ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

日前，ROHM宣布成为世界首家开发出采用沟槽结构的SiCMOSFET，并已建立起了完备的量产体制。

与已经在量产中的平面型SiCMOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。

到目前为止，沟槽结构困在SiC-MOSFET中采用可有效降低导通电阻而备受关注，但为了确保元器件的长期可靠性，需要设计能够缓和Gate Trench部分产生的电场的结构。

此次，ROHM通过采用独创的结构，成功地解决了该课题，并世界首家实现了采用沟槽结构的 SiCMOSFET的量产。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，导通电阻可降低约50%，同时还提高了开关性能（输入电容降低约35%）。

近年来，在全球范围寻求解决供电问题的大背景下，涉及到如何有效地输送并利用所发电力的“功率转换”备受关注。SiC功率器件作为可显著减少这种功率转换时的损耗的关键器件而备受瞩目。ROHM一直在进行领先行业的相关产品研发，于2010年成功实现SiC MOSFET的量产，并在持续推进可进一步降低功率损耗的元器件开发。

此次，采用可最大限度发挥 SiC特性的沟槽结构的SiC-MOSFET在全球率先实现量产，其成功意义非常巨大，是划时代的里程碑。该SiC-MOSFET是兼备极其优异的低损耗特性与高速开关特性的最高性能的功率晶体管，功率转换时的效率更高，可″毫无浪费″地用电，其量产将为太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源等所有设备进一步实现节能化、小型化、轻量化做出贡献。

另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co.，Ltd.(日本福冈县)，后期工序的生产基地为ROHM总部工厂(日本京都市)。

(AET Tiger)