SABRE3D:技术和生产力领先者：WLP Electrodeposition

(1.泛林研究（美国）公司，图拉丁，俄勒冈州，美国；2.泛林研究（新加坡）有限公司，Serangoon North Avenue 5，新加坡；3.泛林半导体设备技术（上海）有限公司，上海201203)

ZHU Huanfeng1，CheePing Lee2，ZHANG Mike3，Damo Srinivas1，LI Xiao3，TAN Sherry3

(1.泛林研究（美国）公司，图拉丁，俄勒冈州，美国；2.泛林研究（新加坡）有限公司，Serangoon North Avenue 5，新加坡；3.泛林半导体设备技术（上海）有限公司，上海201203)

随着消费者对移动电子设备不断提出“更小，更快，更强大”的需求，先进封装技术变得越来越重要。外形尺寸的减少，功耗的降低，系统级封装等正是得益于该技术的广泛推广。

相对于传统的封装，以硅通孔（TSV）和晶片级封装（WLP）为代表的2.5D和3D堆叠集成技术在减少线宽，增大I/O密度的同时，能够实现更直接的芯片到芯片互连，从而获得“摩尔定律”之外的性能提高。

所以，以WLP为代表的先进封装已成为半导体行业中增长最快的领域之一，而且这种趋势会随着包括硅通孔TSV、Pillar、Micro-Bumps以及先进的再分配层（RDLs）等在内的3D技术日益成熟而持续下去，同时这些3D集成方案也在不断推动新的金属和介电互连材料和应用。

1 领先的生产力

2 业内领先的技术

（1）先进的前处理（APT）采用真空/液体回填技术，实现晶圆完全润湿，确保100%的无气泡缺陷的凸点电镀性能。

（2）革命性的TurboCell电镀室的设计，配以泵对流设计，最大限度地形成孔内对流，提高了电镀均匀性指标（Features，Die，Wafer），使其非常适合于小型和细线宽微凸以及RDL结构。

（3）Smart Spin通过软件控制边缘的非均匀性的校正技术，能够有效地降低晶圆边缘电流密集效应。客户无需额外专门的腔体/硬件操作进行调节，就能够达到不同边缘布局的晶圆都能有高良率，提高晶圆产量。

（4）Ecobump克服了锡银电镀中的根本性问题。SABRE3D通过金属离子分离阳极室（MISAC）和工艺控制系统，以及一个专有离子选择性膜，实现了无铅的锡-银可溶阳极电镀。极大地减少低阿尔法锡金属电镀成本，以及添加剂的消耗。这已成为目前客户的首选方案。

（5）SABRE3D的在线化学液控制系统能实现正反向回馈来控制化学液组成，维持晶片到晶片工艺稳定性，大大减少了线下操作的成本和风险，提高化学液的寿命和设备运行时间。

3 着眼未来

Lam Research会继续朝着实现优良均匀性，高电镀速率，低成本，少缺陷等方向努力，通过克服各种技术挑战，不断倾听客户的需求，为客户提供全面的生产解决方案。例如：目前根据客户的需求，SABRE3D已具备处理各种尺寸的晶片（200～330 mm），复合“晶圆”材料（如纯玻璃，玻璃粘结，和环氧树脂模制化合物），并能处理翘曲晶片的能力（如Fan-Out WLP处理）。同时Lam不断提供技术更新来增强或提高现有设备能力，以满足客户不断变化的业务需求。作为设备可扩展性设计理念的一部分，能够实现不同电镀化学液的转换兼容，缩短客户从研发转向量产的时间，并在现有设备上无缝衔接更多先进功能，最大限度地提高客户端运营效率。

想了解更多相关信息，请致电销售人员（李潇+86-135-01620385电邮:xiao.li@lamresearch.com）