一种高速LVDS接收电路的设计

胡庆成，贺凌炜，周晓彬（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035）



一种高速LVDS接收电路的设计

胡庆成，贺凌炜，周晓彬
（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035）

提出了一种内置失效保护功能的高速低压差分信号（Low Voltage Differential Signaling，LVDS）接收电路。该电路不仅解决了传统电路结构在电源电压3 V或更低时不能满足LVDS标准规定的输入共模电压范围内（0.05～2.35 V）稳定工作的问题，而且还可以直接作为LVDS接口电路的输入级使用，节省了外接保护电路。基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺模型库，用spectre进行仿真，在输入共模电压范围内工作稳定，传输速率达到1 Gbps。

LVDS；接收电路；失效保护；共模电压

1　引言

LVDS是一种低摆幅的差分信号，具有传输速度快、低功耗以及低噪声等优点，是一种通用的接口标准。它广泛应用于体积小、功耗低的便携式设备和高速通讯设备中［1］。图1是典型的点到点LVDS系统。

它由驱动电路（driver）、连接线（interconnect）、接收电路（receiver）和端接阻抗（100 Ω）组成。data信号通过驱动电路生成LVDS差分信号VO+和VO-，然后经过连接线传输，最后在端接阻抗两端形成接收电路的输入信号VI+和VI-。接收电路会根据VI+和VI-的大小判别出所传输数据是“0”还是“1”，并将其转换成相应的内部逻辑电平。

由于驱动电路和接收电路的参考地存在电势差，为了保证信号传输的可靠性，LVDS标准［2］规定，接收电路必须在0.05～2.35 V的输入共模电压范围内稳定工作。但是，当电源电压降低至3 V或更低时，传统的LVDS接收电路结构就很难满足这个指标。而且，LVDS接口电路是可以并联使用的，既可以同时工作，也可以部分工作。当部分工作时，未使用的接收电路就没有输入信号。为了避免非正常工作，就需要用到失效保护电路。通常都是采用外接的方法来实现，不仅增加了外围电路的复杂性和成本，还会对正常工作时的输入信号产生影响。本文设计了一种互补并行结构的高速LVDS接收电路，且内置了失效保护功能，可以保证在标准规定的输入共模电压范围内正常工作，还可以节省外部元器件，降低成本，提高电路可靠性。

图1　典型的点到点LVDS系统

2　接收电路设计

图2　典型的LVDS接收电路

图2是典型的LVDS接收电路结构［3］。M1～M6组成施密特型差分放大器，检测到差分输入信号VI+和VI-后，经二级放大，由M7～M8构成的反相器输出CMOS电平。当差分信号的输入共模电压保持在一个合适的范围内，接收电路就可以稳定地输出结果。但是，要达到LVDS标准要求的0.05～2.35 V输入共模电压范围，就存在一些问题。

电源电压降低到3 V或更低时，如果没有采用低阈值的器件，在输入共模电压低于0.1 V时，M1和M2就会进入线性区工作，导致放大器的增益下降，那么第一级放大器的输出就没有足够的能力来驱动第二级反相器，VOUT输出幅度就会降低甚至出错。另外，增益的下降还会加大放大器的传输延迟，降低传输速率。

图3是本文设计的接收电路结构，可以在不用低阈值器件的基础上仍然满足LVDS标准规定的输入共模电压范围。

接收电路的第一级由两个互补并行的CMOS差分放大器构成。M1～M4组成PMOS差分对，M5～M8组成NMOS差分对，M9和M10分别为差分放大器提供直流工作点。无论哪个差分对由于输入共模电压的变化而偏离正常的工作区域，其互补的差分对仍然可以稳定工作，因此电路就可以拓宽输入共模电压的范围。在PMOS差分对中，PMOS管M1和M2组成差分输入管，NMOS管M3和M4以二极管连接的方式作为负载。在直流工作点不变的情况下，放大器的增益和带宽只与输入管及负载管的宽长比有关［4］。同理NMOS差分对的增益和带宽也只与M5～M8的宽长比有关。

接收电路的第二级采用镜像电流源结构，由M11～M20组成。M13～M16实现PMOS电流源向NMOS电流源的转换。M11、M12、M17和M18分别镜像M4、M3、M8和M7的电流，并选取合适的增益进行电流放大。M19和M20组成镜像电流源负载，并实现双端变单端的输出转换。M21～M24为两个反相器，构成缓冲级，输出CMOS电平。

图3　本文设计的LVDS接收电路结构

3　内置失效保护功能

如图2所示的接收电路，当差分输入没有信号的情况下，整个电路的工作就很不稳定。如果要作为LVDS接口电路的输入级使用，就必须外接保护电路。而在本设计中，如图3所示，采用增加上拉电阻R0和R1以及增大M20宽长比的简单方法，就可以使VOUT在无信号输入的情况下输出恒定的高电平，实现保护功能。下面简要说明一下工作原理。

当接收电路输入端口VI+和VI-处于开路、短路或端接阻抗（100 Ω）三种故障状态时，由于上拉电阻的作用，两端口的电压值都等同于VDD，即差分放大器的输入共模电压为VDD，此时流过M19和M20的电流是一样的。但是，由于增大了M20的宽长比，增强了导通能力，其相应的VDS电压降减小，抬升了节点VX的电压值，就可以使输出VOUT保持高电平。图4是输入端口在开路、短路和端接阻抗三种情况下的仿真波形。

图4　三种故障模式下的失效保护功能仿真波形

4　仿真结果与分析

采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺模型库进行spectre仿真。考虑到ESD保护结构以及封装对电路的影响，在仿真中加入了寄生参数。图5为电路仿真模型图，ESD寄生电容选为2 pF，封装的寄生参数选为2 nH和5 pF［5］。

图5　电路仿真模型图

图6为电路仿真波形。差分信号的输入频率为500 MHz，差模电压为±100 mV；输入共模电压选取了三个典型值，分别为0.05 V、1.20 V和2.35 V。结果显示，电路可以稳定工作在1 Gbps的传输速率下。

图6　电路仿真波形图

5　结束语

本文设计了一种内置失效保护功能的高速LVDS接收电路，其中互补并行的差分输入结构展宽了共模电压输入范围，达到LVDS标准规定的要求；而且还可以节省外接的保护电路，降低成本、提高可靠性。在SMIC 0.18 μm CMOS工艺模型上，电路传输速率可达1 Gbps，可直接应用于高速传输的接收电路中。

［1］蔡敏，王谧.LVDS接收器的失效保护电路设计［J］.半导体技术，2005，30（4）：61-64.

［2］TIA/EIA-644-A.Electrical Characteristics of Low Voltage Differential Signaling（LVDS）Interface Circuits［S］.2001.

［3］Andrea Boni.LVDS I/O interface for Gb/s-per-pin operation in 0.35 μm CMOS［J］.IEEE Journal of Solid-State Circuits，2001，36（4）.

［4］［美］毕查德·拉扎维.模拟CMOS集成电路设计［M］.西安：西安交通大学出版社，2003.

［5］丁艳玲.一款低功耗的高速CMOS LVDS信号接收器［J］.电子技术应用，2015，41（3）：55-57.

Design of a High-Speed LVDS Receiver

HU Qingcheng，HE Lingwei，ZHOU Xiaobin
（China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute，Wuxi 214035，China）

The paper proposes a high-speed LVDS receiverembedded with failure-safe function，which ensures stable operation at 3 V or lower power supply when input common-mode voltage requirement（0.05 V to 2.35 V）may not be met and eliminates the protective circuit.During the Spectre simulation based on the model library of SMIC 0.18 μm CMOS technology，the circuit works stably in input common-mode voltage range and achieves a transmission rate up to 1 Gbps.

LVDS；receiver；fail-safe；common mode voltage

TN402

A

1681-1070（2016）07-0026-03

2016-3-25

胡庆成（1976—），男，江苏无锡人，本科，工程师，主要从事集成电路设计工作；

贺凌炜（1991—），男，江苏无锡人，本科，助理工程师，主要从事模拟集成电路设计工作。