王志晓,周锋子,李国岭,臧国忠,李立本
金红石二氧化钛介电常数的光致增大效应
王志晓,周锋子,李国岭,臧国忠,李立本
(河南科技大学物理工程学院,河南洛阳471023)
研究了紫外光照对金红石二氧化钛(TiO2)和锐钛矿TiO2介电性质的影响。利用阻抗分析仪,测量暗态和紫外光照下金红石TiO2和锐钛矿TiO2在40~106Hz的介电常数。测量结果表明:在50~400 Hz,紫外光照可提高金红石TiO2的介电常数约18%,降低介电损耗约7%。在相同光照和测量频率条件下,锐钛矿TiO2的介电常数降低约10%。
金红石二氧化钛;锐钛矿二氧化钛;紫外光;介电常数
二氧化钛(TiO2)具有多种晶型,如金红石、锐钛矿、板钛矿等,是一种重要的宽禁带半导体材料。其具有催化活性高、稳定性好、无毒、成本低等特点,广泛应用于清洁能源、环境保护和微电子等领域。因而,多年来学者们对TiO2材料的物质结构、制备方法和物理化学性质等进行了广泛而深入的研究[1-4]。
在光照条件下,材料的物理性质会发生较大的改变,例如超导电性增强、电荷密度波幅度增强等[5-6]。光照也会改变ZnS-CdS、SrTiO3、有机聚合物等材料的介电常数[7-9]。文献[10-11]很早就研究了金红石TiO2单晶的介电性质,发现其具有较高的介电常数,在100 Hz左右的低频下,其相对介电常数为103~104,是一种典型的高介电材料。近年来,通过调控氧缺陷浓度或双金属共掺杂等方法,可进一步提高金红石TiO2低频介电常数到105,甚至更高,使其成为巨介电材料[12-15]。但是到目前为止,还没有关于光照对金红石TiO2介电性质影响的研究报道。因此,本文对比分析了紫外光照对金红石TiO2和锐钛矿TiO2介电性质的影响。
利用氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃作为可透光的电容器电极,以微米晶粉末金红石TiO2(Alfa Aesar公司,质量分数99.5%)和微米晶粉末锐钛矿TiO2(Alfa Aesar公司,质量分数99.6%)作为电容器填充材料。金红石TiO2基电容器的制备方法如下:在两块5 cm×6 cm导电玻璃的ITO导电膜上,分别沉淀一层乙醇混合的金红石TiO2微米晶粉末。当乙醇挥发后,将两块导电玻璃合并在一起,形成5 cm×5 cm导电玻璃/金红石TiO2/导电玻璃的三明治结构,并用夹具夹紧。图1为金红石TiO2基电容器示意图。经测量,金红石TiO2微米晶层的厚度约为100 μm。将两块导电玻璃上空置的5 cm×1 cm区域的金红石TiO2微米晶粉末清除干净。为了使金红石TiO2与导电膜接触充分,将样品放入马弗炉进行热处理,升温至400℃并保持30 min。待自然降至室温,取出样品,在空置的5 cm× 1 cm区域的导电膜处外接两根铜导线,用于测量电容。锐钛矿TiO2基电容器与金红石TiO2基电容器的制备过程类似。
紫外光源为两个175 W的汞灯,对称放置于样品两侧照射。在样品和光源之间,放置纯净水(吸收红外光)和可见光滤光片(吸收可见光),保证照射到金红石TiO2或锐钛矿TiO2的光主要是紫外光。试验装置示意图见图2。
图1 金红石TiO2基电容器示意图
图2 试验装置示意图
在介电性质研究中,使用Agilent 4294A型阻抗分析仪,分别测得暗态和紫外光照条件下40~106Hz的介电常数和介电损耗。其中,暗态指不用紫外光照射样品;紫外光照指利用紫外光源照射样品15 min。
图3为金红石TiO2和锐钛矿TiO2微米晶粉末样品的X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)图。通过与标准PDF卡片(金红石TiO2:JCPDS-21-1276,锐钛矿TiO2:JCPDS-21-1272)进行对比,确定试验中使用的样品是纯的金红石TiO2和纯的锐钛矿TiO2。
图4为金红石TiO2相对介电常数实部ε'随频率的变化曲线。图4a为暗态和紫外光照条件下金红石TiO2相对介电常数实部ε'的绝对值。图4a中给出高频下的放大图,方便清晰看出ε'在暗态和紫外光照条件下的区别。暗态下,金红石TiO2的ε'在低频端可达105,在高频端(106Hz)为64。金红石TiO2相对介电常数实部ε'随测量频率的增加快速衰减,符合Debye或Maxwell-Wagner类型的介电弛豫特性[11,16]。在紫外光照下,金红石TiO2相对介电常数实部ε'比暗态条件下有所增加。图4b给出紫外光照条件下金红石TiO2相对介电常数实部相对变化值(△ε'/ε')随频率的变化曲线。在低频端(40~103Hz),紫外光照可显著提高金红石TiO2相对介电常数实部的相对变化值,与暗态值相比,其相对介电常数提高约18%。随测量频率增加,金红石TiO2相对介电常数实部的相对变化值逐渐降低,在104Hz达到极小。其后,在2×105Hz,金红石TiO2相对介电常数实部的相对变化值再次出现了一个小的峰值。
图3 金红石TiO2和锐钛矿TiO2微米晶粉末样品的XRD图
图4 金红石TiO2相对介电常数实部ε'随频率的变化曲线
图5为金红石TiO2相对介电常数虚部ε″随频率的变化曲线。图5a为暗态和紫外光照条件下金红石TiO2相对介电常数虚部ε″的绝对值。暗态下,金红石TiO2的ε″随频率的增加快速衰减。在紫外光照下,金红石TiO2的ε″比暗态条件下也有所增加。图5b给出因紫外光照诱导的金红石TiO2相对介电常数虚部相对变化值(△ε″/ε″)随频率的变化曲线。在频率测量范围内,紫外光照明显使相对介电常数虚部相对变化值增大,△ε″/ε″>7%。在5×102~5×104Hz,△ε″/ε″达到最大并出现了平台,其后又在2×105Hz处,△ε″/ε″达到最小。
图5金红石TiO2相对介电常数虚部ε″随频率的变化曲线
图6 为金红石TiO2介电损耗tan δ随频率的变化曲线。在图6a中,暗态介电损耗峰在紫外光照后向高频端稍有偏移。由图6b可知:在40~103Hz,紫外光照降低了金红石TiO2的介电损耗相对变化值,与暗态值相比,其介电损耗降低约7%;在103Hz以上,紫外光照增加了金红石TiO2的介电损耗相对变化值;在104Hz,金红石TiO2介电损耗相对增量最大。
图6 金红石TiO2介电损耗tanδ随频率的变化曲线
为了对比分析金红石TiO2的介电性质,还测量了锐钛矿TiO2的介电常数。图7为锐钛矿TiO2相对介电常数实部ε'随频率的变化曲线。图7a为暗态和紫外光照条件下锐钛矿TiO2相对介电常数实部ε'的绝对值。在暗态下,锐钛矿TiO2在106Hz的相对介电常数实部ε'为19,与文献[16]一致。在紫外光照后,锐钛矿TiO2相对介电常数实部ε'比暗态下明显降低,这与金红石TiO2正好相反。图7b给出锐钛矿TiO2的相对介电常数实部相对变化值随频率的变化曲线。从图7b中可以看出:紫外光照条件下,随着频率增大,锐钛矿TiO2相对介电常数实部的相对变化值在逐渐减小,并在高频处趋近于0。此外,尽管在低频端锐钛矿TiO2相对介电常数实部的相对变化值达到了17%,但是由于锐钛矿TiO2的相对介电常数绝对值比金红石TiO2的小很多,因此,其绝对变化值远远小于金红石TiO2的绝对变化值。
金红石TiO2和锐钛矿TiO2在紫外光照下具有截然不同的介电响应行为,其物理根源可能与小极化子相关。金红石TiO2比较特殊,需用小极化子模型的能带结构来描述;而锐钛矿TiO2表现正常,可以用通常的刚带模型的能带结构来描述[17]。在紫外光照下,金红石TiO2中产生小极化子,而锐钛矿TiO2中产生自由电子-空穴对。小极化子的有效质量很大(约为电子质量的100倍),可能会对介电常数有正的贡献。而自由电子-空穴的行为与自由的空间电荷一样,对介电常数是负的贡献。因此,紫外光照后,金红石TiO2的相对介电常数实部ε'变大而锐钛矿TiO2的相对介电常数实部ε'变小。
图7 锐钛矿TiO2相对介电常数实部ε'随频率的变化曲线
工业上常用交流电频率为50 Hz或60 Hz,飞机和机场用交流电频率为400 Hz。本文研究结果表明:在50~400 Hz,金红石TiO2的介电常数在紫外光照下明显比暗态大,相对变化可达18%,而介电损耗降低约7%。利用这种效应,可以通过外接电路激发合适的发光二极管(light-emitting diode,LED)光源,用LED光源产生的紫外光来控制金红石TiO2基电容器电容的大小,从而实现可变电容器的高度集成,或用作各类电子器件的调频部件及制作光电探测器。
紫外光照射对金红石TiO2的低频介电性质有显著影响。在40~103Hz,紫外光照射会诱导金红石TiO2介电常数增大、介电损耗减小。利用这种效应,通过外接电路激发合适的LED光源,用LED光源产生的紫外光来控制金红石TiO2基电容器电容的大小,可以实现多种电子器件的光学调控,具有潜在的应用价值。
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TM28
A
1672-6871(2017)05-0085-05
10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2017.05.018
国家自然科学基金项目(U1404212,11404098);河南科技大学科研创新能力培育基金项目(2013ZCX018)
王志晓(1991-),男,河南洛阳人,硕士生;李立本(1963-),男,河南洛阳人,教授,博士,博士生导师,主要研究方向为电介质物理.
2016-12-21