低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究
2012-04-29 00:51:10李婷王颖陈宇贤高松松程超
哈尔滨理工大学学报 2012年1期
李婷 王颖 陈宇贤 高松松 程超
0引言
横向绝缘栅双极晶体管(LlGBT)是由B-IT和MOS组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有M0sFET的高输人阻抗和GTR的低导通电阻两方面优点，从根本上解决了LDMOS所具有的器件耐压与导通电阻之间的矛盾，改善了器件的功率控制能力，使其广泛应用于中频和中等电流领域。
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