专利名称:一种含有三氧化钼的低熔点琉璃及其制造方法

专利申请号:CN201310509469.3

公开号:CN103553331A

申请日:2013.10.25

公开日:2014.02.05

申请人:由伟

本发明属于工艺品和首饰品生产领域，具体说是一种添加了新型的低熔点化学成分生产的新型琉璃及其制造方法。特征在于本发明的原料为氧化铅、二氧化硅、三氧化钼、碳酸钠、碳酸钙、颜料中的全部或部分，制备步骤为:(1)称量;(2)破碎、研磨;(3)混合、搅拌;(4)熔炼;(5)打磨、抛光。根据本发明制备的琉璃产品的熔点低于普通的琉璃产品，因此，这种新型琉璃的成型性能优于普通琉璃，适合生产形状复杂、尺寸精细的高档产品，此外，产品的质量稳定、容易控制。本发明使用的原料价格低廉，生产工艺简单，产品的生产成本低，具有广阔的应用前景。