专利名称: 一种充分暴露二硫化钼活性位的催化析氢电极的构筑方法
2023-01-05 15:01:48
中国钼业 2022年2期
专利申请号: CN201811060369
公开号: CN109183058A
申请日:2018.09.12公开日:2019.01.11
申请人: 电子科技大学
本发明属于二维材料制备以及催化析氢技术领域，具体涉及一种充分暴露二硫化钼活性位的催化析氢电极的构筑方法。针对现有的二硫化钼纳米薄片催化析氢活性位点丰度低的问题，本发明的技术核心包括以下几点：(1)利用印刷法固载二硫化钼，构筑三维催化析氢电极；(2)掺入表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮，辅助剥离二硫化钼，并阻止二硫化钼纳米薄片的重团聚；(3)掺入还原氧化石墨烯为二硫化钼纳米薄片的分散提供锚点，进一步阻止二硫化钼纳米薄片的堆叠；(4)选用具有高表面粗糙度的载体作为电极基底。本发明适用于常温下酸性溶液中的催化析氢反应。
猜你喜欢
工业微生物(2023年5期)2023-11-02 14:01:46
环境工程技术学报(2022年3期)2022-06-05 07:20:30
石家庄学院学报(2022年3期)2022-05-21 07:03:50
陶瓷学报(2021年4期)2021-10-14 08:57:36
通信电源技术(2021年2期)2021-05-21 02:33:46
电子技术与软件工程(2020年22期)2021-01-30 05:29:42
数字技术与应用(2020年12期)2021-01-22 13:40:40
移动通信(2020年5期)2020-06-08 15:39:51
食品与生物技术学报(2020年11期)2020-01-05 21:24:57
表面工程与再制造(2019年1期)2019-05-11 08:51:46
