Qin G, et al. Tunable zinc interstitial related defects in ZnMgO and ZnCdO films [J]. J Appl Phys, 2015, 117(16): 145301.
[24]Minemoto T, Negami T, Nishiwaki S, et al. Preparation of Zn1-xMgxO films by radio frequency magnetron sputtering [J]. Thin Solid Films, 2000, 372(2): 173-176.
[25]Chen H, Ding J, Man S Structural and optical properties of ZnO:Mg thin films grown under different oxygen partial pressures [J]. Phys E, 2010, 42(8): 1487-1491.
[26]Kaushal A, Kaur D. Effect of Mg content on structural electrical and optical properties of Zn1-xMgxO nanocomposite thin films [J]. Sol Energy Mater Sol, 2009, 93(1): 193-198.
[27]Maemoto T, Ichiba N, Ishii H, et al.Structural and optical properties of ZnMgO thin films grown by pulsed laser deposition using ZnO-MgO multiple targets [J]. J Phys Conf Ser, 2007, 59(2): 670-673.
[28]Torndahll T, Bjrkman C P, Kessler J, et al. Atomic layer deposition of Zn1-xMgxO buffer layers for Cu(In, Ga)Se2solar cells [J]. Prog Photovolt: Res Appl, 2007, 15(2): 225-235.
[29]Hultqvist A, Bjrkman C P, Pettersson J, et al.CuGaSe2solar cells using atomic layer deposited Zn(O, S) and (Zn, Mg)O buffer layers [J]. Thin Solid Films, 2009, 517(11): 2305-2308.
[30]Prathap P, Reddy A S, Reddy G R, et al. Characterization of novel sprayed Zn1-xMgxO films for photovoltaic application [J]. Sol energy Mater Sol Cells, 2010, 94(9): 1434-1436.
[31]Yoon J-G, Jung K O, Kim H J. Charge transfer at the interfaces of polycrystalline ZnO/Zn1-xMgxO/ZnO heterostructures [J]. J Korean Phys Soc, 2008, 53(4): 2033-2038.
[32]Abed C, Bouzidi C, Elhouichet H, et al. Mg doping induced high structural quality of sol-gel ZnO nanocrystals: application in photocatalysis [J]. Appl Surf Sci, 2015, 349(2): 855-863.
[33]Zhao D X, Liu Y C, Shen D Z, et a1. Photoluminescence properties of Zn1-xMgxO alloy thin films fabricated by the sol-gel deposition method [J]. J Appl Phys, 2001, 90(11): 5561-5563.
[34]You Z Z, Hua G J. Structural, optical and electrical characterization of ZnO:Ga thin films for organic photovoltaic applications [J].Mater Lett, 2011, 65(10): 3234-3236.
[35]钟志有, 康淮, 陆轴, 等. 掺杂对ZnO半导体薄膜光学性能的影响 [J]. 中南民族大学学报(自然科学版), 2017, 36(3): 61-67.
[36]Lu Z, Long L, Zhong Z, et al. Structural characterization and optoelectrical properties of Ti-Ga co-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering [J]. J Mater Sci: Mater Electron, 2016, 27(3): 2875-2884.
[37]Raoufi D, Raoufi T. The effect of heat treatment on the physical properties of sol-gel derived ZnO thin films [J]. Appl Surf Sci, 2009, 255(7): 5812-5817.
[38]Valle G G, Hammer P, Pulcinelli S H, et al. Transparent and conductive ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dipcoating [J]. J Eur Ceram Soc, 2004, 24(4): 1009-1013,
[39]Pankove J I. Optical Processes in Semiconductors [M].New York: Dover Publications, 1975.
[40]Fallah H R, Ghasemi M, Hassanzadeh A, et al. The effect of deposition rate on electrical, optical and structural properties of tin-doped indium oxide (ITO) films on glass at low substrate temperature [J]. Phys B, 2006, 373(1): 274-279.