金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管器件结构的改进①
2012-04-29 21:22:13陈家荣
科技创新导报 2012年13期
陈家荣
摘 要:本文采用方程与统计力学方程联立的方法,研究了金属/异质结横向肖特基二极管正极电流分布不均匀的现象,提出了缓解电流集边效应的二极管结构的改进。
关键词:金属/肖特基异质结器件二维电子气电流集边效应
中图分类号:TN31 文献标识码:A 文章编号:1674-098X(2012)05(a)-0105-02
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