基于Cu掺杂ZnInS和ZnCdS量子点的高显色性白光LED

袁 曦,马瑞新,单美玲,赵家龙,李海波*

(1.吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室,吉林四平 136000; 2.吉林师范大学信息技术学院,吉林四平 136000)

基于Cu掺杂ZnInS和ZnCdS量子点的高显色性白光LED

袁 曦1,2,马瑞新1,单美玲2,赵家龙1,李海波1*

(1.吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室,吉林四平 136000; 2.吉林师范大学信息技术学院,吉林四平 136000)

利用胶体化学方法合成了发光波长可调的Cu掺杂量子点,其波长范围可从绿光到深红光连续调节。通过将绿光ZnInS∶Cu和红光ZnCdS∶Cu量子点与蓝光GaN芯片相结合,制备了高显色性的白光LED,其流明效率为71 lm·W-1,色温为4 788 K,显色指数高达94,CIE色坐标为(0.352 4,0.365 1)。通过测量Cu掺杂量子点的荧光衰减曲线,发现不存在从绿光ZnInS∶Cu到红光ZnCdS∶Cu量子点的能量传递过程,因为红光ZnCdS∶Cu量子点在绿光波段没有吸收。实验结果表明,Cu掺杂量子点有望应用于固态照明领域。

量子点;纳米晶;Cu掺杂量子点;白色发光二极管;能量传递

1 引 言

人类照明大约消耗全球总电能的20％,为了应对庞大的电能需求,减少二氧化碳排放,很多国家宣布将逐步淘汰高能耗的白炽灯[1]。白色发光二极管因具有长寿命、高效率,将有望替代白炽灯[2]。目前黄色稀土荧光粉(YAG∶Ce3+)与蓝光LED相结合是制备白光LED的主流方案[3]。但YAG∶Ce3+的发光主要集中在黄绿光区,红光部分缺失,导致白光LED的色温偏高(CCT＞4 500 K),显色指数偏低(CRI＜80)[3-4]。此外,稀土荧光粉颗粒尺寸较大(微米量级),光散射严重,会导致发光器件效率降低[1]。因此,需要探索新材料用于制备高效率和高显色性的白光LEDs。

半导体纳米晶(量子点,QDs)因为具有发光波长尺寸组分可调、发光效率高、粒子尺寸小、光散射几乎为零等优点,被认为在显示及照明领域有着广泛的应用前景[5-8]。基于蓝光LED与CdSe量子点的白光LED已经成功制备,其显色指数约为91,优于商品化的YAG∶Ce3+白光LED[9]。但作为白光LED的颜色转换材料,CdSe量子点的前景并不明朗,一方面是因为重金属元素Cd有毒,另一方面是其小的斯托克斯位移导致的严重的自吸收和能量传递将引起LED效率降低[10]。因此,急需开发低毒、高效、具有大斯托克斯位移的量子点材料。

过渡族金属离子(如Cu、Mn等)掺杂量子点具有大的斯托克斯位移和良好的化学及热稳定性,是制备白光LED的理想材料[2,11]。其中通过简单地改变Cu掺杂量子点的基质组分和尺寸,可实现其发光在红光到蓝光波段内连续可调。如InP∶Cu量子点发光在630～1 100 nm可调[12], ZnInS∶Cu在520～670 nm可调[13],ZnSe∶Cu/S在485～540 nm可调[14]。此外,Wang等[2]将YAG∶Ce荧光粉与CdS∶Cu/ZnS量子点共同应用于白光LED制备,所得器件显色指数为86,流明效率为37.4 lm·W-1,且两者间没有再吸收发生。本课题组之前将红光与绿光ZnInS∶Cu量子点与蓝光LED相结合制备白光LED,显色指数可达95[13]。由于红光ZnInS∶Cu量子点在绿光波段存在微量吸收,可能会影响器件效率,因此,需要探索在绿光波段没有吸收量子点,用于制备高品质白光LED。

本文通过一锅法合成了ZnInS∶Cu/ZnS及ZnCdS∶Cu/ZnS核/壳量子点,发光在深红光到绿光内组分可调,且红光ZnCdS∶Cu量子点在绿光波段没有吸收。我们将绿光的ZnInS∶Cu量子点与红光的ZnCdS∶Cu量子点混合涂覆在蓝光GaN芯片表面制备白光LED,研究了电流强度对器件效率的影响。此外,利用稳态光谱以及时间分辨光谱研究了量子点之间的能量传递过程。

2 实 验

2.1 材料

实验所用药品有硫粉(S,99.99％)、醋酸锌(Zn-(OAc)2,99.99％)、醋酸铟(In(OAc)3,99.99％)、氧化镉(CdO,99.99％))、醋酸铜(Cu(OAc)2, 99.99％)、油胺(OAm,97％)、油酸(OA,90％)、十二硫醇(DDT,99.9％)和十八烯(ODE,90％),上述药品均从Aldrich公司购买,在购买后未经纯化处理,直接使用。

2.2 前驱体制备

Zn前驱体(0.1 mol/L,用于合成ZnCdS∶Cu晶核)制备:称取0.367 g Zn(OAc)2放入装有1.6 mL OAm和18.4 mL ODE的50 mL三颈瓶中,在氩气氛围下,搅拌并加热到160℃,保持10 min至溶液透明,降温到50℃待用。

Zn前驱体(0.4 mol/L,用于ZnS壳层包覆)制备:称取1.46 g Zn(OAc)2放入装有6 mL OAm和14 mL ODE的50 mL三颈瓶中,在氩气氛围下,搅拌并加热到160℃,保持10 min至溶液透明,降温到50℃待用。

Cd前驱体制备(0.1 mol/L):称取0.256 g CdO放入装有4 mL OAm和16 mL ODE的50 mL三颈瓶中,在氩气氛围下,搅拌并加热到160℃,保持10 min至溶液透明,降温到50℃待用。

In前驱体制备(0.1 mol/L):称取0.584 g In(OAc)3放入装有6 mL OAm和14 mL ODE的50 mL三颈瓶中,在氩气氛围下,搅拌并加热到200℃,保持10 min至溶液透明,降温到50℃待用。

Cu前驱体制备(0.01 mol/L):称取18.2 mg Cu(OAc)2放入装有0.5 mL OAm、9.5 mL ODE的50 mL三颈瓶中,在氩气氛围下,搅拌并加热到90℃,保持10 min至溶液透明,降温到50℃待用。

ODE-S(0.4 mol/L)制备:称取128 mg S粉放入装有10 mL ODE的50 mL三颈瓶中,在氩气氛围下,搅拌并加热到120℃,保持20 min至溶液透明,降温到50℃待用。

2.3 ZnInS：Cu与ZnInS：Cu/ZnS核/壳量子点的合成

ZnInS∶Cu量子点采用一锅法合成[15]。取1 mL Zn前驱体溶液(0.1 mol/L)、1 mL In前驱体溶液、1 mL Cu前驱体溶液、2 mL ODE-S溶液、2 mL DDT和3mL OAm混合装入50 mL三颈瓶内。将此瓶置于氩气氛围中,并将反应液加热到220℃(加热速度15℃/min),保持10 min,得到ZnInS∶Cu量子点。降低反应温度至100℃后,将1 mL的Zn前驱体(在160℃下,将73 mg Zn(OAc)2溶解在0.8 mL ODE和0.2 mL OAm中)加入反应液,并加热到240℃(加热速度15℃/min),保持20 min,得到绿光ZnInS∶Cu/ZnS核/壳量子点。将反应温度降低至60℃,加入丙酮,离心沉淀,倒掉上清液,再将沉淀物溶解到氯仿中,加入丙酮离心纯化2～3次,获得最终产物。仅将In/Zn前驱体的量比变化为2/1(In与Zn总物质的量不变),保持其他反应条件不变,即可获得黄绿光ZnInS∶Cu量子点。

2.4 ZnCdS：Cu与ZnCdS：Cu/ZnS核/壳量子点的合成

取0.67 mL Zn前驱体(0.1 mol/L)、1.33 mL Cd前驱体、0.2 mL Cu前驱体、1 mL ODE-S、1 mL DDT与2 mL ODE混合装入50 mL三颈瓶内。将此瓶置于氩气氛围中,搅拌并加热到220℃(加热速度15℃/min),保持30 min,得到ZnCdS∶Cu量子点。将1 mL的Zn前驱体(0.4 mol/L)加入反应瓶中,之后每间隔20 min向反应瓶中注入1 mL的Zn前驱体溶液(0.4 mol/L),重复3次,得到黄光发射的ZnCdS∶Cu/ZnS核/壳量子点。将反应温度降低至60℃,加入丙酮,离心沉淀,倒掉上清液,再将沉淀物溶解到氯仿中,加入丙酮离心纯化2～3次,获得最终产物。仅将Cd/Zn前驱体的量比变化为4/1与8/1(In与Zn总物质的量不变),保持其他反应条件不变,即可获得红光和深红光的ZnCdS∶Cu量子点。

2.5 白光LED的制备

将0.3 g硅树脂与0.1～0.2 g ZnInS∶Cu/ZnS量子点和/或0.1～0.2 g ZnCdS∶Cu/ZnS量子点装入5 mL样品瓶中,剧烈搅拌至完全混合。将样品瓶放在加热板上,在50℃下,保持1 h,除去氯仿。之后,向混合液中加入0.15 g固化剂,剧烈搅拌至均匀后,放入真空烘箱,在50℃下加热30 min,使混合液中气泡得以消除。将制备好的量子点与硅树脂的混合浆涂敷在蓝光LED芯片表面,并放入真空烘箱内,在100℃下,加热30 min,再加热到120℃保持1 h。

2.6 量子点及其白光LED的表征

吸收光谱由UV-2450 UV-Vis扫描光度计(Shimadzu)测量。用Hitachi F-7000测量稳态荧光光谱,150 W氙灯为激发光源。用Edinburgh Instruments FL920测量量子点的荧光衰减曲线, nF900闪烁氢灯为激发光源。量子点的形状与尺寸通过透射电子显微镜(Tecnai G2)进行表征。采用德国Bruker X射线衍射仪分析样品的晶格结构,辐射源为Cu靶Kα1射线(0.154 18 nm),扫描步长为0.02°,管压为40 kV,管流为35 mA。通过与标准染料(罗丹明B)对比,获得样品的荧光量子效率。通过Ocean Optics USB4000光谱仪(配有积分球)测量量子点LED的发光光谱、色坐标、显色指数、色温和流明效率。

3 结果与讨论

图1是基质组分不同的Cu掺杂量子点的吸收和归一化的发光光谱。从图1可以看出,Cu掺杂ZnInS(ZnCdS)量子点的发光可在绿光到深红光范围内连续调节。随着In/Zn前驱体比例的增加(从1/1到2/1),ZnInS∶Cu/ZnS核/壳量子点的吸收带边和发光峰位明显红移。同样,随着Cd/Zn前驱体比例的增加(从2/1到8/1), ZnCdS∶Cu量子点的吸收带边和发光峰位也发生了明显红移。这是由于Cu离子的发光主要来自于基质导带电子与Cu的T2能级空穴之间的辐射复合[16],因此,在基质ZnInS(ZnCdS)合金中增加窄带隙材料In2S3(CdS)相对于宽带隙材料ZnS之间的比例,可使基质带隙变窄,导致吸收和发光光谱红移。此外,Cu离子的发光机理导致Cu掺杂ZnInS(ZnCdS)量子点拥有大的斯托克斯位移(＞130 nm),相较于本征CdSe量子点仅为～20 nm的斯托克斯位移[17],Cu掺杂ZnInS(ZnCdS)可以更好地避免由于量子点间的自吸收所导致的器件效率降低。值得注意的是,红光发射的ZnCdS∶Cu量子点对绿光区域几乎没有吸收,这表明绿光ZnInS∶Cu量子点与红光ZnCdS∶Cu量子点之间不存在能量传递与再吸收过程。Cu掺杂ZnInS(ZnCdS)量子点具有较宽的发光半高全宽(＞75 nm),发光量子效率可达35％～65％,上述性质表明Cu掺杂量子点适合应用于固态照明等领域。

我们对绿光发射的G-ZnInS∶Cu/ZnS核/壳量子点与红光发射的R-ZnCdS∶Cu/ZnS核/壳量子点进行了透射电镜表征,如图2(a)、(b)所示。从图中可以看出,ZnInS∶Cu与ZnCdS∶Cu量子点皆呈近球形,粒径分布均匀。G-ZnInS∶Cu/ZnS量子点的平均粒径为3.6 nm,R-ZnCdS∶Cu/ZnS的平均粒径为4.1 nm。图2(c)、(d)是ZnInS∶Cu与ZnCdS∶Cu量子点的XRD图谱。ZnInS∶Cu量子点有3个明显的衍射峰,与XRD标准卡片JCPDS No.05-0731(In3S2)和JCPDS No.77-2100(ZnS)上的(111)、(220)和(311)晶面峰位能很好地对应,说明ZnInS∶Cu量子点为闪锌矿结构。ZnCdS∶Cu量子点的衍射峰位于CdS(JCPDS No.10-0454)和ZnS(JCPDS No.77-2100)的相应衍射峰之间,并且随Cd/Zn比例的增加而逐渐偏向CdS的衍射峰,说明形成了ZnCdS合金,并且为立方闪锌矿结构。

图1 ZnInS∶Cu/ZnS与ZnCdS∶Cu/ZnS量子点的吸收光谱(a)和发光光谱(b),激发波长为450 nm。量子点分散在氯仿溶液中,相应发光峰位分别是515 nm (黑线,G-ZnInS∶Cu,In/Zn量比为1/1)、550 nm(红线,YG-ZnInS∶Cu,In/Zn量比为2/1)、585 nm(绿线,Y-ZnCdS∶Cu,Cd/Zn量比为2/1)、615 nm(蓝线, R-ZnCdS∶Cu,Cd/Zn量比为4/1)和637 nm-ZnCdS∶Cu(青线,DR-ZnCdS∶Cu,Cd/Zn量比为8/1)。Fig.1 Absorption spectra(a)and PL spectra(λex=450 nm) (b)of ZnInS∶Cu/ZnS QDs and ZnCdS∶Cu/ZnS QDs dispersed in chloroform.The corresponding emission peak positions at 515 nm(black lines,G-ZnInS∶Cu, In/Zn molar ratio is 1/1),550 nm(red lines,YGZnInS∶Cu,In/Zn molar ratio is 2/1),585 nm(green lines,Y-ZnCdS∶Cu,Cd/Zn molar ratio is 2/1),615 nm(blue lines,R-ZnCdS∶Cu,Cd/Zn molar ratio is 4/ 1),637 nm(cyan lines,DR-ZnCdS∶Cu,Cd/Zn molar ratio is 8/1),respectively.

图2 G-ZnInS∶Cu/ZnS(a)与R-ZnCdS∶Cu/ZnS(b)量子点的透射电镜照片,以及ZnInS∶Cu/ZnS(c)与ZnCdS∶Cu/ZnS(d)量子点的XRD谱。Fig.2 Transmission electron microscopy images of G-ZnInS∶Cu/ZnS(a)and R-ZnCdS∶Cu/ZnS(b)QDs,and XRD patterns of ZnInS∶Cu/ZnS(c)and ZnCdS∶Cu/ ZnS(d),repectively.

为了研究Cu掺杂量子点的潜在应用,我们通过将Cu掺杂量子点涂覆在商品化的蓝光GaN基LED芯片表面制成白光量子点LED。图3给出了Cu掺杂量子点LED灯的电致发光光谱(EL),驱动电流为20 mA。450 nm处的尖锐发光峰来自于蓝光LED芯片,而从绿到红的发光来自Cu掺杂量子点。我们对量子点LED的流明效率(LE)、显色指数、色温进行了表征,相应参数如表1所示。从表中可以看出,基于黄光Y-ZnCdS∶Cu量子点的白光LED的显色指数达到81,可以满足室内照明等特殊照明领域的要求。基于发光中心在550 nm的YG-ZnInS∶Cu量子点的LED流明效率可达83.4 lm·W-1,为所有LED效率中的最大值,这主要是因为人眼对550 nm的光最为敏感[18]。Cu掺杂量子点LED的色温能在12 306～1 859 K之间进行调节,可实现暖白光照明。

图3 基于单种ZnInS∶Cu/ZnS或ZnCdS∶Cu/ZnS量子点的白光LED的归一化发光谱,工作电流为20 mA。Fig.3 Normalized luminescence spectra of white LEDs based on single type of ZnInS∶Cu/ZnS or ZnCdS∶Cu/ZnS QDs operated at 20 mA

表1 量子点LED的显色指数、流明效率、色温以及色坐标Table1 Color rending index(CRI),luminous efficacy(LE),correlated color temperature(CCT),and CIE color coordinates of QDs LEDs

发光材料之间的能量转移会导致发光二极管效率降低。为了研究Cu掺杂量子点之间的能量传递过程,我们测量了Cu掺杂量子点在氯仿溶液中以及密堆积薄膜中的发光光谱以及荧光衰减曲线,如图4所示。从图中可以看出,Cu掺杂量子点在量子点薄膜中的发光谱以及荧光衰减曲线与其在氯仿溶液中的相比基本重合,说明量子点间没有能量传递发生。因为根据能量传递原理,量子点间发生能量传递过程,会导致发光光谱红移,供体荧光寿命变短[19]。为了更好地理解这一现象,我们通过公式(1)对Cu掺杂量子点吸收和发光谱之间的交叠积分进行了计算[19]:

其中,εA(λ)为受体摩尔消光系数,FD(λ)为供体归一化的发光光谱。G-ZnInS∶Cu、YG-ZnInS∶Cu、 Y-ZnCdS∶Cu、R-ZnCdS∶Cu、DR-ZnCdS∶Cu量子点吸收和发光谱之间的交叠积分分别为2.425× 1014,2.034×1014,1.682×1014,1.839×1014, 1.749×1014M-1·cm-1·nm4。与非掺杂的CdSe量子点的交叠积分3.434×1016M-1·cm-1·nm4相比[13],小了2个数量级,这从理论上证实了Cu掺杂量子点间基本不会有能量传递发生。

为了进一步提高白光LED的显色指数,通常人们会将绿光与红光材料混合并与蓝光LED芯片相结合制备白光LED。所以我们也对绿光ZnInS∶Cu量子点与红光ZnCdS∶Cu量子点混合薄膜中(量比为1/1),绿光ZnInS∶Cu量子点的荧光衰减曲线进行了测量,发现其与氯仿溶液中的荧光衰减曲线相重合。量子点分散在氯仿溶液中,量子点与量子点之间的平均距离远大于其相应的Förster半径,使得溶液中量子点间不会发生能量传递过程[19],此外,能量传递过程会导致供体(绿光ZnInS∶Cu量子点)荧光衰减变快[19],因此,绿光ZnInS∶Cu量子点在混合薄膜与溶液中的荧光衰减曲线相重合表明绿光与红光Cu掺杂量子点之间没有能量传递发生,这一结果与红光ZnCdS∶Cu量子点在绿光波段没有吸收是相吻合的。

图4 (a)G-ZnInS∶Cu/ZnS量子点在氯仿溶液、量子点密堆积薄膜中的发光谱;(b)R-ZnCdS∶Cu/ZnS在氯仿溶液、量子点密堆积薄膜中的发光谱;(c)G-ZnInS∶Cu/ZnS量子点在氯仿溶液、量子点密堆积薄膜以及G-ZnInS∶Cu/ZnS与R-ZnCdS∶Cu/ZnS量子点混合薄膜中的荧光衰减曲线,红色线为拟合曲线;(d)R-ZnCdS∶Cu/ZnS量子点在氯仿溶液、量子点密堆积薄膜中的荧光衰减曲线,红色线为拟合曲线。Fig.4 (a)PL spectra of G-ZnInS∶Cu/ZnS QDs dispersed in chloroform solution and close-packed film.(b)PL spectra of RZnCdS∶Cu/ZnS QDs dispersed in chloroform solution and close-packed film.(c)PL decay curves of G-ZnInS∶Cu/ZnS QDs dispersed in chloroform solution,close-packed film,and G-ZnInS∶Cu/ZnS and R-ZnCdS∶Cu/ZnS QD blend film, respectively.The solid red line represents fitting curve.(d)PL decay curves of R-ZnCdS∶Cu/ZnS QDs dispersed in chloroform solution and close-packed film.The solid red line represents fitting curve.

图5 (a)白光LED(将G-ZnInS∶Cu和R-ZnCdS∶Cu量子点涂覆在蓝光LED表面制得)在20～100 mA电流驱动下的电致发光谱。插图为量子点白光LED在20 mA电流驱动下的照片。(b)量子点白光LED在不同电流下(20～100 mA)的CIE色坐标。Fig.5 (a)EL spectra of white LEDs(fabricated by coating G-ZnInS∶Cu and R-ZnCdS∶Cu QDs onto blue LED)as a function of forward current from 20 to 100 mA.Photograph of QD-based LEDs with an applied current of 20 mA is shown in the inset.(b)CIE color coordinates of QD-white LEDs under forward bias currents from 20 to 100 mA.

通过将G-ZnInS∶Cu与R-ZnCdS∶Cu量子点作为颜色转换材料涂覆在蓝光LED芯片上,我们成功制备出了高光质的白光LED。图5(a)中的插图给出了量子点白光LED在通电(20 mA)情况下的照片。Cu掺杂量子点LED发射出明亮的白光,并具有高色彩还原性,其CIE色度坐标为(0.352 4, 0.365 1),流明效率为71 lm·W-1,色温为4 788 K,显色指数CRI为94,优于基于稀土YAG∶Ce的白光LED(显色指数通常小于80)[3],与太阳光的显色性相接近。图5(a)给出了LED在20～100 mA电流驱动下的发光谱,图5(b)显示出了相应的CIE色坐标随电流的变化。由于驱动电流的增加,相应的CIE色坐标从(0.352 4,0.365 1)变更为(0.346 9,0.358 6);显色指数CRI为94保持不变,色温保持在4 788～4 956 K之间。量子点白光LED的参数在不同的驱动电流下的微小变化,显示出其具有很好的电流稳定性。上述结果表明,将 Cu掺杂量子点与GaN蓝光LED相结合是一种获得高质量白光的有效途径,Cu掺杂量子点有望应用于下一代的白光照明器件。

4 结 论

采用一锅法制备了发光效率可达65％和发光波长在绿光到深红光波段连续可调的ZnInS∶Cu及ZnCdS∶Cu量子点。通过对稳态以及时间分辨光谱的分析,发现Cu掺杂量子点间没有能量传递过程发生,并通过能量传递理论对这一结果进行了验证,有效地抑制了由于能量传递导致的发光器件效率降低的问题。将绿光ZnInS∶Cu量子点、红光ZnCdS∶Cu量子点与蓝光GaN芯片相结合制备出了流明效率为71 lm·W-1,色温为4 788 K,显色指数高达94,CIE色坐标为(0.352 4,0.365 1)的白光LED。结果表明,Cu掺杂量子点有望应用于下一代的照明器件。

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袁曦(1987-),女,辽宁本溪人,博士,讲师,2014年于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所获得博士学位,主要从事半导体量子点和光电器件方面的研究。

E-mail:xiaqing0731@163.com

李海波(1962-),男,浙江宁波人,教授,博士生导师,1995年于吉林大学获得博士学位,主要从事无机纳米功能材料的研究。

E-mail:lihaibo@jlnu.edu.cn

High Color Rendering White-light-emitting Diodes Based on Cu-doped ZnInS and ZnCdS Quantum Dots

YUAN Xi1,2,MA Rui-xin1,SHAN Mei-ling2,ZHAO Jia-long1,LI Hai-bo1*
(1.Key Laboratory of Functional Materials Physics and Chemistry of The Ministry of Education,Jilin Normal University,Siping 136000,China; 2.College of Information and Technology,Jilin Normal University,Siping 136000,China) *Corresponding Author,E-mail:lihaibo@jlnu.edu.cn

Cu-doped quantum dots(QDs)were used as color converting materials for preparing efficient white light-emitting diodes(LEDs).The Cu-doped QDs synthesized by chemical method showed composition-tunable emission from green to deep red and large Stokes shifts.By using the combination of green light-emitting ZnInS∶Cu QDs and red emitting ZnCdS∶Cu QDs with blue GaN chips,a high color rendering white LED was fabricated.The resulting three-band RGB QD-white LED exhibits high performance with luminous efficacy of 71 lm/W,color rendering index up to 94, CIE-coordinates of(0.352 4,0.365 1),and color temperature of 4 788 K.Based on the changes in the photoluminescence lifetimes of Cu-doped QDs,it is found that the energy transfer process from green ZnInS∶Cu QDs to red ZnCdS∶Cu QDs can be negligible,because the red QDs had no absorption at green band.These results suggest that Cu-doped QDs are promising for solid state lighting.

quantum dots;nanocrystals;Cu-dopedquantum dots;white LEDs;energy transfer

O482.31;TN312.8

:ADOI:10.3788/fgxb20153611.1258

1000-7032(2015)11-1258-08

2015-08-21;

:2015-09-28

国家自然科学基金(21371071)资助项目