美国开发出不依赖半导体的微电子器件

美国开发出不依赖半导体的微电子器件

美国加州大学圣地亚哥分校的研究人员基于纳米结构开发出一款不依赖半导体传导的光控微电子器件，其在低电压和低功率激光激发条件下的电导率比现有半导体器件提高近10倍。

据介绍，传统的半导体器件受材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自由电子替代半导体材料通常需要通过高电压、大功率激光或高温进行激发。研究人员在硅片上用金加工出一种类似于蘑菇形状的纳米结构，在10V以下直流电压和低功率红外激光激发下，即可释放自由电子，从而大幅提高了器件的电导率。

该光控微电子器件虽然不可能完全替代半导体器件，但可能在特殊需求下得到最佳应用，如超高频器件或大功率器件等。未来，研究人员或将能够采用不同的超材料表面结构制造出不同类型的微电子器件，并将其应用于光化学、光催化、光伏转化等领域。

(新 华)