10W高线性802.11n功率放大芯片设计

陈璐　张晓东　田婷　王锋

摘要：本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10w功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点，并且使用方便。芯片采用GdAs HBT技术，芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构，饱和输出功率可达41dBm，功率附加效率达到40%，功率增益为38dB。此外芯片内部设计了50欧姆的输入输出匹配电路与片内EsD保护电路，方便用户安全使用。

关键词：功率放大器；802.11n；GdAs HBT；热分流

引言

802.11n是宽带无线局域网（WLAN）的一种传输标准。在WLAN组网时，可以利用无线桥接技术将两个不同物理位置，不方便布线的用户连接到同一局域网内。但是由于WLAN自身发射功率较低，桥接的距离非常有限。因此在为桥接路由器设计大功率、高线性、符合802.11n要求的功率放大器是非常有价值的。

在实际应用中，为满足传输距离要求，需要线性输出2W的功率放大器。为得到2W的线性输出，通常功率放大器的饱和输出功率需要达到10W以上。10W功率放大器通常是由电路模组实现的，体积大，一致性不高。本文介绍的是一款10w功率放大芯片，芯片采用10×10×1.1mm3的LGA封装，相比于电路模组，大大节约了电路板面积，同时在稳定性、一致性方面具有很大优势。