经颅直流电刺激对早发性精神分裂症的神经生化、认知及氧化应激的改善作用

王锦 吕小娟

(西安市精神卫生中心,(1.妇女心理卫生一科;(2.社会救助科,陕西 西安 710000)

早发性精神分裂症主要指的是青少年时期出现的症状,大约占所有的精神分裂症患者中33%[1]。目前临床上主要采用药物治疗和心理治疗等方式进行干预。现非侵入性脑刺激技术常被用于精神科相关疾病的治疗中,其主要作为一种辅助技术,比如目前临床上使用广泛的重复经颅磁刺激、经颅直流电刺激等,其中经颅直流电刺激主要的优势在于刺激的强度比较小,并且干预效果持续时间长,价格低,电刺激干预后,患者出现的不良反应发生率更低,因此,其使用频率更高[2]。本文主要探讨经颅直流电刺激用于临床早发性精神分裂症患者中,对其神经生化、认知功能以及氧化应激系统的改善作用。

1 资料与方法

1.1一般资料 选取2018年1月至2020年12月我院就诊的早发性精神分裂症患者113例,根据是否经颅直流电刺激治疗分为真刺激组和假刺激组。真刺激组63例,男31例,女32例,平均年龄(15.47±2.32)岁,平均病程(11.54±2.12)月,药物(利培酮)剂量(4.32±0.48)mg/d,PANSS评分(47.76±5.65)分,阳性评分(12.47±3.27)分,阴性评分(18.68±7.54)分,一般病理评分(26.64±4.51)分;假刺激组50例,男25例,女25例,平均年龄(15.39±2.54)岁,平均病程(11.28±2.12)月,药物(利培酮)剂量(4.35±0.56)mg/d,PANSS评分(45.87±5.75)分,阳性评分(12.38±5.11)分,阴性评分(17.43±5.22)分,一般病理评分(25.77±6.13)分。纳入标准:均符合临床早发性精神分裂症的诊断标准[3];教育水平均在初中及以上;年龄13～18岁;所有患者意识均正常;近1月内药物剂量(利培酮)均处于稳定状态;均处于稳定期。本次研究已经获取我院伦理委员会的批准,患者均知情同意。排除标准:处于妊娠期妇女;伴有神经系统方面的疾病者;存在酒精依赖史者;合并有脑器质性病变者;中途退出本次研究者。两组患者一般资料比较差异不显著(P>0.05)。

1.2方法 两组患者在进行经颅直流电刺激治疗前,均予以常规治疗。在开始电刺激治疗前,先予以适量的生理盐水溶液将海绵浸润处理,在进行电刺激治疗时,叮嘱患者观察相同的风景图片。首先将仪器的阳性电极置于患者左侧背外侧前额叶皮层位置处,另外再将阴性电极置于患者FP1/F7/C3等位置处,对于真刺激组的患者均予以电流为1.5 mA进行刺激处理,刺激时间为20 min,并且电流的递增和递减时间均为30 s,另外对于假刺激组的患者,电刺激相关的参数均保持一致,但是本组患者仅仅在开始刺激的30 s以及电刺激前的30 s接通电流。两组患者电刺激频率1次/d,持续治疗10 d。

1.3观察指标 干预前后,观察比较两组患者神经生化[多巴胺(DA)、5-羟色胺(5-HT)、促肾上腺皮质激素(ACTH)];采用认知功能成套测验共识版(MCCB)判定两组患者的认知功能;观察比较两组患者的氧化应激相关指标[二硫化谷胱甘肽(GSSG)、NO、脑源性神经营养因子(BDNF)]的变化情况。

2 结 果

2.1两组患者神经生化相关指标比较 干预前,两组神经生化相关指标比较差异不显著(P>0.05),干预后,两组神经生化指标(DA、5-HT、ACTH)分别与干预前比较差异显著(P<0.05),且真刺激组的神经生化指标均显著高于假刺激组(P<0.05)。见表1。

表1 两组患者神经生化相关指标比较

2.2两组患者认知功能比较 干预前,两组患者的认知功能比较差异不显著(P>0.05),干预后,真刺激组患者认知功能评分显著高于假刺激组患者(P<0.05)。见表2。

表2 两组患者认知功能比较

2.3两组患者氧化应激相关指标比较 干预后,两组氧化应激相关指标比较差异显著(P<0.05)。见表3。

表3 两组患者氧化应激相关指标比较

3 讨 论

有研究显示[4],精神分裂症患者其认知功能损伤的核心主要与背外侧前额叶的异常存在一定的关系,一定程度上为经颅直流电刺激用于精神分裂症患者提供参考。

本文结果显示,真刺激组患者的认知功能评分显著高于假刺激组(P<0.05),进一步予以经颅直流电刺激干预以后,不仅对患者的推理以及解决问题具有改善作用,同时对患者的注意/警觉以及工作记忆等方面均存在改善效果。分析其因,主要由于经颅直流电刺激通过患者颅内组织特定的区域增加电流干预,进而提高患者脑皮层的兴奋程度,进一步对受抑制的脑区域发挥激活作用,最终改善患者大脑认知区域的功能[5]。

BDNF可以通过影响神经元的生长以及功能,进一步影响患者的认知功能。另外氧化应激主要破坏患者的神经元,进一步加深对患者的认知功能损伤程度[6]。。本文结果发现,真刺激组患者神经生化、氧化应激相关指标与假刺激组患者比较,均存在显著性差异(P<0.05),提示经颅直流电刺激干预用于精神分裂症患者,能够对患者的神经生化以及氧化应激系统发挥改善作用。分析原因,可能由于经颅直流电刺激通过抑制兴奋性氨基酸谷氨酸(Glu)以及天冬氨酸(NMDA)受体,Glu则进一步抑制NMDA受体的活性,从而抑制Ca2+超载,抑制过氧化物以及NO等物质的产生,进一步减轻神经兴奋性毒性程度,改善患者大脑神经元以及突触功能,最终改善精神分裂症患者的认知功能障碍;另外也可能由于经颅直流电刺激干预,促进BDNF的分泌,进一步通过NMDA受体介导的下游信号通路,进一步增强患者海马组织中依赖的AMPA受体的突触信号通路过程,进一步对精神分裂症患者的认知功能发挥保护作用[7]。改善精神分裂症患者的氧化应激系统,进一步改善患者神经生化指标,减轻患者神经元系统的损伤,最终改善患者的认知功能。

综上,对于临床早发性精神分裂症患者,予以经颅直流电刺激治疗,能够有效提高患者的认知功能,同时改善患者神经生化以及氧化应激系统,应用前景良好。