张维
(陕西工业职业技术学院 陕西 咸阳 712000)
基于某课题项目中的嵌入式设备的电源需求,根据实际需要收集设计电源的参数指标,分析并设计一款基于TOP243Y的单片反激开关电源设计,最终通过样机的组装和调试对设计结果进行验证。
本设计是基于一款嵌入式ARM开发板而设计的电源,根据具体设备电源的需求,收集以下指标:输入电压范围:220±20%; 输出电压和对应的电流值:5 V/1 A,12 V/1 A,-12 V/1 A,输出纹波:<1%,工作温度:-40~85 ℃,电压调整率:±0.1%,负载调整率:≤±5%,损耗因数:0.5。
在大多数场合EMI电源滤波器主要抑制共模干扰信号。本设计EMI滤波器中的CX、CIN1和LCM就是用来滤除共模干扰的。共模电感通常取5~33 mH,本设计取为6 mH。整流桥选用1N4001(1 A/1 000 V),此管可对电流电压留有一定的余量。
CIN1的值可通过式(1)进行计算:
在单片开关电源设计中,通常选择锰锌铁氧体材料的磁芯,磁芯截有效面积可用下面经验公式(2)计算[2]:
其中Ae是磁芯有效面积,ηT是变压器的转换效率,通常取0.75~0.95之间数,本设计取0.9。经计算得到Ae≈0.85 cm2,然后查变压器的磁芯对照表,最后选择EE28磁芯。
当电网电压在220±20%范围内变化时,经全波整流后的直流输入电压最小为 Vin(min)为 208.86 V。根据公式(3)可得最大占空比为:
其中VOR为反射电压,是指当功率开关管关断且次级电路处于导通状态时,次级电压感应到初级端的电压值。根据本设计要求计算时取VOR=110 V,VDS为主开关导通时D、S间压降,典型值为10 V。经计算得到:DMAX≈0.36。
平均值电流如式(4)所示:
则峰值电流可通过式(5)计算得:
其中Z是损耗分配因子。一般取作0.5。经计算可得:LP≈1 860.29 μH
(4)彰显原子结构和元素周期律(表)对无机物的性质和用途的理论支撑。原子的结构决定了元素在周期表中的位置,也决定了元素的性质,借助“结构—位置—性质”三者的神秘关系,可比较顺利地进行元素的推断。同理,常见元素的单质及其重要化合物的结构,也决定了相应物质的物理性质和化学性质,进而决定了相应物质的用途等。利用这层关系推断(或判断)物质的性质和用途的高考试题早已层出不穷。
本文选用TOP243YN作为开关电源的主芯片,对TOPSwitch器件来说:
式(7)中V0为输出电压,VD为输出二极管正向压降。本设计5 V输出二极管采用超快恢复肖特基二极管,因此:NS≈3.4取整数,次级绕组NS为4匝。
取整数,初级绕组NP为78匝。
其中VB是偏置电压,这里取为12 V,VDB是偏置二极管正向电压降,这里取为0.95 V。偏置绕组取整数则大约需要9匝。
±12 V次级绕组的电压:VS1=VO+VD+VL=12.9 V。故可得:n≈0.117 2,则两个次级匝数计算为:NS1(2)≈9.05,取整数后,±12 V次级绕组均取为9匝。
根据初级层数d、骨架宽度b和安全边距M,利用式(11)计算有效骨架宽度bE:
本设计中取 d=3,b=9.6 mm,M=0 代入式(11):bE=28.8 mm。
利用式(12)计算导线的外径:得到:DPM≈0.36 mm,由AWG的导线规格表查得,与直径0.36 mm最接近线号是28AWG。
次级裸导线直径可用式(13)表示:
其中,根据文献可得电流密度为式(14):
次级峰值电流为式(15):
次级有效电流为式(16):
代入电流密度和次级有效值电流的值,可得到次级导线线径为:DSM≈0.98 mm。
当DSM>0.4 mm时,建议应采用多股导线并绕NS匝,由AWG的导线规格表可得选用25AWG。与单股粗导线绕制方法相比,多股并绕能增大次级绕组的等效截面积,改善磁场耦合程度,减小漏感。
对于单端反激式变压器的磁芯,为了避免磁芯饱和,减小变压器的高频磁芯损耗及发热问题,应该在磁回路中加入一个适当的气隙σ。
在MOSFET管漏极增加钳位保护电路,对尖峰电压进行钳位或者吸收,防止开关管损坏,如图1所示。
漏源间电压的经验公式为:
钳位电容的峰值最大电压为:
钳位电阻的计算公式为:
其中漏感取为 62.4 μH,取为27 kΩ。
钳位电容CC,的值应取得足够大以保证其在吸收漏感能量时自身的脉动电压足够小,可通过下式来确定最小值为:
钳位电路中的二极管一般选择快速恢复二极管,它的耐压值应大于最大直流输入电压。本设计选取快速恢复二极管FR106。
输出整流滤波电路由整流二极管和滤波电容构成[4]。根据计算分析整流二极管可以选用的型号为SB150。另外两路输出及偏执绕组的二极管分别为:12 V均选用肖特基整流SB180,偏置绕组选用超快恢复二极管MUR110。
对输出滤波电容的选择来说,纹波电流和ESR(等效串联阻抗)是它的2个重要参数。在保证控制环路的带宽足够的前提下,应选择耐压值高和容值低的滤波电容。本电源的输出滤波电容选择为:5 V输出选择为680 uF/35 V低ESR电容,12 V选择为330 uF/35 V低ESR电容。若滤波效果不理想,可以在下级再串联一个L、C滤波环节,这里叫做后级滤波环节。根据经验,L取2.2~10 uH,电容推荐选择120 uF/35 V低ESR电容。
图1 本设计总电气原理图Fig.1 This total electrical design diagram
开关电源依靠反馈控制环路来保证在不同的负载情况下得到所需的电流电压。本设计采用稳压器TL431与光耦PC817A组合的环路动态电流控制补偿电路[5]。
本设计最终电气原理图如图1所示。根据电气原理图进行前期的软件仿真分析验证,之后就要进行设计样机的组装和调试[6]。组装电路时注意电路板的规划和元器件的选取,安装设计要求来布局布线,并尽量选取和计算结果贴近的元器件。最终对完成组装的样机进行先期的调试验证及各个元器件的失效性分析,最终方可用于实际的使用。本开关电源装置是为课题组某嵌入式系统提供的稳定的三路直输出流电源。最终通过示波器验证输出稳定,可用于实际课题实验中。示波器验证输出波形如图2所示:其中波形图上下分别代表5 V和12 V输出,经分析基本符合设计输出和纹波等要求。
图2 样机输出测试波形图Fig.2 Waveforms figure of prototype output test
文中主要分析与设计了一款单端反激式开关电源,重点其前级整流滤波、钳位电路及高频变压器的设计进行详细理论分析,最后对样机进行组装和调试,希望通过本文对设计者有一定启发和示范作用。
[1]Power Integration.INC Flyback Design Methodology Appli-cation Note AN-16[S].16-22.
[2]马瑞卿,任先进.一种基于ToP224Y的单片开关电源设计[J].计算机测量与技术,2007(15):236-237.
MA Rui-qing,REN Xian-jin.Design of single chip switching power supply based on TOP224Y[J].Computer Measurement and Technology,2007(15):236-237.
[3]Power Integration.INC TOPSwitch-GX family extended power design flexible[J].Intergrated Off-line Switcher,3-11.
[4]杨旭,裴云庆,王兆安.开关电源技术[M].北京:机械工业出版社,2004.
[5]续明进.一种多输出开关电源的设计[J].北京印刷学院学报,2009(8):49-50.
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[6]刘凤君.现代高频开关电源技术及应用[M].北京:电子工业出版社,2008.