专利名称:一种级配钼粉结合熔渗制备MoCu 梯度材料的方法

专利申请号:CN201110402806.X

公开号:CN102424918A

申请日:2011.12.06

公开日:2012.04.25

申请人:西安理工大学

本发明公开了一种级配钼粉结合熔渗制备MoCu 梯度材料的方法，先选取钼粉和电解铜粉;将钼粉A 与钼粉B 按一定的比例级配，与铜粉进行混粉，混好的钼粉与铜粉按照质量百分比80%∶ 20%进行混粉;将钼粉B 与铜粉按照质量百分比60%∶40%进行混粉，放入混料机中，2 次混粉过程中均按粉料总质量的2%～5%添加无水乙醇，在混料机中混合;依次将2 份混合均匀后的粉料按Cu 粉含量递减的次序逐层铺入模具中进行单向模压，制好的坯料与紫铜块一同放入坩埚内，并置于气氛烧结炉中，在氢气保护下2 次升温后即制成钼铜梯度材料;最后进行机加工。解决了现有方法制备的钼铜梯度复合材料杂质含量高及致密度低的问题。