浅析DF100A型短波发射机射频增益控制的工作原理及故障处理

梅楠

【摘 要】本文介绍并分析了DF100KW短波发射机射频增益控制的工作原理和故障处理。

【关键词】1A9；射频增益控制；故障分析

1 射频增益控制的工作原理

1A9射频增益控制放大器安装在控制机箱内，它的输入信号来自频率合成器，输出信号通过射频电缆接到宽放的输入端。射频增益控制放大器主要用于自动调节频率合成器输出射频电平的大小或通过前面板增益控制钮来调节发射机射频激励电平。

射频增益控制放大器原理。CR1为PIN二极管型号为HP5082-3081，它的工作特点是当改变通过PIN二极管的直流偏置电流时其阻抗也随之改变即CR1的阻抗与通过的电流成反比。

PIN型二极管工作波形如图：

ID在0-几mA 内变化时RD为10KΩ-10Ω内变化。

Q1、Q2为直流放大器，Q1的偏置由R1与R13串联面板上射频增益控制电位器和U1、U2光电耦合器集电极发射极间的压降Uce并联的总阻抗分压后取得。Q2的输出电流Ie2即为CR1 HP5082-3081PIN二极管直流偏置电流。当改变射频增益控制电位器的阻抗或改变U1、U2光电耦合器 Uce的电压，都将改变Q2输出的直流电流Ie2的大小，CR1 PIN二极管是Q2直流负载的一部分，所以ICR1也随之变化，导致CR1的射频阻抗变化。

由Q3、Q4及外围电路组成射频放大电路。对于射频输入通路R14与R21并联阻抗为50Ω作为频率合成器的负载电阻。Q3的输入阻抗、CR1 PIN二极管的可变射频阻抗和R6并联与R15串联组成射频分压电路，当CR1 PIN二极管的射频阻抗随Q2的发射极电流Ie2变化时，也就改变了射频放大管Q3的射频输入信号，从而也就改变了射频放大管Q3的射频输入信号，从而改变了射随器Q4的输出即实现了射频增益的控制。

从上述分析我们可以了解到射频增益的控制实际上是通过发射机面板上安装的射频增益控制电位器来实现人工手动控制的。然而自动控制需要解决射频激励大小的取样问题，我们知道射频激励的大小可以从高前管阴流和高末管栅流的大小来体现。因此与高前阴流成正比的控制电压取自1PS6TB2-6，与高末栅流成正比的控制电压取自1PS5 TB1-10，这两组直流电压信号分别按到光电耦合器U1和U2〔4N26〕的发光二极管两端，当射频激励过大时，高前阴流和高末栅流均会增加，从而导致1PS6 TB2-6、1PS5TB1-10负载直流电压的增加，使U1、U2内发光二极管的发光强度增加，U1、U2内的三极管导通增加，输出电压Uce下降。Q1偏置下降，Q2偏置增加输出电流增加即通过CR1直流电流增加，其射频阻抗下降，Q3的输入射频电压下降Q3、Q4的射频信号输出下降，从而降低了激励，反之也一样，从而实现了射频增益的自动控制。可描述为

射频激励↑--高前阴流和高末栅流↑--U1、U2内发光二极管的发光强度↑--输出电压Uce↓--Q1偏置↓--Q2偏置↑--通过CR1直流电流↑-- CR1射频阻抗↓--Q3的输入射频电压↓--Q4的射频信号输出↓--射频激励↓

从手控和自动控制射频增益的方式来看，此电路的特色是通过控制CR1 PIN二极管的直流偏置改变其阻抗达到间接改变射频增益大小的。比直接改变射频增益的电路具有：电路非常简单、引入的干扰小、易实现自动控制等优点。

调整1PS6R33使高前阴流最大0.6A，调整1PS5R6使高末栅流最大0.65A。当射频激励过大时，高前阴流和高末栅流均不会再增加。

2 故障分析与处理

1A9故障有直通和断路两个方面：

直通：也叫不起控，即1A9失去自动控制增益的作用，相当于一根导线，频率合成器输出信号不加控制直接进入宽放。由于宽放的增益很高，宽放送至末前管的激励过大，致使末前阴流超过0.8A，引起末前级过荷，掉高压。

导致1A9不起控的原因：R17开路，4N26击穿，Q1，Q2坏，1A9 6号端子上滤波电容击穿，阻流圈开路等。

处理：减小激励（6R4）或者减小频率合成器的输出幅度，重新调谐，即可维持播音。

断路：频率合成器输出信号无法送至宽放，末前阴流为零。

原因：1A9输入、输出Q9头，Q3、Q4坏，1A9电源保险爆。

处理：使用三通短路1A9，减小频率合成器输出幅度，维持播音。

故障现象：加高压IPA过荷，调谐无效。

故障原因：1A9-U1（4N26）击穿，自动增益控制失控。

处理方法：减小射频激励，重新调谐末前至正调谐点，逐步加激励调谐高末、负载正常，停机后更换1A9。

【参考文献】

[1]魏瑞发，陈锡安.脉阶调制设备.

[2]郭宝玺.功率新型短波发射机射放技术.

[3]王延辉.DF100A及418E/F系列发射机 维护图册.

[责任编辑：汤静]