电子材料

安森美半导体推出高度集成的锂离子电池保护控制器

7月23日，安森美半导体推出新的锂离子电池保护控制器（LC05111CMT），用于智能手机和平板电脑。高度集成的LC05111CMT利用模拟电路技术、MOSFET技术、先进封装装置和技术，在单个电路中集成控制器及驱动器功能。

LC05111CMT实现了高精度电流控制，无须使用电流检测电阻。该电流控制由于支持更大充电电流，故能缩短充电时间。该器件包含高精度电流检测电路及检测延迟电路，以预防电池过度充电、过度放电、过大电流放电及过大电流充电。高集成度减少元件数量，因而减少占用空间受限的电池组中所需的电路板空间。

安森美半导体智能電源方案分部总经理IkuyaKawasaki说：“先进的便携设备明确要求更精确的电池电流控制及小封装。LC05111CMT结合多种技术，提供尺寸小但功能创新的器件，缩短充电时间，为电池充电电路提供多级保护。”（中国半导体行业协会）

应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统

应用材料公司近日宣布全新推出Applied Varian VII Sta 9003D系统。作为业内领先的中电流离子注入设备，该系统专为2x纳米以下节点的FinFET和3DNAND制程而开发，具有超凡的控制能力，可以帮助高性能、高密度的复杂3D器件实现器件性能优化，降低可变性，提高良率，是应用材料公司在精密材料工程领域的又一重大突破。

VIISta9003D系统能有效提高离子束角度精度和束线形状准确度，并且还能够出色的控制离子剂量和均匀性，从而帮助客户实现制程的可重复性，优化器件性能。该系统采用独特的热注入技术和三重磁场结构，可通过降低缺陷率来进一步提高良率。凭借这些优势，VIISta9003D系统能胜任复杂3D结构生产中所需的精确离子注入。

VIISta9003D系统的一个最重要的创新就是Superscan3技术，它可以借助独特的离子束形状控制能力，根据客户需要提供精确、精准的剂量方案，能完成几乎所有图案，实现定制化的硅片剂量图形。Superscan3还能对非注入工艺中的变量进行校正，从而提高3D器件的性能和良率。此外，加上该系统对于生产率的提升以及其极高的产出率，可为客户降低更多的成本。（中国科学院）

美国阿尔法和欧米伽半导体公司推出新型功率场效应晶体管

美国阿尔法和欧米伽半导体技术公司日前宣布推出6种新型25V和30V的功率场效应管（AON7760、AON7510、AON7758、AON7764、AON7536、AON7538），对3×3mm两边扁平无引脚（DFN）封装低压系列产品提供新的补充。这些器件用于个人计算、服务器、远距离通信/数据通信等领域的各种直流/直流降压转换应用。

新型器件采用阿尔法和欧米伽公司专利性的功率槽功率场效应管技术，品质因数极低，适用于快速转换应用，例如最新的直流/直流转换器可以在600kHz以上的频率工作。AON7536为高端开关应用进行了优化，能够降低开关功率损耗。当同AON7760成对使用时，AON7536能够在输入12V、输出1.8V、电流15A的情况下达到90%的效率。该新型3×3mm DFN封装的系列产品同之前的产品相比，改善了20%的品质因数。在保持相同导通阻抗的情况下，新型器件能够在更高的开关频率下工作。除了直流/直流应用以外，AON7510还能用于大电流系统开关、负载开关或马达驱动器等对传导损耗敏感的应用场合。（中国国防科技信息中心）

IBM计划30亿美元研发处理器新技术

IBM宣布，其将在未来5年内投资30亿美元用于研发7nm芯片和碳纳米管等多项技术，以推动计算机处理器行业的发展。

未来5年内，IBM的第1个目标是开发晶体管直径仅为7nm的芯片。第2个目标则是在当今一系列前沿芯片技术中进行有选择性的研发，其中包括碳纳米管、石墨烯、硅光子、量子计算、类大脑结构和硅替代品等。

IBM的这些投资将用于为该公司在美国纽约、加州和瑞士的实验室提供资金，该公司还将为研发部门聘请新员工。目前，IBM是材料科学、化学、物理学和纳米技术等高科技产业的领导者。IBM曾经声称，它在晶片处理器方面的专利比任何竞争对手都多一倍。然而，该公司的芯片产量增长相对落后，其发展势头反而不如英特尔、三星和TSMC等公司。（中国科学院）

日本率先研发可弯曲OLED照明量产技术

由日本化学品厂商及产业技术总合研究所合资成立的研究机构“次世代化学材料评价技术研究组合（CEREBA）”已领先全球并率先研发出可弯曲的OLED照明量产技术，该技术舍弃现有的玻璃基板，改在透明的树脂薄膜上形成发光层，且日本厂商将利用该技术于今年秋天开始量产OLED照明产品。

报道指出，CEREBA设立于2011年，由三菱化学、住友化学、旭化成、Fuji Film和Konica Minolta等13家公司/团体出资而成，主要从事OLED的研发。

使用CEREBA技术所生产的OLED照明产品因可弯曲又薄，故可应用在家具、汽车、航空器等各种不同形状物品及用途上，且Konica目前在甲府工场厂区内兴建的新工厂就将用CEREBA的技术量产OLED照明产品。（中国电子材料行业协会）

德科学家研发可嵌入玻璃的有机太阳能电池组件

德国弗朗霍夫聚合物应用研究所的研究人员目前正在开发一种新型载体材料，他们将有机太阳能电池组件（OPVs）嵌入超薄玻璃。玻璃不仅是理想的密封材料，且能承受高达400℃的加工温度。投入使用的是合作伙伴康宁（Corning）公司提供的一种特殊玻璃，它与常见的比如水杯玻璃无大干系，因特有的物理性能可把它加工成仅100μm厚，约为一张纸的厚度。这种玻璃不仅超强、不易断裂，而且在固体状态也可弯曲。使用这种材料，科研人员与康宁公司在“片对片”（Sheet to Sheet）工艺中已经做成了首个有效的有机太阳能电池组件。研究人员接着又尝试“卷对卷”工艺：类似于印刷报纸，将载体基片绕于卷辊上，面对另一个空卷，在2个卷之间经多道程序打印光活性层与电极。首次尝试获得成功，科研小组生产出了较小基板尺寸的同质层。

为能最终投用工业生产，科研人员正着手对此工艺程序做多处调整。从长期看，该技术可为不同的应用意图——从移动电话的微小太阳能电池到大规模的光伏组件——生产高强度、高性能的有机太阳能电池组件。（科技部）

贺利氏与东亚合成共同开发导电聚合物膜用隐形图形化技术

得益于CleviosTM隐形图形化触控技术的应用，日本东亚合成株式会社与德国贺利氏贵金属事业集团旗下的电子材料事业部签订了一份使用许可协议。这份协议标志着贺利氏与东亚合成建立了合作伙伴关系，也意味着氧化铟锡（ITO）替代材料的量产化关键工艺，即电容式触控技术的电极图形化，取得了重大突破。

这一新技术的开发体现了双方通过鼓励“以协作型技术推动增长”，来进行新品开发与业务拓展的方针政策。本次合作结合了东亚合成在应用技术上的专业知识以及贺利氏的先进材料。

用于触控技术的CleviosTM材料是基于导电性极高的PEDOT：PSS聚合物。在电容式触控面板与传感器中采用CleviosTMEtch对CleviosTM导电聚合物的基材进行图形化处理——尤其是作为ITO替代材料，无疑是显示屏技术升级的关键所在。然而，ITO需要通过成本极高的溅射法进行制备，而且金属价格浮动也会给原材料成本带来影响。相比之下，CleviosTM只需采用经济实惠的印刷技术，而且产品原材料的价格较为稳定。（中国电子材料行业协会）

LG扩大生产塑料材质OLED面板

LG集团负责人日前表示，公司考虑在可穿戴式装置和智能手机需求激升前，投资扩大生产塑料材质的有机电激发光显示器（OLED）。

LG社长韩相范称，预计会有更多的行动装置采用塑料OLED显示器，因为其質量较轻，且可以弯曲适用于新型的智能手机和智能手表。

“LG显示器将可能根据行动装置重要规格的改变而追加投资，”韩亚大投证券分析师Nam Dae-jong表示。

消息人士曾表示，LG显示器是苹果首款智能手表第一批产品的独家面板供应商。（中国触控协会）

夏普将继续增产中小尺寸面板应对中国需求

夏普将提高面向平板终端的中小尺寸液晶面板的产量。将在2015财年（截至2016年3月）投资100亿日元，以提高主力的龟山第2工厂的产能，实现节能型IGZO面板的出货量提高到两倍的目标。在2014财年，夏普已有投资350亿日元增加中小型面板产量的计划。2015财年的投资将成为本财年的追加投资。将强化向需求大、盈利能力较好的中小型产品的过渡，提高液晶产业的收益能力。

目前，中小型面板的生产主要在龟山第2、第3工厂2处进行。龟山第2工厂使用被称为“第8代”的大型玻璃基板，使大量生产高盈利的中小型面板成为可能。

龟山第2工厂将把原来面向电视的液晶面板生产线为面向平板电脑等。在该工厂，目前的中小型面板的生产比率为40%左右，2015财年将有望提高到80%。

IGZO面板有着耗电量不到既往产品1/5的高度节能的特点，目前主要供货给美国苹果公司。为使向北京小米科技等中国企业大量供货成为可能，夏普将提高IGZO的产能。

在龟山第2工厂，使用IGZO的中小型面板从2012年开始增产。在智能手机领域，现在每月向中国厂商的供货为200万～300万块。将于2014财年增强面向智能手机生产的设备，年末有望将供货规模扩大到500万块。（商务部）

同济大学创柔性超级电容器

近日，同济大学特殊人工微结构材料与技术重点实验室团队研发了一种全新的电能存储装置——全固态柔性超级电容器。该产品使用具有高容量的三维过渡金属氧化复合材料和低成本的活性碳作为电容器的负极和正极材料，并结合使用固态电解质，将上述三者的优点整合在一块很小的基膜中，就能使电容器弯曲、折叠、任意裁剪。而这样的材料成本，制作一个几千毫安的移动电源，价格不过几十元。另外，由于采用的是非对称电极组装，可以增大2电极间的电压，使得电容器储存能量明显提升，这使商业应用成为可能。同时，它还比较安全，具备良好的环保特性。（中国电子元件行业协会）

国产高性能导航芯片研发成功

近日，由中国电科集团重庆声光电公司自主研发的XN235卫星导航芯片，其性能与国外同类型先进产品一致，但省电1倍以上，而且能够同时兼容GPS（全球标准）、BD（中国标准）、GALILEO（欧洲标准）3种导航模式，使用本芯片的导航产品可实现全球通用，畅游无阻。该芯片经鉴定达到国际先进水平，填补了国内高性能导航芯片方面的空白。

据了解，该芯片已获国家发明专利1项，集成电路布图登记3项，并在多个领域实现了应用。目前全球仅推出的3款卫星授时产品之一——北斗授时手表，已采用该芯片作为核心芯片，手表的时间与我国标准时间能保持精确同步，其时间精度可控制在0.1秒内。（新华网）

中微发布业界首创介质刻蚀及除胶一体机Primo iDEA

中微半导体设备有限公司（简称“中微”）近日发布了双反应台介质刻蚀除胶一体机（Primo iDEATM），这是业界首次将双反应台介质等离子体刻蚀和光刻胶除胶反应腔整合在同一个平台上。Primo iDEATM主要针对2X纳米及更先进的刻蚀工艺，运用中微已被业界认可的D-RIE刻蚀技术和Primo平台，避免了因等离子体直接接触芯片引发的器件损伤（PID），提高了工艺的灵活性，减少了生产成本，提高了生产效率并使生产空间更优化。

对于2X纳米及更先进刻蚀工艺的芯片来说，它们对表面电荷的积累极其敏感，并且面临着PID带来的潜在风险。Primo iDEATM可将4个等离子体反应台和2台非接触等离子体除胶反应器整合在同一台设备中，能够替代原来需要2台等离子体刻蚀机、1台除胶器、1台湿法清洗器等4个机台所加工的后端过程。这一独特的整合方法使工艺步骤得到了优化，从而避免了因等离子体接触引发的的器件损伤。此外，这一方法还大大提高了产量，减少了生产成本，并最大程度上减少了机台的占地面积。Primo iDEATM同时拥有等离子体刻蚀和非接触的等离子体源除胶功能（DSA），是大批量生产较复杂的极小尺寸芯片中集成多步制程的最佳选择。（电子产品世界）

国产芯片获泰国平板大单

日前，泰国TTI公司和深圳市辰星通科技有限公司举行了关于泰国第2区教育平板项目（OTPC）交货验收工作会，双方已完成关于泰国第2区38万台平板电脑交货验收工作。据悉，此次泰国教育平板方案采用了国内主控处理器芯片原厂新岸线的解决方案。

据了解，新岸线是一家坐落在广州市的国内集成电路设计企业，专注于智能终端中处理器，移动通信，无线局域网等核心技术的研发。此次中标的方案采用了新岸线研发的Cortex-A9双核处理器芯片NS115。据悉，新岸线采用新一代AP+BP SoC四核单芯片TL7689，研发面向发达地区具有3G移动通信功能的电子书包，可使电子书包与云存储、大数据等业务紧密集合。

业内人士称，此次国产芯片在泰国教育平板项目上的成功应用，预示着中国已经具备涵盖芯片设计，硬件生产制造，应用软件开发及系统集成的完整教育信息化产业链，会在即将到来的教育信息化产业升级中发挥重要作用。（科技日报）

2015年集成电路产业销售收入将超过3500亿元

国务院日前印发的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出，到2015年集成电路产业销售收入将超过3 500亿元。相比较2013年的2 508億元，增长近千亿元。纲要同时提出，通过成立国家集成电路产业发展领导小组、设立国家产业投资基金等一系列保障措施切实助力产业持续健康发展。

纲要提出，到2015年建立与产业发展规律相适应的融资平台和政策环境，集成电路产业销售收入将超过3 500亿元；2020年与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%；2030年产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第1梯队，实现跨越发展。（工信部）

2013年京东方新增专利超4000件

京东方科技集团股份有限公司执行副总裁、首席技术官董友梅日前透露，2013年，京东方新增海外专利申请超过1 000件，新增PCT国际专利申请1 000件。截至目前，集团自主专利申请数量累计超过12 000件，授权专利累计超过4 000件，可使用专利累计超过20 000件。

董友梅介绍，中国企业出征海外市场，不仅需要提升专利申请数量，还需要提升专利质量。她介绍，京东方积累了大量高质量专利技术。2014年6月，京东方自主研发的8K4K（QUHD）超高清显示屏摘得全球SID专业展会奖项，并获得国际产业伙伴认同。据悉，目前京东方已经开始加强其在美国、欧洲、日本、韩国等区域的海外专利布局。（中国电子材料行业协会）

天通股份定增募资20亿元加码蓝宝石业务

天通股份近期发布公告称，公司拟向包括公司股东天通高新集团有限公司在内的，不超过10名特定对象发行不超过2.1亿股，发行价格不低于9.66元/股，募集资金不超过20亿元。

公告表示，天通高新集团有限公司承诺认购不低于本次发行总股数的5%，且不超过本次发行总股数的10%，且锁定期为36个月。发行完成后，公司实际控制人潘建清、杜海利夫妇持股比例由24.08%降至20.64%。

募投资金使用方面，公司拟将募集资金不超过20亿元全部投入智能移动终端应用大尺寸蓝宝石晶片投资项目，并分前端晶体生长和后端晶片加工分别在宁夏银川和浙江海宁实施，拟使用募集资金分别为6亿元和14亿元。

天通股份表示，本次募集资金投资项目大幅提高公司蓝宝石材料供应能力，改善公司整体盈利，增厚公司经营业绩。本次非公开发行后有利于公司拓展在消费电子行业特别是移动终端窗口材料领域的应用，并抢占更有利的市场位置。（新华网）

国内首个高新技术半导体生产基地2016年在渝投产

重庆未来将成为国内首个高新技术半导体生产基地。近日，两江新区管委会发布消息称，位于两江新区鱼复工业开发区的奥特斯科技（AT&S）重庆基地项目一期土建工程已经封顶，并完成高新技术设备以及高规格环保设施的安装，正在进行生产设备调试，预计2016年可批量生产。

两江新区相关负责人介绍，该项目系AT&S联手全球最大的半导体制造商，在渝打造的半导体封装载板生产基地。该项目共占地188亩，分3期进行建设，一期投资总额达4.47亿美元，将打造中国第1家全球高新技术半导体封装工厂。一期项目将于2016年1月进行批量生产， 一期满产后的销售额将达到30亿元人民币。“未来，我们产品线宽仅为7μm，相当于头发丝的1/14。”奥特斯科技（重庆）有限公司负责人表示。（重庆商报）