一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法

授权公告号：CN104909336B

授权公告日：2016.07.13

专利权人：清华大学

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发明人：任大海；尤政；边潍；魏福建；郭甜薇

Int.Cl.：B82B3/00（2006.01）I；B82Y40/00（2011.01）I

摘 要：该发明属于微电子工艺领域和仪器仪表技术领域，特别涉及一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法。该发明方法步骤包括：步骤1，在多孔模板两侧分别制作电极A和电极B，其中电极B需确保不会堵塞多孔模板的孔洞；所述电极A为溅射得到的金属电极，所述电极B为溅射得到的金属电极；步骤2，电极A和电极B分别与电源相连，并浸入装有电解液的溶液槽中，直至生长出均匀的纳米线阵列。相比于采用化学机械抛光来保证纳米线长度的一致性的方法，该发明方法对于纳米线的长度控制更加简单易行，不再需要抛光工艺介入。同时，该发明所提供的工艺途径避免了抛光过程对多孔模板的损伤，有利于良品率的提高。