Vishay发布其E系列器件的首颗500 V高压MOSFET

日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E，该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。

Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超级结技术，为采用高性能平面技术的Vishay现有500V D系列器件补充了高效率产品。这些25 A器件的导通电阻为145 mΩ，提供TO-220(SiHP25N50E)、TO-247AC(SiHG25N50E)和细引线的TO-220 FULLPAK（SiHA25N50E）等多种封装选项，这些低外形封装适用于薄型消费类产品。

新的MOSFET具有57nC的超低栅极电荷，栅极电荷与到导通电阻乘积也较低，该参数是功率转换应用里MOSFET的优值系数（FOM）。与Vishay的600 V和650 V E系列器件类似，500 V技术具有低导通电阻和优化的开关速度，能够提高功率因数校正（PFC）、双开关正激转换器和反激转换器应用里的效率和功率密度，器件符合RoHS，可承受雪崩和开关模式里的高能脉冲，保证极限值通过100%UIS测试。