化合物半导体体材料和特性

Osamu Oda Aichi Science and Technology

Foundation, Japan

Compound Semiconductor

Bulk Materials and

Characterizations

2007, 538pp.

Hardcover

ISBN 978-981-02-1728-0

Osamu Oda著

化合物半导体体材料是除元素半导体材料Si、Ge外的另一类重要的半导体材料。它作为基础材料, 在电子学和光学方面的应用变得日益重要。在对III-V、II-VI、 IV-VI族、 GaN和SiC等半导体材料所进行的大量研究和应用中, 高质量的GaP、GaAs 、S-I、Ga As和InP等化合物单晶体材料都是必不可少的。

此书第一部分介绍了化合物半导体体材料的物理性质、晶体生长技术和原理、 晶体中的各种缺陷、表征技术和应用。第二部分和第三部分论述了多种化合物半导体体材料的生产和近来的研究结果。

此书系统地介绍了化合物半导体体材料的基础, 具有一定深度, 是进入此领域工作和学习需要熟悉的知识。

此书适于从事半导体材料科学和器件制造的学生、研究和工程技术人员阅读和参考。

孔梅影，研究员

(中国科学院半导体研究所)

Kong Meiying, Professor

(Institute of Semiconductor,the Chinese Academy of Sciences)