据美国科学促进会官方网站近日报道,德国和瑞士科学家利用中子成像技术首次绘制出磁畴的3D图像,这对进一步了解磁畴的材质属性和物理法则具有十分重要的意义,有利于最大限度地减小磁畴壁的电损耗,让硬盘和电池充电器等存储介质更加有效地工作。这一成果将发表在最新一期《自然·通信》杂志上。
磁畴理论是用量子理论从微观上说明铁磁质的磁化机理。所谓磁畴,是指磁性材料内部的一个小区域,每个区域内部包含大量原子,各个磁畴之间的交界面称为磁畴壁。同一磁畴内的原子磁矩都相同,但不同磁畴的磁矩却各异,因此,磁畴磁场的方向就在磁畴壁这里发生了改变。科学界对磁畴理论的研究一直停留在二维图像和材料表层的层面上,只能针对磁畴的横截面进行研究。
由德国国立赫尔姆霍茨—柏林中心应用材料研究所的英戈·曼克领导的这一研究小组以磁畴壁作为研究对象,用中子代替X射线,研究了磁畴壁磁场的变化。如同水能使光线弯曲一样,磁场也能让中子小幅度地偏离其运转轨道。但是,磁场对中子这种转向所起的作用非常小,以至于用中子射线照相几乎捕捉不到。研究人员从各个方向朝样本发射射线,并利用几个衍射光栅将发生转向的射线分离出来。根据分离出来的射线的变化,科学家就可以计算出所有磁畴的形状,进而绘制出了整个磁畴网的3D图像。